公开(公告)号：KR100781964B1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：KR1020060018208

申请日：2006-02-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  강경태 ,  홍재민

IPC: H01G4/018

Abstract: 본 발명은 커패시터의 유전체막으로 비정질 BST에 억셉터를 도핑하여 사용함으로써 저유전손실, 저누설전류, 고절연파괴전압 등의 우수한 유전 특성을 갖는 내장형 커패시터(embedded capacitor)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 내장형 커패시터는 소정의 기판 상에 형성된 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성되며 억셉터(acceptor)가 도핑된 비정질 (Ba
1
-
x Sr
x )TiO
3 (BST)막 - 여기서, x=0.3~1 - 및 상기 비정질 BST막 상에 형성된 제 2 전극을 포함한다.
내장형 캐패시터, PCB(printed circuit board), 억셉터(acceptor), 억셉터 레벨, BST, 유전체막, PZT, 스퍼터링(sputtering), PLD(Pulsed laser deposition)

公开(公告)号：KR1020070058286A

公开(公告)日：2007-06-08

申请号：KR1020060018208

申请日：2006-02-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  강경태 ,  홍재민

IPC: H01G4/018

Abstract: An embedded capacitor and a manufacturing method thereof are provided to obtain a high-dielectric constant, a low dielectric loss, and a high breakdown voltage by using an acceptor-doped BST((Ba1-xSrx)TiO3) film for the embedded capacitor. A manufacturing method of an embedded capacitor includes the steps of: forming a first electrode(120) by coating a metal on a substrate(110); forming a dielectric film(130) on the first electrode(120); and forming a second electrode(140) on the BST film; and forming a second electrode(140) after forming BST film(130) on the first electrode(120). The dielectric film(130) is an acceptor-doped BST film.

Abstract translation: 提供嵌入式电容器及其制造方法，以通过使用用于嵌入式电容器的受主掺杂BST（（Ba1-xSrx）TiO3）膜来获得高介电常数，低介电损耗和高击穿电压。 嵌入式电容器的制造方法包括以下步骤：通过在基板（110）上涂覆金属来形成第一电极（120）; 在所述第一电极（120）上形成介电膜（130）; 以及在所述BST膜上形成第二电极（140）; 以及在第一电极（120）上形成BST膜（130）之后形成第二电极（140）。 电介质膜（130）是受主掺杂的BST膜。