公开(公告)号：KR101757169B1

公开(公告)日：2017-07-13

申请号：KR1020150189900

申请日：2015-12-30

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 곽지혜 ,  안세진 ,  윤재호 ,  조아라 ,  어영주 ,  안승규 ,  김기환 ,  조준식 ,  박주형 ,  유진수 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  손지혜

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  C23C14/14

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은고품질의 SnS 박막을상용화에적합한공정으로형성하는방법에관한것으로, Sn과 S를포함하는전구체막을형성하는전구체막형성단계; 상기전구체막을가열하여 Sn과 S를반응시켜 SnS를형성하면서이외의 2차상은기화시키는단일상형성단계;를포함하여구성되고, 상기단일상형성단계가, SnS는기화하지않고 SnS와 SnS등의 2차상은기화하는압력및 온도조건에서수행되어단일상의 SnS 박막을형성하는것을특징으로한다. 본발명은, Sn과 S을포함하는전구체막을형성한뒤에단일상형성단계를수행하여고품질의 SnS 박막을형성하는방법을제공함으로써, 고품질의 SnS 박막을상용화가가능한저비용의공정으로형성할수 있는뛰어난효과를나타낸다. 또한, 독성이없고재료비가저렴한고품질의 SnS 박막을낮은공정비용으로형성함으로써, SnS 박막을광흡수층으로구비한 SnS 태양전지를낮은비용으로제조할수 있는효과가있다.

公开(公告)号：KR101734362B1

公开(公告)日：2017-05-12

申请号：KR1020150152424

申请日：2015-10-30

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 김기환 ,  윤재호 ,  조준식 ,  곽지혜 ,  어영주 ,  조아라 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  안세진 ,  박주형 ,  안승규 ,  유진수

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0392

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/032 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 본발명은상대적으로낮은온도에서간단한공정으로고효율의 CIGS계박막을형성하는방법에관한것으로서, Ag 박막을형성하는단계; 및 Ag 박막의표면에 Cu, In, Ga 및 Se를동시진공증발법으로증착하는 ACIGS 형성단계로구성되며, 상기 ACIGS 형성단계에서, Cu, In, Ga 및 Se를증착하는과정에서 Ag 박막을구성한 Ag가모두확산되어상기동시진공증발된 Cu, In, Ga 및 Se와함께 ACIGS를형성하는것을특징으로한다. 본발명은, Ag 박막을먼저형성한뒤에 CIGS 원소를동시진공증발증착함으로써, 상대적으로낮은 400℃이하의온도에서 1단계의동시진공증발공정만으로발전효율이향상된 ACIGS 박막을형성할수 있는효과가있다. 또한, 본발명의태양전지는특유의제조방법에의해서결정성이향상된 ACIGS 박막을광흡수층을구비함으로써, 표면보이드가감소하고결정립의배향성이향상되어발전효율이향상된태양전지를제공할수 있는효과가있다.

公开(公告)号：KR1020170050635A

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：KR1020150152424

申请日：2015-10-30

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 김기환 ,  윤재호 ,  조준식 ,  곽지혜 ,  어영주 ,  조아라 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  안세진 ,  박주형 ,  안승규 ,  유진수

