균일한 Ga 분포를 갖는 CIGS 박막 제조방법
    81.
    发明公开
    균일한 Ga 분포를 갖는 CIGS 박막 제조방법 无效
    具有均匀分布的薄膜制备方法

    公开(公告)号:KR1020120133342A

    公开(公告)日:2012-12-10

    申请号:KR1020110051975

    申请日:2011-05-31

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method for a CIGS(copper indium gallium diselenide) thin film having an uniform Ga distribution are provided to improve efficiency of a solar cell by minimizing a segregation phenomenon in the CIGS thin film. CONSTITUTION: A Cu-In-Ga-Se precursor thin film including a selenide compound having a covalent bond structure is formed on a substrate. The precursor thin film is heat-treated in selenization. A formation method of the precursor thin film is a deposition method by a sputtering method or a thermal evaporation. The sputtering method is performed by containing a target including selenium.

    Abstract translation: 目的:提供具有均匀Ga分布的CIGS(铜铟镓硒)薄膜的制造方法,以通过使CIGS薄膜中的偏析现象最小化来提高太阳能电池的效率。 构成:在基板上形成包含具有共价键结构的硒化合物的Cu-In-Ga-Se前体薄膜。 在硒化中对前体薄膜进行热处理。 前体薄膜的形成方法是通过溅射法或热蒸发的沉积方法。 通过含有包含硒的靶进行溅射法。

    고밀도를 갖는 CIS계 박막 제조방법
    82.
    发明公开
    고밀도를 갖는 CIS계 박막 제조방법 无效
    基于CIS的高密度复合薄膜的制备方法

    公开(公告)号:KR1020120131536A

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:KR1020110049768

    申请日:2011-05-25

    CPC classification number: H01L31/0322 H01L31/0749 Y02E10/541 Y02P70/521

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a CIS-based thin film is provided to obtain high efficiency using a CIS-based compound thin film as a light absorption layer of a thin film solar cell. CONSTITUTION: CIS-based compound nanoparticles are manufactured. The CIS-based compound nanoparticles are CIS compound nanoparticles, CIGS compound nanoparticles, or CZTS compound nanoparticles. Slurry is manufactured by mixing the CIS-based compound nanoparticles, a chelating agent, and solvents. A CIS-based compound thin film is formed by coating the CIS-based compound slurry. The CIS-based compound thin film is thermally processed.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造基于CIS的薄膜的方法,以使用基于CIS的复合薄膜作为薄膜太阳能电池的光吸收层来获得高效率。 构成:制造CIS基复合纳米粒子。 CIS基复合纳米粒子是CIS复合纳米粒子,CIGS复合纳米粒子或CZTS复合纳米粒子。 通过混合基于CIS的化合物纳米颗粒,螯合剂和溶剂制备浆料。 通过涂布基于CIS的复合浆料形成基于CIS的复合薄膜。 基于CIS的复合薄膜进行热处理。

    CIGS/CIS 나노입자의 셀렌화에 의한 치밀한 CIGSe/CISe 박막 제조방법
    83.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020120131535A

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:KR1020110049766

    申请日:2011-05-25

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a CIGSe/CISe thin film by the selenization of CIGS/CIS nano particles is provided to improve the efficiency of a solar cell by inducing the high densification of a CIGSe thin film due to lattice expansion. CONSTITUTION: Cu-In-Ga-S or Cu-In-S compound nano particles that are precursors are manufactured(S1). Slurry including precursor nano particles is manufactured(S2). A CIGS or CIS precursor thin film is formed by coating a substrate with the slurry(S3). The precursor thin film is dried(S4). The precursor thin film is thermally processed using vapor selenium(S5). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Is it a desirable thickness?; (CC) End; (S1) Manufacturing CIGS or CIS nanoparticles; (S2) Manufacturing CIGS or CIS nanoparticles based slurry; (S3) Coating slurry with a non-vacuum state; (S4) Drying; (S5) Thermal process with selenization and high temperature

    Abstract translation: 目的:提供通过CIGS / CIS纳米颗粒的硒化制造CIGSe / CISe薄膜的方法,以通过由于晶格扩展引起CIGSe薄膜的高致密度来提高太阳能电池的效率。 构成:制造作为前体的Cu-In-Ga-S或Cu-In-S复合纳米粒子(S1)。 制备包括前体纳米颗粒的浆料(S2)。 通过用浆料涂覆基材来形成CIGS或CIS前体薄膜(S3)。 将前体薄膜干燥(S4)。 使用蒸气硒对前体薄膜进行热处理(S5)。 (附图标记)(AA)开始; (BB)是否是期望的厚度? (CC)结束; (S1)制造CIGS或CIS纳米颗粒; (S2)制造CIGS或CIS纳米颗粒基浆料; (S3)非真空状态的涂布浆料; (S4)干燥; (S5)硒化和高温热处理

