Abstract:
PURPOSE: A device for measuring neutron and gamma ray using single sensor is provided to enhance the reliability of signal detection by decreasing measuring error by glitch signals by arranging a digital filtering unit on a digital signal processing unit. CONSTITUTION: A device for measuring neutron and gamma ray using single sensor comprises a PIN diode sensor(1), a current pulse detecting unit(2), a static current output unit(3), a signal processing unit(4), and a control unit(5). The PIN diode is used for measure radiation. The current pulse detecting unit detects pulse-type current due to ionization proportional to the energy of gamma rays using single PIN diode sensor. The static current output unit senses the voltage across the diode increasing due to current limit effect by the damage to a grating structure when forward static current is applied as the PIN diode sensor reacts with neutron.
Abstract:
3차원 공간 내 평면 각각에 배치되어 감마 방사선을 검출하는 복수의 탐지 센서와, 상기 감마 방사선의 검출에 따라 상기 탐지 센서에서 출력하는 전류 펄스를 식별하고, 상기 식별된 전류 펄스가 임계 레벨 이상인지 여부를 확인하고, 상기 확인 결과를 포함하여 상기 탐지 센서에 대한 감지 정보를 생성하는 감지 정보 생성부, 및 상기 생성된 감지 정보에 기초하여, 상기 감마 방사선이 입력되는 방향을 예측하는 방향 예측부를 포함하는 전 방향 감마 방사선 검출을 통한 핵폭발 발생 및 방향 고속탐지 기능을 가진 핵폭 경보기 및 그 구현 방법이 개시된다. 핵폭발. 감마(Gamma) 방사선, NA(Nuclear Alarm), 크로우바 회로(Crowbar circuit)
Abstract:
PURPOSE: A sensor for simultaneously measuring radiation and gas and a manufacturing method thereof are provided to measure the concentration of hydrogen through an electric potential difference and to manufacture a sensor able to be used stably under high temperature. CONSTITUTION: A sensor for simultaneously measuring radiation and gas comprises a semiconductor substrate(100), a first electrode(200), an oxide layer(300), a catalytic metal electrode(400), and a second electrode(500). The first electrode is formed on one side of the semiconductor substrate. The oxide layer is an insulator which is formed on the other side of the semiconductor substrate. The catalytic metal electrode is formed out of gas adsorption metal on the oxide layer. The second electrode is formed on the other side of the semiconductor substrate.
Abstract:
본 발명은 다수개의 반도체 방사선 센서를 이용한 이동형 방사선 선량계에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 신호인출전극면이 각각 서로 다른 방향을 향하도록 배치된 다수개의 반도체 방사선 센서와, 상기 다수개의 반도체 방사선 센서에서 각각 출력되는 신호를 수집하여 분석하는 신호처리기가 구비되어, 방사선 선량과 방사성 동위원소의 종류는 물론, 방사성 동위원소가 위치한 방향까지도 효과적으로 감별 할 수 있는 방사선 선량계에 관한 것이다. 본 발명에 따른 이동형 방사선 선량계는, 신호인출전극면이 각각 서로 직교하는 네 방향을 순차적으로 가리킬 수 있도록 '+' 형태로 배치된 네 개의 제1 내지 제4 반도체 방사선 센서와, 신호인출전극면이 상기 제1 내지 제4 반도체 방사선 센서가 이루는 평면에 수직인 방향을 가리키도록 상기 평면의 일측 중심부에 구비되는 제5 반도체 방사선 센서 및 상기 제1 내지 제5 반도체 방사선 센서와 연결되어, 상기 제1 내지 제5 반도체 방사선 센서에서 각각 출력되는 신호를 수집하여 분석하는 신호처리기를 포함하여 구성되되, 상기 제1 내지 제5 반도체 방사선 센서는 각각, 방사선에 반응하는 반도체부와, 상기 반도체부의 일측에 구비되는 양전극 및 상기 반도체부의 타측에 구비되어, 방사선 감지 신호를 상기 신호처리기로 출력하는 신호인출전극으로 구 성되어, 상기 신호처리기를 통해 상기 제 1 내지 제5 반도체 방사선 센서에서 각각 일정 시간 출력되는 신호의 크기를 스펙트럼 분석하여 상기 각 출력 신호에 대한 피크 카운트를 비교함으로써, 방사선이 입사되는 방향을 판별하는 것을 특징으로 하는 다수개의 반도체 방사선 센서를 이용한 이동형 방사선 선량계를 제공한다. 방사선 센서, 방사선 선량계, 이동형, 방사성 동위원소, CZT, CdTe
Abstract:
본 발명은 핵폭발 등 고준위 순간 방사선(Dose Rate, DR)이 발생할 경우 이를 감지하여 스스로 작동하여 피폭된 방사선량(Total Integrated Dose, TID)을 측정하고 동시에 그 측정값을 원격의 호스트 컴퓨터로 정보를 전송하는 자동 작동 방사선량 측정센서(An Auto Activated Dose Keeper)에 관한 것으로, 그 목적은 핵폭발의 발생 여부와 피폭 방사선량의 정보를 실시간으로 알려주는 자동 작동 기능의 원격 방사선량 측정장치를 제공하는데 있다. 본 발명의 구성은 핵폭발 탐지 및 알림용 센서에 있어서, 핵폭발 등 고준위 순간 방사선의 발생을 외부 전원의 인가가 없는 상태에서 스스로 탐지하여 방사선으로 인한 광전류(Photo Current)를 발생시키는 핀 다이오드(PIN Diode)부와,핀 다이오드부에서 발생된 전류에 의해 주전원 스위칭을 위한 전압 신호로 변환하는 신호변환부로 이루어진 방사능신호 자동감지 모듈과; 방사능신호 자동감지 모듈의 신호변환부로부터'on' 신호가 입력되면 방사능 피폭정보 확인 모듈에 주전원을 공급하는 주전원 스위칭부 및 전원을 공급하는 주전원 배터리부와, 주전원 유지 신호 발생, 정전류 발생부에 데이터 출력, A/D 변환 결과 처리, RF 신호 발생부에 데이터 출력 등을 제어하는 제어부와, MOSFET 방사선 피폭량 측정센서로부터 방사선 정보를 읽어내는데 필요한 전기신호를 발생시키는 정전류 발생부와, 누적 방사선량을 실시간 기록하는 MOSFET 방사선 피폭량 측정센서와, MOSFET 방사선 피폭량 측정센서의 MOSFET 출력신호인 아날로그 신호를 디지 털 정보로 변환하는 A/D 변환부와, 누적 방사선량값을 RF 신호의 형태로 외부로 무선 출력하는 RF 신호출력부로 이루어진 방사능 피폭정보 확인 모듈;로 구성된 것을 그 기술적 사상의 특징으로 한다. 핵폭발, 방사선량, 원격 측정, Radio Frequency(RF), pMOSFET, 반도체, 방사선측정기