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0392

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/032 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 본발명은상대적으로낮은온도에서간단한공정으로고효율의 CIGS계박막을형성하는방법에관한것으로서, Ag 박막을형성하는단계; 및 Ag 박막의표면에 Cu, In, Ga 및 Se를동시진공증발법으로증착하는 ACIGS 형성단계로구성되며, 상기 ACIGS 형성단계에서, Cu, In, Ga 및 Se를증착하는과정에서 Ag 박막을구성한 Ag가모두확산되어상기동시진공증발된 Cu, In, Ga 및 Se와함께 ACIGS를형성하는것을특징으로한다. 본발명은, Ag 박막을먼저형성한뒤에 CIGS 원소를동시진공증발증착함으로써, 상대적으로낮은 400℃이하의온도에서 1단계의동시진공증발공정만으로발전효율이향상된 ACIGS 박막을형성할수 있는효과가있다. 또한, 본발명의태양전지는특유의제조방법에의해서결정성이향상된 ACIGS 박막을광흡수층을구비함으로써, 표면보이드가감소하고결정립의배향성이향상되어발전효율이향상된태양전지를제공할수 있는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过在较低温度下的简单工艺形成高效CIGS薄膜的方法，该方法包括以下步骤：形成Ag薄膜; 和由铜，In，Ga和硒的Ag薄膜作为ACIGS形成沉积同时真空蒸镀法的步骤，在ACIGS形成工序的表面上的，配置在该过程中的Ag膜淀积的Cu，In，Ga和硒 Ag被蒸发并且ACIGS与Cu，In，Ga和Se同时蒸发形成。 本发明，是通过沉积CIGS元件handwie形成Ag薄膜的同时真空蒸发，首先，在不低于相对低的400℃这样高的温度下的发电效率仅由第1步的同时真空蒸发工艺可形成一种改进的ACIGS膜的效果。 另外，通过提供一个光吸收层，以ACIGS薄膜，由太阳能电池的制造方法提高了结晶度是本发明特有的，空隙的表面被还原成，提高了晶粒的取向，它可以提供发电效率的效果得到提高的太阳能电池 有。

公开(公告)号：KR101680258B1

公开(公告)日：2016-11-29

申请号：KR1020150112703

申请日：2015-08-10

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 김기환 ,  조준식 ,  조아라 ,  윤재호 ,  윤경훈 ,  유진수 ,  어영주 ,  안승규 ,  안세진 ,  신기식 ,  박주형 ,  곽지혜

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/28 ,  C23C14/30

CPC classification number: C23C14/243 ,  C23C14/14 ,  C23C14/30

Abstract: 본발명은 Al에대해서도안정적인증발효율과내구성을나타내는도가니에관한것으로, 전자빔증발증착장치의증발원에사용되는도가니로서, 측벽과바닥으로구성되고, 안쪽공간에증착물질이위치하는보관부; 및측벽과바닥으로구성되고, 상기보관부의바깥쪽에결합되며, 상기보관부의측벽보다측벽의높이가더 높은웨팅(Wetting)방지부를포함한다. 본발명은, 측벽의높이가상대적으로더 높은웨팅방지부를구비함으로써, 안쪽에위치하는보관부의측벽범위에서만 Al 웨팅이발생하여도가니의사용수명이늘어나는효과가있다. 또한, 웨팅방지를위한세라믹재질과의접촉을최소화함으로써, 증착된 Al에불순물이포함되어박막의물성의저하되는것을방지할수 있는효과가있다. 최종적으로, 도가니교체없이고품질의 Al 박막을반복적으로형성할수 있는전자빔증발증착장치를제공한다.

Abstract translation: 公开了一种在电子束蒸发器的蒸发源中使用表现出稳定的蒸发效率和相对于Al的耐久性的坩埚，并且包括包括壁和底部并且沉积材料放置在其中的存储单元 以及包括比存储单元的壁高的另一壁和另一底部的润湿防止单元，并且与存储单元的外部组合。 设置润湿防止单元，使得只有存储单元的壁被Al润湿，因此，坩埚的寿命被延长。 此外，为了防止润湿，与陶瓷材料的接触最小化，从而防止由于与沉积的Al混合的杂质导致的薄膜的物理性能的降低。

公开(公告)号：KR101626929B1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：KR1020140164921

申请日：2014-11-25

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 김기환 ,  곽지혜 ,  윤재호 ,  조준식 ,  어영주 ,  조아라 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  안세진 ,  유진수 ,  박주형 ,  안승규

IPC: H01L31/0687 ,  H01L31/0725

CPC classification number: H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/06875

