公开(公告)号：KR100977189B1

公开(公告)日：2010-08-23

申请号：KR1020080023654

申请日：2008-03-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  홍재민 ,  최승훈

IPC: H01L29/78 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 본 발명은 다결정 금속산화물 반도체층을 이용한 전계효과 트랜지스터와 그 제조방법에 관한 것으로서, 고분자와 금속염 전구체를 포함하는 혼합 용액을 방사하여 생성한 개별 복합 나노선(나노섬유) 또는 복합 나노선 네트워크를 열압착하거나 열가압한 뒤 고분자 제거 및 금속염의 산화를 위한 열처리를 실시하여 나노벨트 구조 또는 나노벨트 네트워크(매트) 구조의 금속산화물 박층을 형성하고 이 나노벨트 구조 또는 나노벨트 네트워크 구조의 금속산화물 박층을 활성층(active channel, 반도체층)으로 이용할 수 있도록 구성됨으로써, 전기적 안정성이 우수하고, 활성층의 비표면적이 크게 증대되어 반응성이 뛰어난 전계효과 트랜지스터와 그 제조방법에 관한 것이다.
전계효과 트랜지스터, 다결정, 금속산화물, 반도체층, 활성층, 나노벨트, 나노벨트 네트워크, 금속염, 고분자, 방사, 전기방사, 폴리머, 나노선, 나노선 네트워크, 열압착, 열처리

公开(公告)号：KR1020090098341A

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：KR1020080023654

申请日：2008-03-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  홍재민 ,  최승훈

IPC: H01L29/78 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02603 ,  H01L29/0669

Abstract: A field effect transistor using a polycrystalline metal oxide semiconductor layer and a manufacturing method thereof are provided to improve electrical reliability and reactivity by using a thin metal-oxide layer as an active layer. A gate electrode(12), a gate insulating layer(13), a metal oxide semiconductor layer, a source electrode(15a) and a drain electrode(15b) are formed on a substrate(11). The metal oxide semiconductor layer has a poly-crystal nano belt structure or a poly-crystal nano belt network structure in which a nano wire network is compressed. The metal oxide semiconductor layer has the width of 0.5~3 micron and the thickness of 20 ~ 100 nm. The metal oxide semiconductor layer is made of the nano grain or the nano particle of 5 ~ 20 nm size. The metal oxide semiconductor layer includes ZnO. The metal oxide semiconductor layer includes SnO2.

Abstract translation: 提供使用多晶金属氧化物半导体层的场效应晶体管及其制造方法，以通过使用薄金属氧化物层作为有源层来提高电可靠性和反应性。 在基板（11）上形成栅电极（12），栅极绝缘层（13），金属氧化物半导体层，源电极（15a）和漏电极（15b）。 金属氧化物半导体层具有纳米线网络被压缩的多晶纳米带结构或多晶纳米带网络结构。 金属氧化物半导体层的宽度为0.5〜3微米，厚度为20〜100nm。 金属氧化物半导体层由纳米颗粒或5〜20nm大小的纳米颗粒制成。 金属氧化物半导体层包括ZnO。 金属氧化物半导体层包括SnO 2。

公开(公告)号：KR1020080098261A

公开(公告)日：2008-11-07

申请号：KR1020070043722

申请日：2007-05-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  홍재민 ,  조성무

IPC: H01M4/13 ,  H01M4/64 ,  H01M4/04 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01M4/131 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/62231 ,  C04B35/6225 ,  C04B35/62254 ,  C04B35/62259 ,  C04B35/624 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/526 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/5454 ,  D01D5/0007 ,  D01F9/10 ,  H01M4/0435 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/661 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/027 ,  Y10S977/948

Abstract: A metal oxide as a negative active material is provided to increase the specific surface area and to endure against the volume change as nanorods and/or nanograin of ultra micro size have a network structure of a nanofiber of one-dimension, thereby raising a charge and discharge efficiency of battery and improving rate performance so that it is possible for the high speed output. A negative electrode for secondary battery comprises a negative electrode collector and a negative active material which is a porous metal thin oxide layer and has a network structure of the nanofiber consisting of at least one of nano-grain and nano-rod. The average diameter of nanofiber is 10~600 nm. The mean size of the nanorods and nano grain is 5~100 nm.

