Abstract:
반도체 제조 장비용 다성분계 열용사 코팅물질, 그 제조방법 및 코팅방법에서, 코팅 물질은 Al 2(1-x) Zr x O 3-x 의 조성비를 가지며, 직경이 1 내지 100㎛ 크기의 분말로 형성될 수 있다. 여기서 "x"는 약 0.2 내지 약 0.8일 수 있다. 더욱 바람직하게 "x"는 약 0.2 내지 약 0.5일 수 있다. 상기 분말을 사용하여 열용사법에 의해 코팅한 코팅막은 비정질 또는 비정질과 ZrO 2 결정상 복합구조를 가진다. 본 발명에 의해 제공된 코팅막은 특히 염소기를 포함하는 플라즈마 에칭 환경에서 내식성이 매우 우수하며, 반응생성물 입자 형성이 방지된다. 열용사 코팅, 비정질 세라믹, 반도체 제조 장비, 보호 코팅막
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a thermal spray coating film for a semiconductor manufacturing apparatus is provided to reduce the inner defect of the coating film. CONSTITUTION: A method for manufacturing a thermal spray coating film comprises the steps of preparing a thermal spray coating material having the composition represented by (Al_x Y_(1-x))2O3 (wherein x is 0.05 ~ 0.95); injecting the thermal spray coating material into the plasma flame to heat it; and laminating the completely molten or semi-molten thermal spray coating material on the surface of the parts used in the semiconductor manufacturing apparatus to form a coating film having the amorphous structure.
Abstract:
Tungsten composite powder which can be used for parts of a fusion reactor facing plasma due to the excellent corrosion resistance and high temperature strength, a coating material made of the same and a method of manufacturing the tungsten composite powder are provided. A manufacturing method of tungsten composite powder comprises a step for providing a mixture in which W(tungsten) particles and SiC(silicon carbide) particles having a diameter of 0.1~30mum to be formed into W1-xSiCx composition by the weight ratio(S10), a step for providing composite powder by spraying and drying the mixture(S20), and a step for heat-treating the composite powder(S30).
Abstract:
PURPOSE: A multi-component ceramic coating material for being thermally sprayed is provided to reduce internal defects of a protection coating film, to improve corrosion resistance, and to prolong the life span of the parts. CONSTITUTION: A multi-component ceramic coating material for being thermally sprayed on the parts of semiconductor processing devices comprises a composition of Al_(2(1-x))Zr_xO_(3-x), wherein x is 0.2-0.8. A method for preparing the coating material for the thermal spray comprises the steps of: mixing Al2O3 particles and ZrO2 particles with a diameter 0.1-30 microns to prepare a material with a composition of Al_(2(1-x))Zr_xO_(3-x); spraying and drying the material to form synthetic powder; and incinerating the powder at 800-1500 °C.
Abstract:
텅스텐 복합 분말, 이로부터 형성된 코팅재, 및 텅스텐 복합 분말의 제조 방법을 제공한다. 텅스텐 복합 분말의 제조 방법은, i) 각각 0.1㎛ 내지 30㎛의 직경을 가진 W 입자들 및 SiC 입자들을 중량분율로 W 1-x SiC x 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 제공하는 단계, ii) 혼합물을 분무 건조하여 분말을 제공하는 단계, 및 iii) 분말을 하소 열처리하는 단계를 포함한다. 여기서, x는 0.001 내지 0.3이다. 더욱 바람직하게는, x는 0.001 내지 0.15일 수 있다. 텅스텐 복합 분말, 플라스마, 코팅재, 핵융합로
Abstract:
A thermal spray ceramic coating material for a semiconductor manufacture device is provided to reduce internal defects of protective coating films upon ceramic spray coating, improve corrosion resistance, and extend a lifespan of the internal parts. A thermal spray coating material of an amorphous structure is used for a semiconductor manufacture device and has a composition of (Al_xY_(1-x))_2O_3, wherein x ranges from 0.005 to 0.95. A method for preparing the thermal spray coating material includes the steps of: mixing Al2O3 particles and Y2O3 particles having a diameter of 0.1-30 micron to prepare the material; spraying and drying the prepared material to prepare synthetic powder; and calcining the powder at 800-1500 °C.
Abstract translation:提供了一种用于半导体制造装置的热喷涂陶瓷涂层材料,以减少陶瓷喷涂时保护涂膜的内部缺陷,提高耐腐蚀性,延长内部部件的使用寿命。 非晶结构的热喷涂材料用于半导体制造装置,并且具有(Al_xY_(1-x))_2O_3的组成,其中x为0.005至0.95。 制备热喷涂材料的方法包括以下步骤:混合直径为0.1-30微米的Al 2 O 3颗粒和Y 2 O 3颗粒以制备该材料; 喷涂和干燥制备的材料制备合成粉末; 并在800-1500℃下煅烧粉末。
Abstract:
A coating material having remarkably improved corrosion resistance in comparison with existing Al2O3, Y2O3 crystalloid coating materials and Al-Y-O and Al-Zr-O based ceramic amorphous coating materials, a method for preparing the coating material, and a coating method using the same are disclosed. The ceramic coating material according to an embodiment of the present invention satisfies the following chemical formula: Y2xZr1-xOx+2. The x is 0.19-0.83 and, more desirably, a composition ratio of the x is 0.35-0.69. According to the present invention, the coating material for a chamber of vacuum plasma processing equipment and the internal components, capable of improving the corrosion resistance of a protective coating film in a ceramic coating process and extending the service life of the components, can be prepared.
Abstract translation:与现有的Al 2 O 3,Y 2 O 3晶体涂层材料和Al-YO和Al-Zr-O系陶瓷无定形涂层材料相比,具有显着提高的耐腐蚀性的涂料,涂料的制备方法和使用该涂料的涂布方法 披露。 根据本发明实施方案的陶瓷涂料满足以下化学式:Y2xZr1-xOx + 2。 x为0.19-0.83,更理想的是x的组成比为0.35-0.69。 根据本发明,可以制备用于真空等离子体处理设备的室内涂料和能够提高陶瓷涂覆工艺中的保护涂膜的耐腐蚀性并延长组件的使用寿命的内部组件 。
Abstract:
반도체 장비용 열용사 코팅막의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 싱ㄹ시예에 따른 반도체 제조 장비에 사용되는 열용사 코팅막의 제조 방법은, i) (Al x Y 1-x ) 2 O 3 (x는 0.05 내지 0.95) 조성을 가지는 열용사 코팅물질을 준비하는 단계, ii) 열용사 코팅물질을 플라즈마 불꽃을 향하여 주입하여 가열하는 단계, 및 iii) 가열에 의해 완전 용융 또는 반용융된 상태의 열용사 코팅물질을 반도체 제조장비에 사용되는 부품의 표면에 적층하여 비정질 구조를 갖는 코팅막을 형성하는 단계를 포함한다. 열용사 코팅, 비정질 세라믹, 반도체 제조 장비, 보호 코팅막
Abstract:
반도체 장비용 열용사 코팅물질의 제조방법을 제공한다. 코팅 물질은 (Al x Y 1-x ) 2 O 3 (x 는 0.05 내지 0.95 범위)의 조성을 가지며, 직경 1-100㎛ 크기의 분말로 형성될 수 있다. 또한, 상기 분말을 사용하여 열용사법에 의해 코팅한 코팅막은 비정질 구조를 가진다. 열용사 코팅, 비정질 세라믹, 반도체 제조 장비, 보호 코팅막