Abstract: 본발명은화합물박막태양전지셀을복수로구비하는다중접합태양전지의제조방법에관한것으로, 기판의상면과하면에투명전극층을형성하는단계; 상기투명전극층이형성된기판의상면과하면에광흡수층을동시에형성하는단계; 상기광흡수층이형성된기판의상면과하면에버퍼층을형성하는단계; 및상기버퍼층이형성된기판의상면에전면전극을형성하고하면에후면전극을형성하는단계;를포함한다. 본발명은, 상부셀과하부셀을한쪽방향으로계속하여적층하지않고기판을중심으로위쪽과아래쪽으로각각형성함으로써, 종래에하부셀과상부셀을순차적으로제조하는경우에나중에제조되는셀의제조과정에서발생하는열에의하여먼저제조된셀의광흡수층이열화되는문제및 먼저제조된셀의광흡수층과버퍼층의계면에서발생하는손상을피할수 있는효과가있다. 또한, 상부셀과하부셀을각각제조하는경우에비하여공정수가줄어들며, 상부셀과하부셀을별도로제조하여접합하는과정에서발생하는문제를방지할수 있는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括多个复合薄膜太阳能电池单元的多结太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：在基板的上表面和下表面上形成透明电极层; 同时在其上形成有透明电极层的基板的上表面和下表面上形成光吸收层; 在其上形成有光吸收层的基板的上表面和下表面上形成缓冲层; 以及在其上形成有缓冲层的基板的上表面上形成正面电极，并在下表面形成后表面电极。 本发明可以解决在传统地制造下电池和上电池的情况下，制造较晚制造电池的过程中产生的热量，早期制造的电池的光吸收层劣化的问题，以及 可以避免对早期制造的电池的光吸收层和缓冲层之间的界面的损坏，因为上电池和下电池相对于衬底形成在上侧和下侧，而不是连续堆叠 上单元和下单元。 此外，与分开制造上部单元和下层单元的情况相比，处理次数减少，并且可以防止在分离制造和接合上单元和下单元的过程中产生的问题。

公开(公告)号：KR101619318B1

公开(公告)日：2016-05-10

申请号：KR1020140085798

申请日：2014-07-09

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 안승규 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  조준식 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  김기환 ,  박주형 ,  어영주 ,  유진수 ,  조아라

IPC: G02B6/293 ,  H02S50/10

CPC classification number: G02B6/293 ,  H02S50/10

Abstract: 본발명은다양한스펙트럼을갖는빛을출사가능한광 바이어스장치및 이를이용한태양전지분광응답측정장치에관한것이다. 본발명에의한광 바이어스장치는, 빛을발광하는바이어스광원을구비한광원부; 입사된빛이경로를따라이동되는복수의광유로가구비된광가이드부; 및상기광가이드부입구에각각위치되거나, 또는상기광가이드부에서이동되는빛의경로상에위치되거나, 또는상기광가이드부출구에각각위치되는적어도하나의광필터가구비된복수의광필터부를포함한다.

公开(公告)号：KR101577420B1

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：KR1020130158946

申请日：2013-12-19

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 박주형 ,  조준식 ,  어영주 ,  안세진 ,  안승규 ,  유진수 ,  조아라 ,  윤재호 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  곽지혜

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명은박막태양전지에관한것으로, 더욱상세하게는인듐(In), 셀레늄(Se) 또는갈륨(Ga)을포함하여구성되는버퍼층과이를적용한박막태양전지및 그제조방법에관한것이다. 이에본 발명은박막태양전지에서의황화카드뮴(CdS) 버퍼층을대체하기위한박막태양전지의버퍼층제조방법에있어서, ⅰ) 인듐(In), 셀레늄(Se) 또는갈륨(Ga)을포함하는소스를준비하는단계, ⅱ) 광흡수층위에상기의소스를공급하여버퍼층을형성하는단계를포함하는것을특징으로하는박막태양전지의버퍼층제조방법을제공한다. 본발명의제조방법에따라인듐(In), 셀레늄(Se) 또는갈륨(Ga)을포함하여구성되는버퍼층을적용하면, 종래의용액성장법으로제조된황화카드뮴(CdS) 버퍼층의문제점이었던, 독성으로인한취급의어려움과제작공정이후의폐기물로인한환경문제를해결할수 있다. 뿐만아니라, 인듐(In), 셀레늄(Se) 또는갈륨(Ga)의비율을선택적으로조절함으로써, 제작시밴드갭조절이용이한버퍼층구현이가능하다.