Abstract translation: 提供作为负极活性材料的金属氧化物以增加比表面积并抵抗体积变化，因为超微尺寸的纳米棒和/或纳米晶粒具有一维纳米纤维的网络结构，从而提高电荷和 电池的放电效率和提高速率性能，从而可以实现高速输出。 二次电池用负极包括作为多孔金属薄氧化物层的负极集电体和负极活性物质，并且具有由纳米晶粒和纳米棒中的至少一种构成的纳米纤维的网络结构。 纳米纤维的平均直径为10〜600nm。 纳米棒和纳米颗粒的平均粒径为5〜100nm。

公开(公告)号：KR1020070058286A

公开(公告)日：2007-06-08

申请号：KR1020060018208

申请日：2006-02-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  강경태 ,  홍재민

IPC: H01G4/018

Abstract: An embedded capacitor and a manufacturing method thereof are provided to obtain a high-dielectric constant, a low dielectric loss, and a high breakdown voltage by using an acceptor-doped BST((Ba1-xSrx)TiO3) film for the embedded capacitor. A manufacturing method of an embedded capacitor includes the steps of: forming a first electrode(120) by coating a metal on a substrate(110); forming a dielectric film(130) on the first electrode(120); and forming a second electrode(140) on the BST film; and forming a second electrode(140) after forming BST film(130) on the first electrode(120). The dielectric film(130) is an acceptor-doped BST film.

Abstract translation: 提供嵌入式电容器及其制造方法，以通过使用用于嵌入式电容器的受主掺杂BST（（Ba1-xSrx）TiO3）膜来获得高介电常数，低介电损耗和高击穿电压。 嵌入式电容器的制造方法包括以下步骤：通过在基板（110）上涂覆金属来形成第一电极（120）; 在所述第一电极（120）上形成介电膜（130）; 以及在所述BST膜上形成第二电极（140）; 以及在第一电极（120）上形成BST膜（130）之后形成第二电极（140）。 电介质膜（130）是受主掺杂的BST膜。

公开(公告)号：KR100597148B1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：KR1020040051869

申请日：2004-07-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박기홍 ,  유재웅 ,  김재경 ,  정범석 ,  홍재민 ,  곽순종 ,  이준호

IPC: C07D471/04

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 8의 폴리피리도피라진 비닐렌계의 π-공액 중합체 및 하기 화학식 9 및 10의 공중합체에 관한 것이다.
본 발명에 따른 중합체 및 공중합체는 기존의 피리도피라진계의 π-공액 중합체와는 달리 유기 용매에 대해 우수한 용해성을 갖고 있기 때문에 스핀코팅 또는 캐스팅을 통해 필름으로 제조할 수 있으며, 플렉서블 디스플레이 소자에 사용되는 n-형 반도체 또는 pn 이종접합 반도체를 제조하는 데에 사용될 수 있다.






상기 식 중, R은 이고, m, n, o, p, q는 1 이상의 양의 수이다.
폴리피리도피라진 비닐렌, n-형 반도체, pn 이종접합 반도체, 용해도, 디스플레이 소자

公开(公告)号：KR100286251B1

公开(公告)日：2001-03-15

申请号：KR1019990006107

申请日：1999-02-24

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  에쓰대시오일 주식회사

Inventor： 조현남 ,  홍재민 ,  고영찬 ,  최일석 ,  허영진

IPC: C08F12/34

CPC classification number: C08G63/85 ,  C08G63/189 ,  C08G63/87

Abstract: 티타늄화합물과인 화합물로구성된특수복합촉매를사용하여, 2,6-NDCA를주성분으로하는디카르복실산또는그의유도체, 혹은 2,6-NDC를주성분으로하는디카르복실산에스테르또는그의유도체를, 에틸렌글리콜또는이를주성분으로하는글리콜및 그의유도체와에스테르화반응시켜비스(베타-히드록시에틸)나프탈레이트및/또는그의저중합체를주성분으로하는에스테르화합물을얻고이를계속해서중축합반응시켜 PEN계중합체를얻는제조방법을제공한다. 이와같이제조된 PEN계중합체는색상과물성이우수한 PEN계중합체이며, 아울러본 발명의제조방법은상기에스테르화반응및 중축합반응시간을상당히단축시킨다.