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1.发明授权나노 결정질 다이아몬드로 이루어지는 다공성층을 이용한 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서 및 나노 결정질 다이아몬드로 이루어지는 다공성층 형태의 도파로의 제조 방법 有权使用多孔纳米金刚石层的衰减总反射型波形谐振传感器和制造多孔纳米金刚石层的波导形成方法
公开(公告)号：KR101565892B1
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：KR1020140051703
申请日：2014-04-29
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 감쇠전반사(attenuated total reflection; ATR)형도파로모드공진센서는, 시료와접촉하도록구성되며나노결정질다이아몬드(nanocrystalline diamond; NCD)로이루어지는다공성층형태의도파로층을포함하여구성될수 있다. NCD로이루어지는다공성층형태의도파로제조방법은, 기판상에나노결정질다이아몬드를포함하는시드입자를형성하는단계; 상기기판및 필라멘트가위치하는반응챔버에원료기체를주입하는단계; 상기기판을가열하는단계; 상기필라멘트를가열하여상기원료기체를활성화시키는단계; 가열된상기필라멘트를이용하여상기시드입자와상기기판사이의정전기적인력을감소시킴으로써, 상기시드입자의브라운운동에의해상기시드입자를상기기판으로부터분리하는단계; 활성화된상기원료기체를이용하여, 상기기판으로부터분리된상기시드입자상에나노결정질다이아몬드를성장시키는단계; 및상기시드입자를상기기판상에석출시키는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 衰减全反射（ATR）型波导模式共振传感器被配置为与样品接触并且可以包括包括多孔纳米晶体金刚石（NCD）层的波导层。 用于制造由多孔NCD层制成的波导的方法包括以下步骤：在衬底的顶部上形成包括NCD的种子颗粒; 将原料气体注入到具有基材和置于其中的细丝的反应室中; 加热基板; 通过加热丝来活化原料气体; 通过使用加热的细丝减少种子颗粒和基底之间的静电吸引力，通过种子颗粒的布朗运动从种子颗粒与基质分离; 使用活化的原始气体从与基底分离的种子颗粒顶部生长NCD; 并将种子颗粒沉积在基底的顶部上。
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公开(公告)号：KR101318236B1
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020120059373
申请日：2012-06-01
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C01B32/25 , B01J19/087 , C01P2004/60 , C30B29/04
Abstract: PURPOSE: A method for controlling the particle size of a diamond crystal and an apparatus using the same are provided to selectively control the intensity of the electric field between anode and cathode by controlling an inter-electrode distance, thereby easily controlling the particle size of the diamond crystal. CONSTITUTION: A method for controlling the particle size of a diamond crystal controls an interelectrode electric field by converting a precursor gas to electrons and ions for synthesizing the diamond crystal after by supplying power to cathode and anode. The particle size of the diamond crystal becomes smaller if the electric field between the anode and the cathode becomes larger. The particle size of the diamond crystal becomes larger if the electric field between the anode and the cathode becomes smaller.
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制金刚石晶体的粒度的方法及使用其的装置，通过控制电极间距离来选择性地控制阳极和阴极之间的电场强度，从而容易地控制 钻石水晶。 构成：用于控制金刚石晶体的粒度的方法通过将前体气体转化为电子和离子来控制电极间电场，以通过向阴极和阳极供电来合成金刚石晶体。 如果阳极和阴极之间的电场变大，则金刚石晶体的粒径变小。 如果阳极和阴极之间的电场变小，则金刚石晶体的粒径变大。
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公开(公告)号：KR101728838B1
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：KR1020150014798
申请日：2015-01-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 센싱전극은, 기판및 필라멘트(filament)가위치하는반응챔버에, 수소및 탄화소수를포함하는원료기체를주입하는단계; 상기기판을 850도내지 930도의온도로가열하는단계; 상기필라멘트를가열하여상기원료기체를활성화하는단계; 및활성화된상기원료기체로부터, 가열된상기기판상에전극층을형성하는단계에의해제조될수 있다. 상기전극층은, 그래핀(graphene) 층및 상기그래핀층에삽입되며상호연결된(inter-connected) 다이아몬드나노플레이크(diamond nanoflake)들로이루어진다. 다이아몬드나노플레이크들의상호연결에의해전도성이향상되어, 센싱전극의전기화학적성능이향상될수 있다.