公开(公告)号：KR101508133B1

公开(公告)日：2015-04-06

申请号：KR1020120151855

申请日：2012-12-24

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 어영주 ,  조아라 ,  조준식 ,  박주형 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  안세진 ,  안승규 ,  유진수 ,  박상현

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 태양전지에사용되는광흡수층으로사용되는 CI(G)S박막제조공정에서킬레이트제(chelating agent)를첨가하여, 광흡수층의원료로사용되는 CuI, InI및 NaSe의용해시 Cu 또는 In 과착화합물(complex)을형성하여 Se 이온과결합을구조적으로방해함으로써, 크기가작은입자를만들수 있다. 따라서, 기공(Porosity)의크기를줄이고, 조성의균일도가향상된 CI(G)S박막을제조할수 있다. 또한, 크고각 공정별로셀렌화공정조건의변화시켜야하고, 또한, 공정조건의변화가적합하지않을경우, 제조된흡수층이나 CI(G)S박막의조성이균일도가떨어지는기존의흡수층이나 CI(G)S박막제조방법의문제점을해소할수 있다.

公开(公告)号：KR101497955B1

公开(公告)日：2015-03-03

申请号：KR1020130087984

申请日：2013-07-25

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 조준식 ,  어영주 ,  박주형 ,  곽지혜 ,  윤재호 ,  조아라 ,  신기식 ,  안승규 ,  윤경훈 ,  유진수 ,  박상현 ,  안세진

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 후면전극을 개량한 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 태양전지 모듈(module)의 뒷면으로 조사되는 빛을 투과시킬 수 있는 후면전극에 관한 것이다. 본 발명은 태양전지의 후면전극의 제조방법에 있어서, 태양전지의 투명기판(100)을 준비하는 단계(s1000); 상기 투명기판(100) 위에 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화인듐, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화주석, 산화철, 이산화주석, 인듐주석산화물 및 이들 중 2 이상의 물질의 산화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 후면투명전극층(200)을 형성시키는 단계(s2000); 후면투명전극층(200) 위에 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s3000) 를 포함하는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법 및 이에 따른 광투과 후면전극을 제공한다.

公开(公告)号：KR101469740B1

公开(公告)日：2014-12-08

申请号：KR1020130036156

申请日：2013-04-03

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 어영주 ,  조준식 ,  박주형 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  윤재호 ,  조아라 ,  신기식 ,  안승규 ,  유진수 ,  박상현

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/03923 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 태양전지에사용되는 CI(G)S의제조과정중 셀렌화공정의효율을높이기위한방법으로더욱구체적으로는 CI(G)S계전구체박막을일정콘테이너혹은챔버에삽입하여, 상기콘테이너혹은챔버내에셀레늄(Se)을주입하고온도를올려셀렌화하는공정을통해고압력셀렌화가가능한것에관한것으로일정콘테이너혹은챔버내에셀레늄(Se) 분압을높여고압력셀렌화를통해손실되는셀레늄(Se)을줄일수 있고, 셀렌화의효율을높이고열처리의시간을단축시킬수 있는효과를나타낸다. 이를위해상기 CI(G)S계전구체박막과상기챔버(Chamber)의간격이 6 mm 내지 20 mm이고, 상기챔버(Chamber)에셀레늄(Se)을주입하며, 셀렌화를위한열처리는상기챔버(Chamber)의내측일면또는, 내측전면에위치하는발열체에의해온도를증가시킨다.