公开(公告)号：KR101369166B1

公开(公告)日：2014-03-24

申请号：KR1020120076562

申请日：2012-07-13

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 윤재호 ,  곽지혜 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  박상현 ,  박희선 ,  최성우

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541

Abstract: 본발명은기판의 Na의농도가낮아서 CIGS 광흡수층의공핍층이얇은경우에태양전지효율을향상시킬수 있는 CIGS 광흡수층을형성하는방법에관한것으로, 3단계의동시진공증발법에의하여태양전지용 CIGS 광흡수층을형성하는방법으로서, In과 Ga 및 Se을동시에증발시켜증착하는제1단계; Cu와 Se를동시에증발시켜증착하는제2단계; In과 Ga 및 Se를동시에증발시켜증착하는제3단계;를포함하여구성되며, 상기제1단계에서 Ga을증발시켜공급하는양이, 상기제3단계에서 Ga를증발시켜공급하는양보다많은것을특징으로한다. 본발명의다른형태에의한 CIGS 태양전지는, 기판; 상기기판위에형성된전극층; 및상기전극층위에형성된 CIGS 광흡수층을포함하여구성되며, 상기전극층과상기 CIGS 광흡수층의계면에서의 Ga/(In+Ga)의비율이 0.45 이상인것을특징으로한다. 본발명은, 3단계동시진공증발법으로 CIGS 광흡수층을형성하는과정에서제1단계의 Ga 증발량을늘림으로써, Na의농도가낮은기판위에형성되어공핍층의깊이가깊은 CIGS 태양전지의효율을향상시키는효과가있다.

公开(公告)号：KR1020140026678A

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：KR1020120091874

申请日：2012-08-22

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 안세진 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  조준식 ,  박상현 ,  어영주 ,  유진수 ,  박주형

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a CIGS thin film which does not require an additional Se supply during rapid thermal processing (RTP), by performing the rapid thermal processing after forming a Cu-In-Ga-Se precursor thin film containing a Se component. Specifically, the method for manufacturing a CIGS thin film comprises the steps of forming a Cu-In-Ga-Se precursor thin film containing selenium in a substrate (step a); and performing rapid thermal processing to the precursor thin film formed in step a at a temperature exceeding 400°C and below 600°C and at a pressure of 1 to 760 torr for 1 to 30 minutes (step b). The present invention allows the precursor thin film to contain a sufficient amount of Se in itself in the process of manufacturing the CIGS precursor thin film. Therefore the precursor thin film does not require an additional Se supply during the rapid thermal processing, thereby minimizing loss of Se from controlling the rapid thermal processing conditions and providing a high crystalline CIGS thin film.

Abstract translation: 本发明涉及一种在快速热处理（RTP）中不需要额外的Se供应的CIGS薄膜的制造方法，其特征在于，在形成含有Cu-In-Ga-Se前体薄膜的Cu-In-Ga-Se前体薄膜之后进行快速热处理 Se组件。 具体地说，制造CIGS薄膜的方法包括以下步骤：在衬底中形成含有硒的Cu-In-Ga-Se前体薄膜（步骤a）。 对步骤a中形成的前体薄膜，在超过400℃，600℃以下，1〜760托的压力下进行1〜30分钟的快速热处理（步骤b）。 本发明允许前体薄膜在制造CIGS前体薄膜的过程中本身含有足够量的Se。 因此，前体薄膜在快速热处理期间不需要额外的Se供应，从而使得Sn的损失最小化以控制快速热处理条件并提供高结晶CIGS薄膜。

公开(公告)号：KR101367760B1

公开(公告)日：2014-02-28

申请号：KR1020120010638

申请日：2012-02-02

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 어영주 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  신기식 ,  곽지혜 ,  안세진 ,  안승규 ,  조준식 ,  유진수 ,  조아라 ,  박상현 ,  박주형

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0326 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막에 개시된다. 본 발명의 CI(G)S계 박막의 제조방법은, CI(G)S계 나노입자를 제조하는 단계(단계 a); CI(G)S계 나노입자와 녹는점이 30~400℃ 범위에 있는 플럭스를 포함하는 슬러리를 제조하는 단계(단계 b); 슬러리를 기판에 비진공 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 c); CI(G)S계 전구체 박막을 건조시키는 단계(단계 d); 및 CI(G)S계 전구체 박막을 셀레늄증기를 이용하여 셀렌화 열처리하는 단계(단계 e); 를 포함한다. 이에 의하여, 종래 CI(G)S계 박막의 형성에서보다 낮은 온도로 셀렌화 열처리가 가능하여 제조비용을 절감하면서도, 낮은 온도에서도 박막 내 결정성장이 충분히 이루어질 수 있다.

