Abstract:
An attenuated total reflection (ATR) type waveguide mode resonance sensor comprises a waveguide layer being in contact with a sample and formed of nanocrystalline diamond (NCD). The incident angle of incident light causing standing waves on the waveguide layer can be measured by the incident light entered into the ATR type waveguide mode resonance sensor. The waveguide formed of the NCD is formed by a hot filament chemical vapor deposition process using hydrocarbon-containing material gas. At this time, the crystal grain size of the NCD can be controlled by adjusting at least one among a substance temperature, a distance between a filament and a substance, and a hydrocarbon rate contained in the material gas. [Reference numerals] (AA) P-wave / TM mode; (BB) S-wave / TE mode
Abstract:
PURPOSE: A broadband energy harvesting apparatus is provided to expand resonance frequency band on external vibration. CONSTITUTION: A mass(10) is installed to vibrate in a multidegree of freedom. Both ends of the mass are connected to vertical bars(51,52). Piezoelectrics(41,42) are installed to vibrate with the mass by reacting the vibration of the mass. Two cantilevers(31,32) are installed in parallel with each other at the same height. Bearings(61,62) are installed in the connection part of the mass and vertical bar.
Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of a nano-structure array and a device including the nano-structure array are provided to improve the sensitivity and the reliability of a sensor including the nano-structure array. CONSTITUTION: A manufacturing method of a nano-structure array includes the following steps: a stacked structure of a substrate, a resist layer, and a focusing layer is irradiated with light to be focused; the focused light patterns resist on the resist layer; and a material forming a nano-structure array is stacked on the patterned resist layer to form a nano-structure array. The resist layer includes a resist material layer and an undercut forming layer.
Abstract:
평판 디스플레이 등에 사용되는 투명 전도성 산화물 박막으로 알루미늄과 갈륨이 도핑된 산화아연 박막을 제공한다. 상대적으로 산소 안정성이 좋고 에칭 특성 개선이 예상되는 갈륨을 동시 도핑함으로써 알루미늄 도핑된 산화아연(AZO) 박막의 산화반응에 의한 물성 저하 및 에칭 속도가 빠른 문제점을 개선하였다. 알루미늄이 포함된 산화아연 타겟과 갈륨이 포함된 산화아연 타겟을 경사지도록 배치하고 스퍼터링 파워를 조절하여 알루미늄과 갈륨의 비율을 조절하였으며, 제조된 산화아연 박막의 전기적 특성, 경시(aging) 특성, 에칭 특성 등이 향상된 것을 확인하였다. 투명 전도성 산화물 박막, 알루미늄/갈륨 도핑된 산화아연 박막, 에칭 특성, 전기 비저항, 이동도, 캐리어 농도, 광 투과율
Abstract:
본 발명은 가시광 영역에서의 우수한 광 투과성 및 우수한 도전성이 필요한 TFT-LCD, PDP, FED, LED, OLED와 같은 평판 디스플레이 및 태양전지에 사용되는 투명한 전극막 또는 전자기파 차폐를 위한 필터에 사용되는 투명 도전성 박막에 관한 것으로, 보다 상세하게는 주성분인 산화아연에 3족의 양이온성 금속 도핑원소와 할로겐족 음이온성 도핑원소가 동시에 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막에 관한 것이다. 본 발명의 산화아연계 투명도전성 박막에 의하면 3족 양이온성 금속 원소만으로 도핑되어 있는 산화아연계 투명도전성 박막이나 할로겐족 음이온성 원소만으로 도핑되어 있는 산화아연계 투명도전성 박막보다 높은 이득 지수(Figure of merit, 전기전도도/광흡수계수)를 제공하는 효과를 달성한다. 투명도전산화물, 박막, 평판 디스플레이, 산화아연, 도핑.
Abstract:
본 발명은 거대 3차 비선형 광학 현상에 따르는 비선형 굴절률을 이용하는 도파로형 광소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 도파로형 광소자는 신호빔이 전파되는 신호빔 도파로와, 펌프빔이 전파되는 펌프빔 도파로로 구성되며, 상기 펌프빔 도파로는 상기 펌프빔이 상기 신호빔 도파로에 커플링이 일어날 수 있도록 근접 배치되고, 상기 신호빔 도파로와 상기 펌프빔 도파로는 이종의 재료로 구성되고, 그리고 상기 신호빔과 상기 펌프빔은 서로 다른 파장 영역을 갖는다. 이러한 구성에 따라, 신호빔 도파로에 펌프빔이 커플링되어 신호빔이 지나가는 도파로 상에서 3차 비선형 현상을 유발시킴으로써, 광소자로서 작동이 되도록 하는 전광(all-optical) 통신 소자의 구현을 가능하게 하며, 소자의 집적화가 가능한 도파로형 광소자를 제공한다.