Abstract translation: 将含有氢气和碳氟化合物的原料气体注入到其中设置有基板和灯丝的反应室中; 将衬底加热到850℃或930℃的温度; 加热长丝以激活原料气体; 以及从激活的原料气体在加热后的基板上形成电极层的步骤。 电极层由石墨烯层和插入石墨烯层中的相互连接的钻石纳米薄片组成。 金刚石纳米片的互连性改善了导电性，并且可以改善感测电极的电化学性能。
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公开(公告)号：KR1020140072300A
公开(公告)日：2014-06-13
申请号：KR1020120137651
申请日：2012-11-30
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C30B29/04 , C01B32/25 , C01P2004/64 , C23C16/27
Abstract: A manufacturing method of diamond powder of the present invention comprises a step of forming a seed particle including diamond on a substrate; a step of injecting source gas in a reaction chamber having the substrate and a filament positioned therein; a step of heating the substrate; a step of activating the source gas by heating the filament; a step of separating the seed particle from the substrate by using the heated filament; and a step of growing diamond on the seed particle separated from the substrate by using the activated source gas. According to the manufacturing method of the present invention, diamond powder can be manufactured in a gas-to-particle synthesis method.
Abstract translation: 本发明的金刚石粉末的制造方法包括在基材上形成包含金刚石的种子粒子的工序; 将源气体注入到具有基板和位于其中的细丝的反应室中的步骤; 加热基板的步骤; 通过加热灯丝来激活源气体的步骤; 通过使用加热的丝分离种子颗粒与基底的步骤; 以及通过使用活化的源气体在从基底分离的种子颗粒上生长金刚石的步骤。 根据本发明的制造方法，可以以气体 - 粒子的合成方法制造金刚石粉末。
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Patent Agency Ranking6.发明公开나노 결정질 다이아몬드를 이용한 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서 및 나노 결정질 다이아몬드로 이루어진 도파로의 제조 방법 有权使用纳米金刚石的衰减总反射型波形谐振传感器和制造纳米晶金刚石波导的方法
公开(公告)号：KR1020140045001A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：KR1020120110684
申请日：2012-10-05
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01N21/552 , C23C16/277 , G01N21/27 , G02B6/10
Abstract: An attenuated total reflection (ATR) type waveguide mode resonance sensor comprises a waveguide layer being in contact with a sample and formed of nanocrystalline diamond (NCD). The incident angle of incident light causing standing waves on the waveguide layer can be measured by the incident light entered into the ATR type waveguide mode resonance sensor. The waveguide formed of the NCD is formed by a hot filament chemical vapor deposition process using hydrocarbon-containing material gas. At this time, the crystal grain size of the NCD can be controlled by adjusting at least one among a substance temperature, a distance between a filament and a substance, and a hydrocarbon rate contained in the material gas. [Reference numerals] (AA) P-wave / TM mode; (BB) S-wave / TE mode
Abstract translation: 衰减全反射（ATR）型波导模式共振传感器包括与样品接触并由纳米晶体金刚石（NCD）形成的波导层。 可以通过入射到ATR型波导模式共振传感器的入射光来测量在波导层上产生驻波的入射光的入射角。 由NCD形成的波导通过使用含烃材料气体的热丝化学气相沉积法形成。 此时，可以通过调节物质温度，细丝与物质之间的距离和材料气体中所含的烃速率中的至少一种来控制NCD的晶粒尺寸。 （附图标记）（AA）P波/ TM模式; （BB）S波/ TE模式
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公开(公告)号：KR101369285B1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：KR1020120038556
申请日：2012-04-13
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/32 , C23C16/4488
Abstract: 본 발명은 텅스텐 카바이드의 성장시 과포화(supersaturation) 수준의 조절을 통해 나노구조의 정렬 형태를 제어함으로써 여러 형태의 텅스텐 카바이드 특히, 나노월 구조의 텅스텐 카바이드를 합성할 수 있는 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드 제조방법은 수소 플라즈마가 인가되는 화학기상증착 공정을 이용하여, 나노결정다이아몬드 박막 상에 수직 배열되는 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드를 제조하는 것을 특징으로 하며, 상기 수소 플라즈마가 인가되는 화학기상증착 공정은, 챔버 내의 양극 상에 나노결정다이아몬드 박막이 형성된 기판을 구비시키고, 기판의 상부 이격된 위치에 표면이 탄화된 텅스텐 음극을 구비시킨 상태에서, 챔버 내에 수소 플라즈마가 인가된다.
