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公开(公告)号：KR100981368B1
公开(公告)日：2010-09-10
申请号：KR1020080005374
申请日：2008-01-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B22F9/08
Abstract: 텅스텐 복합 분말, 이로부터 형성된 코팅재, 및 텅스텐 복합 분말의 제조 방법을 제공한다. 텅스텐 복합 분말의 제조 방법은, i) 각각 0.1㎛ 내지 30㎛의 직경을 가진 W 입자들 및 SiC 입자들을 중량분율로 W
1-x SiC
x 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 제공하는 단계, ii) 혼합물을 분무 건조하여 분말을 제공하는 단계, 및 iii) 분말을 하소 열처리하는 단계를 포함한다. 여기서, x는 0.001 내지 0.3이다. 더욱 바람직하게는, x는 0.001 내지 0.15일 수 있다.
텅스텐 복합 분말, 플라스마, 코팅재, 핵융합로-
公开(公告)号：KR100627752B1
公开(公告)日：2006-09-26
申请号：KR1020030064027
申请日：2003-09-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 진공조 내의 플라즈마 특성 변수를 얻기 위하여 필요한 전류(I)-전압(V) 곡선을 측정하기 위해 사용하는 장치로서 더욱 상세하게는 시간에 따라서 변하는 펄스 플라즈마에서 진공조 내의 시간에 따른 플라즈마의 변수들을 얻을 수 있도록 랩뷰(LabVIEW)를 사용해서 구성한 장치와 측정방법이 그 요지이다. 본 발명에서는 기존의 연속적인 플라즈마에서 전류-전압 곡선을 얻기 위하여 사용되었던 톱니파 또는 사인파의 전압 대신에 발생되는 펄스 플라즈마와 동기화(synchronization) 시킨 직류 전압을 랑뮤어 프로브(Langmuir probe)에 순차적으로 인가한 후 전류를 측정함으로써 각각의 시간에 따른 전류-전압 곡선을 얻을 수 있게 된다.
펄스 플라즈마, 랑뮤어 프로브, 랩뷰, 플라즈마 특성 변수 진단 시스템-
公开(公告)号：KR1020060095608A
公开(公告)日：2006-09-01
申请号：KR1020050016366
申请日：2005-02-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/203
CPC classification number: C23C14/205 , C23C14/345 , H05K1/0393 , H05K3/16
Abstract: 본 발명은 플라즈마 이온 주입에 의한 고분자 표면 위에 금속 박막을 증착하는 방법 및 이를 위한 장치에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 플라즈마를 발생시킨 후 금속 타겟에 음의 전압을 인가하여 스퍼터링시키고, 고분자 시료에 고전압 펄스를 인가하여 이온을 주입하는 방식으로 금속을 증착하는 것을 특징으로 하는 방법 및 장치를 제공한다.
본 발명에 따라 고분자 기판에 음의 펄스 전압을 가하여 플라즈마 이온 주입법과 금속 증착 방법을 융합하여 금속 박막을 증착하므로써 완만한 계면층을 형성하여 접착력을 향상시키는데 매우 효과적이다.
고분자, 접착력, 금속 박막, 형성 방법, 플라즈마, 고전압 펄스, 이온 주입-
公开(公告)号：KR100576194B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040102291
申请日：2004-12-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 기존의 연속적인 플라즈마 대신에 대출력 펄스 RF 플라즈마를 이용하여 높은 수율을 가지는 Silicon-on-insulator(SOI)기판을 제조할 수 있도록 하는 대출력 펄스 RF 플라즈마를 이용한 매몰 절연막 제조장치 및 제조방법에 관한 것이다. 시료를 진공조 내에 위치시키고, 진공조 내에 사용가스를 주입한다. 진공조 내에 RF 펄스를 공급하여 사용가스로부터 고밀도 플라즈마를 발생시킨다. 발생된 플라즈마 이온이 시료에 충돌하여 시료표면에 이온을 주입시키기에 충분한 이온 에너지를 가지고 시료를 향해 가속되도록 시료에 음(-)의 고전압 펄스를 가하여 이온을 주입한다. 이 때, RF 펄스발생과 음(-)의 고전압 펄스발생을 동기화시킨다. 그리고, 시료를 어닐링하여 절연막을 형성시킨다.