    태양전지 광흡수층용 CIS계 화합물 박막 제조장치
    85.
    发明授权
    태양전지 광흡수층용 CIS계 화합물 박막 제조장치 有权
    用于太阳能电池吸收层的CIS复合薄膜沉积装置

    公开(公告)号:KR101019639B1

    公开(公告)日:2011-03-07

    申请号:KR1020090007470

    申请日:2009-01-30

    CPC classification number: Y02E10/52 Y02P70/521

    Abstract: 본 발명은 태양전지 광흡수층용 CIS계 화합물 박막 제조장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 파이로미터를 이용하여 진공증착에 의해 박막이 형성되는 기판의 온도를 측정하도록 하되 상기 파이로미터를 밀폐된 히팅수단 몸체의 내부에 장착하여 기판 후면의 온도를 측정하도록 함으로써 증발되는 기체의 간섭없이 정확한 측정이 가능하도록 한 것이다. 또한, 비접촉에 의해 기판의 온도를 측정함으로 접촉에 따른 기판의 손상과 열손실을 방지할 수 있어 균일한 박막의 형성이 가능하도록 하는 태양전지 광흡수층용 CIS계 화합물 박막 제조장치에 관한 것이다.
    본 발명은 내측하부에 Cu,In,Ga,Se등의 원소를 내포하는 보트나 이퓨젼셀인 증발원이 설치된 진공챔버와, 상기 진공챔버의 내부에 장착되어 진공챔버의 증발물질이 내입되는 것을 방지하는 몸체와 상기 몸체의 하부면에 장착되어 기판을 안치하는 트레이와 상기 기판에 열을 가하는 열원을 구비한 히팅수단과, 상기 트레이에 안치되는 기판의 온도를 측정하는 기판온도측정장치와, 상기 기판온도측정장치로부터 측정된 신호를 입력받는 제어부를 포함하여 구성된 태양전지 광흡수층용 CIS계 화합물 박막 제조장치에 있어서, 상기 기판온도측정장치는 히팅수단의 몸체 내에 장착되어 기판 후면의 온도를 측정하는 파이로미터인 것을 특징으로 한다.
    또한, 상기 히팅수단의 열원은 환형으로 구성하고, 중심에는 온도측정통공을 형성하여 파이로미터에서 광조사와 반사된 광의 입사가 이루어지도록 할 수 있다.
    CIS계 태양전지, 기판, 온도측정, 박막, 파이로미터

    Abstract translation: 目的:提供CIS系统复合薄膜制造装置,通过防止由于接触导致的热损失和基板的损坏而形成均匀的薄膜。 构成:真空室(20)包括容纳诸如Cu,In,Ga的元件的舟皿。加热部件(30)包括主体,托盘和加热源。 高温计(40)测量放置在托盘中的基板的温度。 控制器接收从高温计测量的信号。 高温计安装在加热部件的主体内,并测量基板背面的温度。

    태양전지 패키지 및 태양전지 패키지의 제조방법

    公开(公告)号:KR20180046169A

    公开(公告)日:2018-05-08

    申请号:KR20160141091

    申请日:2016-10-27

    CPC classification number: H02S40/10 H01L31/049

    Abstract: 본발명은중기간또는단기간동안사용할수 있는간단한구조의태양전지패키지에관한것으로, 광전변환에의해전기에너지를생산하는태양전지셀; 상기태양전지셀의전면에위치하는전면밀봉시트; 및상기태양전지셀의후면에위치하는후면밀봉시트를포함하여구성되며, 상기후면밀봉시트에흡습제입자가분산되어있거나, 상기전면밀봉시트및 상기후면밀봉시트모두에흡습제입자가분산되어있고, 상기전면밀봉시트와상기후면밀봉시트가접착되어상기태양전지셀을밀봉하고있는것을특징으로한다. 본발명은, 흡습제입자가분산된밀봉시트를사용하여태양전지셀을밀봉함으로써, 밀봉시트만으로패키징한간단한구조임에도불구하고흡습제입자에의해서습기로부터태양전지셀을보호하여중기간또는단기간동안사용할수 있는태양전지패키지를제공할수 있는효과가있다.

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