公开(公告)号：KR1020140021841A

公开(公告)日：2014-02-21

申请号：KR1020120087925

申请日：2012-08-10

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 조아라 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  박상현 ,  박주형

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03923 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: Provided are a manufacturing method of a CI(G)S thin film capable of reducing the carbon layer formed between a CI(G)S thin film and molybdenum by using slurry manufactured by mixing two or more kinds of binary nano-particles, a precursor solution including CI(G)S elements, an alcoholic solvent, and a chelating agent. Specifically, the manufacturing method of a CI(G)S thin film according to the present invention includes: a step of producing slurry by mixing two or more kinds of binary nano-particles, a precursor solution including CI(G)S elements, an alcoholic solvent, and a chelating agent; a step of forming a CI(G)S thin film by non-vacuum-coating the slurry; and a step of selenic-thermal-treating the formed CI(G)S thin film.

Abstract translation: 提供了一种通过使用通过混合两种或更多种二元纳米颗粒制备的浆料，能够减少在CI（G）S薄膜和钼之间形成的碳层的CI（G）S薄膜的制造方法，前体 溶液，包括CI（G）S元素，醇溶剂和螯合剂。 具体地说，根据本发明的CI（G）S薄膜的制造方法包括：通过混合两种或更多种二元纳米颗粒，包含CI（G）S元素的前体溶液， 醇溶剂和螯合剂; 通过非真空涂覆浆料形成CI（G）S薄膜的步骤; 以及对形成的CI（G）S薄膜进行硒热处理的步骤。

公开(公告)号：KR101339874B1

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：KR1020120066111

申请日：2012-06-20

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 윤재호 ,  곽지혜 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  박상현 ,  조준식 ,  유진수 ,  박주형 ,  어영주

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0725 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a double grading CZTS thin film. The method for manufacturing a double grading CZTS thin film includes a step for forming a backside electrode; and a step for forming a CZTS-based thin film. The present invention improves the efficiency of a solar cell by increasing electron mobility.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造双重分级CZTS薄膜的方法。 双级分CZTS薄膜的制造方法具有形成背面电极的工序， 以及形成CZTS系薄膜的工序。 本发明通过增加电子迁移率来提高太阳能电池的效率。

公开(公告)号：KR101334055B1

公开(公告)日：2013-11-29

申请号：KR1020120030083

申请日：2012-03-23

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 안승규 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  조준식 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  조아라 ,  유진수 ,  박상현 ,  박주형 ,  어영주

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에 텍스처층을 형성하는 단계; 상기 텍스처층에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 텍스처층에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 텍스처층; 상기 텍스처층 위에 형성된 후면전극; 상기 후면 전극 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극을 포함하여 구성되고, 상기 텍스처층 표면의 텍스처 구조에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되며, 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처 구조가 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명은 전면텍스처와 텍스처층의 2중 텍스처 구조를 구비하여 광포획 성능을 크게 증가시킴으로써, 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020130071055A

公开(公告)日：2013-06-28

申请号：KR1020110138361

申请日：2011-12-20

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 곽지혜 ,  윤재호 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  정성훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  박상현

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: CZTSe group thin film manufactured by manufacturing method of a CZTSe group and method thereof for a solar cell are provided to uniform element distribution by minimizing loss and phase separation of Sn. CONSTITUTION: Cu, Zn, Sn and Se are deposited on a substrate according to a co-evaporation process. Cu and Se are additionally deposited on the thin film. The additional deposition of Cu and Se is performed at substrate temperature of 150 to 320°C. Se is additionally deposited on the thin film at high temperature condition. The additional deposition of Se is performed at substrate temperature of 400 to 600°C.