RF 펄스, 플라즈마, 웨이퍼, 매몰 절연막, 어닐링Abstract translation: 掩埋绝缘膜的制造装置和具有高输出脉冲RF等离子体的生产通过使用大输出的脉冲RF等离子体的代替传统的连续等离子体以制备具有高产率的硅 - 绝缘体（SOI）衬底本发明 ＆lt; 将样品放置在真空室中，并将工作气体注入真空室。 将RF脉冲供应到真空室中以从使用过的气体生成高密度等离子体。 对试样施加负（ - ）高电压脉冲以加速具有足够离子能量的试样，以使产生的等离子体离子与试样碰撞并将离子注入试样表面。 此时，RF脉冲生成和负（ - ）高电压脉冲生成是同步的。 然后，样品退火形成绝缘膜。
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公开(公告)号：KR100511031B1
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：KR1020030019874
申请日：2003-03-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C08J7/18
Abstract: 본 발명은 고분자 소재의 용기 내부에 플라즈마 이온 주입이 이루어질 수 있게 함으로써 내부 표면을 개질하여 친수성 또는 소수성, 접착성, 생체적합성 및 기체 투과 방지성을 포함한 고분자 용기 내부 표면의 특성을 향상시키는 방법 및 그 장치를 제공한다.
본 발명의 방법에 따르면 시료 외부를 둘러싼 전도체에 의해 시료 내부 표면에 수직으로 입사되는 이온의 에너지가 종래 플라즈마를 이용한 고분자 표면 개질 방법의 이온 에너지보다 매우 높으므로 표면 개질 효과가 뛰어나고 표면 이하 깊은 층까지 개질시킬 수 있어 처리후 시간에 따른 표면 열화를 효과적으로 방지할 수 있게 된다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050027668A
公开(公告)日：2005-03-21
申请号：KR1020030064027
申请日：2003-09-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: A diagnostic system and method of measuring a pulse plasma characteristic variable are provided to acquire a precise current-voltage curve in a short time by using the data acquisition board and a software such as a LabVIEW. A pulse RF(Radio Frequency) power apparatus(4) synchronizes with a current-voltage measuring system(6) by using a pulse generator(8). A DC(Direct Current) voltage is generated from a data analysis system. The DC voltage is amplified in the current-voltage curve measuring system. After applying the DC voltage to a probe, a current flowing into the probe is measured by using the current-voltage curve measuring system. A current-voltage characteristic curve is formed by extracting each voltage and current obtained from the data analysis system for the same time. The synchronization between the pulse RF power apparatus and the current-voltage curve measuring system is performed by using a counter timer of a data acquisition board(7).
Abstract translation: 提供一种测量脉冲等离子体特性变量的诊断系统和方法，通过使用数据采集板和LabVIEW等软件，在短时间内获取精确的电流 - 电压曲线。 脉冲RF（射频）电力设备（4）通过使用脉冲发生器（8）与电流 - 电压测量系统（6）同步。 从数据分析系统产生DC（直流）电压。 直流电压在电流 - 电压曲线测量系统中放大。 将直流电压施加到探头后，通过使用电流 - 电压曲线测量系统测量流入探头的电流。 通过提取从数据分析系统获得的每个电压和电流同时形成电流 - 电压特性曲线。 通过使用数据采集板（7）的计数器定时器来执行脉冲RF功率装置与电流 - 电压曲线测量系统之间的同步。
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公开(公告)号：KR100351516B1
公开(公告)日：2002-09-05
申请号：KR1020000052812
申请日：2000-09-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/48
Abstract: 본 발명은 3차원 입체 고분자 소재 및 제품의 표면특성 및 표면의 전기전도도를 향상시키기 위하여 플라즈마 이온주입 기술을 이용하는 표면개질 방법 및 그 장치에 관한 것이다. 플라즈마 이온주입 기술은 대면적의 3차원 입체시료의 표면에 균일하게 이온을 주입하여 표면개질을 이룰 수 있는 기술이다. 본 발명에서 고분자 시료 주위의 금속성 그리드에 음의 고전압 펄스가 가해지면 플라즈마로부터 이온이 추출되어 그리드를 향하여 가속이 되고 대부분의 이온들은 그리드를 통과하여 높은 에너지로 고분자 시료의 표면에 충돌하게 된다. 따라서, 시료대에 직접 고전압 펄스를 인가하는 방법으로는 플라즈마 이온주입이 어려운 입체 고분자 시료의 표면에 균일하게 이온주입이 이루어지게 되며 이와 같이 높은 에너지로 주입된 이온들은 고분자 표면을 개질하여 전기전도도를 매우 효율적으로 향상시킬 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR100137704B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940031178
申请日：1994-11-25
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 한승희
IPC: H01L21/265 , H01J37/00
Abstract: 이중 모드의 고전압 펄스를 사용하는 플라즈마 이온 주입 장치와 이 장치를 이용한 물체의 표면개질방법이 제공된다.
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公开(公告)号：KR1019960019507A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940031178
申请日：1994-11-25
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 한승희
IPC: H01L21/265 , H01J37/00
Abstract: 이중 모드의 고전압 펄스를 사용하는 플라즈마 이온 주입 장치와 이 장치를 이용한 물체의 표면 개질 방법이 제공된다.
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