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公开(公告)号：KR101349633B1
公开(公告)日：2014-02-25
申请号：KR1020120137650
申请日：2012-11-30
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B82B3/0009 , B82B1/00 , C01B32/182 , C01B32/25 , C01B2204/04
Abstract: A polyphase carbon nanostructure may include graphene sheaths including at least one graphene layer; and diamond nanoflakes embedded in the graphene sheaths. The graphene sheaths may comprise multilayer graphene. Each graphene layer in the graphene sheaths may be aligned in parallel with the surface of the diamond nanoflake (111). The polyphase carbon nanostructure may further comprise a nanocrystalline diamond film positioned to surround the graphene sheaths. The polyphase carbon nanostructure has a high electric conductivity compared to a conventional nanocrystalline diamond film, which does not include graphite. [Reference numerals] (AA) Intensity (a.u.); (BB) 302.1 eV(sp^3) : second band gap; (CC) Energy loss (eV)
Abstract translation: 多相碳纳米结构可以包括至少一个石墨烯层的石墨烯鞘; 和镶嵌在石墨烯护套中的金刚石纳米片。 石墨烯护套可以包括多层石墨烯。 石墨烯护套中的每个石墨烯层可以与金刚石纳米片（111）的表面平行排列。 多相碳纳米结构还可以包括定位成围绕石墨烯护套的纳米晶体金刚石膜。 与不含石墨的常规纳米晶体金刚石膜相比，多相碳纳米结构具有高导电性。 （AA）强度（a.u.）; （BB）302.1eV（sp ^ 3）：第二带隙; （CC）能量损失（eV）
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公开(公告)号：KR101331566B1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：KR1020120031830
申请日：2012-03-28
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/27 , C23C16/02 , C23C16/0254 , C23C16/271 , C23C16/272
Abstract: 본 발명은 실리콘 산화막이 코팅된 기판 상에 나노결정다이아몬드 박막을 형성함에 있어서 기판 표면에 대해 수소 플라즈마 처리 또는 탄화수소 플라즈마 처리를 하거나 탄화수소 열처리를 수행함으로써, 후속의 초음파 파종 공정시 기판 표면과 나노다이아몬드 입자 간의 정전기 인력을 최대화하여 초음파 파종 공정시 기판의 실리콘 산화막 상에 나노다이아몬드 입자가 균일하게 분포, 결합되도록 하고, 궁극적으로 보이드(void)가 최소화된 균질의 나노결정다이아몬드 박막을 제조할 수 있는 나노결정다이아몬드 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 나노결정다이아몬드 박막의 제조방법은 실리콘 산화막이 코팅된 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판을 표면처리하는 단계와, 나노다이아몬드 입자가 분산된 용액에 상기 기판 을 넣은 후, 초음파를 조사하여 상기 기판 상에 나노다이아몬드 입자를 분산, 결합시키는 단계 및 상기 나노다이아몬드 입자가 결합된 기판 상에 나노결정다이아몬드 박막을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 표면처리에 의해, 기판과 나노다이아몬드 입자 간의 전위차의 절대값이 표면처리되지 않은 경우의 기판과 나노다이아몬드 입자 간의 전위차의 절대값보다 증가하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020130115847A
公开(公告)日：2013-10-22
申请号：KR1020120038556
申请日：2012-04-13
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/32 , C23C16/4488
Abstract: PURPOSE: A two-dimensional nanostructured tungsten carbide and a manufacturing method thereof are provided to manufacture the tungsten carbides vertically arranged on a nanocrystalline diamond film using a chemical vapor deposition process to which hydrogen plasma is applied. CONSTITUTION: A manufacturing method of a two-dimensional nanostructured tungsten carbide includes a step of vertically arranging the tungsten carbides on a nanocrystalline diamond film using a chemical vapor deposition process to which hydrogen plasma is applied. In the chemical vapor deposition process, the hydrogen plasma is applied to inside a chamber while a substrate having the film is placed on an anode inside the chamber and a tungsten cathode of which the surface is carbonized is placed above the substrate.
Abstract translation: 目的：提供二维纳米结构碳化钨及其制造方法，以使用使用氢等离子体的化学气相沉积工艺来制造垂直设置在纳米晶体金刚石膜上的碳化钨。 构成：二维纳米结构碳化钨的制造方法包括使用施加氢等离子体的化学气相沉积工艺将钨碳化物垂直排列在纳米晶体金刚石膜上的步骤。 在化学气相沉积工艺中，将氢等离子体施加到室内，同时将具有膜的基板放置在室内的阳极上，并且将表面碳化的钨阴极放置在基板上方。
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