Abstract translation: 目的：通过CZTSe组的制造方法制造的CZTSe组薄膜及其太阳能电池的方法通过使Sn的损耗和相分离最小化来提供均匀的元件分布。 构成：根据共蒸发方法将Cu，Zn，Sn和Se沉积在基底上。 Cu和Se另外沉积在薄膜上。 Cu和Se的附加沉积在150至320℃的衬底温度下进行。 Se在高温条件下另外沉积在薄膜上。 Se的附加沉积在400至600℃的衬底温度下进行。

公开(公告)号：KR101149474B1

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020100026938

申请日：2010-03-25

Applicant: 한국에너지기술연구원 ,  아주대학교산학협력단

Inventor： 윤경훈 ,  김승주 ,  정재훈 ,  곽지혜 ,  윤재호 ,  안세진 ,  신기식 ,  조아라

IPC: B01J13/00 ,  C01B19/00 ,  C09D1/00 ,  H01L31/0445

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은 IB-IIIA-VIA족원소로구성되는 CIS계화합물의합성에필요한적정조성의원소분말과특정용매에대해용액상볼밀법을수행함으로써제조되는것을특징으로하는 CIS계콜로이드용액의제조방법, 상기 CIS계콜로이드용액을열처리하여제조되는것을특징으로하는 CIS계화합물나노분말의제조방법및 상기 CIS계콜로이드용액을기판상에코팅하여제조되는것을특징으로하는태양전지광흡수층 CIS계화합물박막의제조방법에관한것이다. 본발명에따라태양전지광흡수층 CIS계화합물박막을제조하는경우 CIS계화합물박막의제조에필요한원소분말을그대로사용하여효율저하의원인이되는잔여물이남지않고, 균일한정방정계결정구조를갖는태양전지광흡수층 CIS계화합물박막을비진공방식으로제조할수 있다.

公开(公告)号：KR1020110107673A

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：KR1020100026938

申请日：2010-03-25

Applicant: 한국에너지기술연구원 ,  아주대학교산학협력단

Inventor： 윤경훈 ,  김승주 ,  정재훈 ,  곽지혜 ,  윤재호 ,  안세진 ,  신기식 ,  조아라

IPC: B01J13/00 ,  C01B19/00 ,  C09D1/00 ,  H01L31/0445

CPC classification number: Y02E10/50 ,  B01J13/00 ,  C01B19/00 ,  C09D1/00 ,  H01L31/042

Abstract: 본 발명은 IB-IIIA-VIA족 원소로 구성되는 CIS계 화합물의 합성에 필요한 적정 조성의 원소 분말과 특정 용매에 대해 용액상 볼밀법을 수행함으로써 제조되는 것을 특징으로 하는 CIS계 콜로이드 용액의 제조방법, 상기 CIS계 콜로이드 용액을 열처리하여 제조되는 것을 특징으로 하는 CIS계 화합물 나노분말의 제조방법 및 상기 CIS계 콜로이드 용액을 기판 상에 코팅하여 제조되는 것을 특징으로 하는 태양전지 광흡수층 CIS계 화합물 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 태양전지 광흡수층 CIS계 화합물 박막을 제조하는 경우 CIS계 화합물 박막의 제조에 필요한 원소 분말을 그대로 사용하여 효율 저하의 원인이 되는 잔여물이 남지 않고, 균일한 정방정계 결정구조를 갖는 태양전지 광흡수층 CIS계 화합물 박막을 비진공 방식으로 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR101038439B1

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：KR1020080074737

申请日：2008-07-30

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 한근희 ,  최원길 ,  조아라 ,  이종섭 ,  민병무 ,  남성찬 ,  박성영 ,  정영철 ,  임석연 ,  이상인 ,  염경민 ,  박종호 ,  류우정

IPC: B01D53/24 ,  B01D53/00

Abstract: 본 발명은 이산화탄소 분리 시스템에 사용되는 이산화탄소 분리용 볼텍스 튜브 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 연소가스 내의 이산화탄소 분리효율을 향상시킬 수 있는 이산화탄소 분리용 볼텍스 튜브 장치에 관한 것이다.
본 발명에 의한 이산화탄소 분리용 볼텍스 튜브 장치는, 연소가스를 공급하는 공급관; 상기 공급관의 일측에 설치되어 흡수제를 상기 연소가스에 분사하는 흡수제 분사부; 상기 공급관을 통해 공급되는 연소가스에 볼텍스를 발생시키는 볼텍스 발생부; 상기 볼텍스 발생부의 일단과 소통하고, 그 단부에 고온출구를 가진 제1튜브; 상기 볼텍스 발생부의 타단과 소통하고, 그 단부에 저온출구를 가진 제2튜브; 및 상기 제1튜브의 고온출구에 배치된 이산화탄소 분리부를 포함한다.
이산화탄소, 분리, 볼텍스, 튜브, 연소가스