방사선 에너지 스펙트럼 측정 및 동위원소 분석용 키트
    1.
    发明公开
    방사선 에너지 스펙트럼 측정 및 동위원소 분석용 키트 无效
    用于辐射能量光谱测量和辐射光谱分析的辐射光谱仪

    公开(公告)号:KR1020110092841A

    公开(公告)日:2011-08-18

    申请号:KR1020100012499

    申请日:2010-02-10

    CPC classification number: G01T1/366 G01T1/1603 G01T1/185 G01T1/24

    Abstract: PURPOSE: A kit for radiation energy spectrum measurement and isotope analysis is provided to enable even unskilled users to easily measure radiation energy and analyze isotopes. CONSTITUTION: A kit for radiation energy spectrum measurement and isotope analysis comprises a radiation sensor part(120), a small signal amplifier(130), a main amplifier(140), a multichannel analyzer(150), and a DC converter(160). The radiation sensor part detects the radiation of a sample. The small signal amplifier processes and amplifies a small analog signal received from the radiation sensor part. The main amplifier processes and amplifies the analog signal received from the small signal amplifier into the Gaussian wave form. The multichannel analyzer is embedded with an analog digital converter which converts the signal received from the main amplifier into the digital signal. The DC converter provides power.

    Abstract translation: 目的:提供用于辐射能谱测量和同位素分析的试剂盒,使即使不熟练的用户能够轻松测量辐射能量和分析同位素。 构成:用于辐射能谱测量和同位素分析的套件包括辐射传感器部分(120),小信号放大器(130),主放大器(140),多通道分析器(150)和DC转换器(160) 。 辐射传感器部分检测样品的辐射。 小信号放大器处理和放大从辐射传感器部分接收的小的模拟信号。 主放大器将从小信号放大器接收的模拟信号处理并放大为高斯波形。 多通道分析仪嵌有一个模拟数字转换器,将从主放大器接收的信号转换为数字信号。 DC转换器提供电源。

    저속 및 고속 중성자 측정 센서장치, 이를 포함한 시스템 및 이들을 이용한 저속 및 고속 중성자 측정 방법
    2.
    发明授权
    저속 및 고속 중성자 측정 센서장치, 이를 포함한 시스템 및 이들을 이용한 저속 및 고속 중성자 측정 방법 有权
    用于测量热和快速中子的传感器装置,包括其的系统和使用这些测量的热和快速中子的方法

    公开(公告)号:KR101017764B1

    公开(公告)日:2011-02-28

    申请号:KR1020080089247

    申请日:2008-09-10

    Abstract: 중성자 선속을 측정하는 중성자 측정 센서장치, 이를 포함하는 중성자 측정 시스템 및 이들을 이용하여 에너지 영역별 중성자 선량을 측정하는 중성자 측정 방법에 있어서, 저속 및 고속 중성자 동시 측정 센서장치, 이를 포함하는 저속 및 고속 중성자 동시 측정 시스템 및 방법이 제시된다. 본 발명에 따른 저속 및 고속 중성자 측정 시스템은 저속 및 고속 중성자 측정 센서장치, 상기 센서장치로부터 측정된 중성자 신호를 처리하는 신호 처리 장치 및 상기 신호 처리 장치를 통과한 중성자 신호를 개수화하여 표시하는 표시장치를 포함하고, 상기 저속 및 고속 중성자 측정 센서장치는 고속 중성자 선량을 측정하는 제1 센서부, 저속 및 고속 중성자 선량을 측정하는 제2 센서부, 상기 제2 센서부를 둘러싸고 있으며 상기 저속 중성자와 반응하는 중성자 전환부 및 상기 제1 센서부 및 상기 제2 센서부에서 얻어진 신호의 차이를 바탕으로 저속 중성자 신호를 추출하는 저속 중성자 추출부를 포함하여, 무전력 또는 저전력으로 에너지 영역별 저속 및 고속 중성자 선량을 동시에 측정한다. 본 발명에 따른 저속 및 고속 중성자 측정 센서장치, 이를 포함한 시스템 및 이들을 이용한 방법에 의하면, 중성자의 측정에 따른 시간 지연이 없는 고속 신호 처리 특성을 가질 뿐 아니라 전체 장치 및 시스템을 소형화할 수 있는 효과가 있다.
    저속 중성자, 고속 중성자, 측정, 중성자 전환 물질, 반도체.

    고방사선 환경 상압 무전원 핵물질 측정 장치
    3.
    发明公开
    고방사선 환경 상압 무전원 핵물질 측정 장치 有权
    用于空气中高放射性环境的自偏心核材料检测装置

    公开(公告)号:KR1020090079628A

    公开(公告)日:2009-07-22

    申请号:KR1020080005749

    申请日:2008-01-18

    CPC classification number: G01T1/24 H01L27/14 Y10S250/02

    Abstract: An atmospheric powerless nuclear material measuring device of a high radiation environment is provided to perform the inspection on the field without a special sensor and a separate vacuum unit. An atmospheric powerless nuclear material measuring device of a high radiation environment comprises a sensor unit(100), an amplifier(200), a signal processing unit and a controller(300). The sensor unit includes: an ion incidence window in which the alpha ray is income; a semiconductor sensor converting the alpha ray incoming through the ion incidence window into an electric signal; and a vacuum supporting structure sealing the space between the semiconductor sensor and the ion incidence window hermetically to maintain the vacuum condition. The amplifier amplifies the output signal of the sensor unit. The signal processing unit and the controller calculate the intensity and frequency of the output signal of the amplifier.

    Abstract translation: 提供高辐射环境的大气无能的核材料测量装置,无需专门的传感器和独立的真空装置即可在现场进行检查。 具有高辐射环境的大气无力核材料测量装置包括传感器单元(100),放大器(200),信号处理单元和控制器(300)。 传感器单元包括:离子入射窗口,其中α射线是收入; 将通过离子入射窗入射的α射线转换为电信号的半导体传感器; 以及密封半导体传感器和离子入射窗之间的空间的真空支撑结构,以保持真空状态。 放大器放大传感器单元的输出信号。 信号处理单元和控制器计算放大器的输出信号的强度和频率。

    방사선원을 이용한 임의 형상 구조물의 비파괴 검사장치
    4.
    发明授权
    방사선원을 이용한 임의 형상 구조물의 비파괴 검사장치 失效
    一种使用辐射源的任意形状结构的无损检测装置

    公开(公告)号:KR100907240B1

    公开(公告)日:2009-07-10

    申请号:KR1020070140210

    申请日:2007-12-28

    Abstract: 본 발명은 배관 등 임의 형상 구조물에 대하여 방사선원을 이용하여 그 구조적 결함 여부를 비파괴적으로 측정할 수 있는 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 입사 방사선에 대응하는 광을 발생시키는 다수개의 방사선센서와, 투명 소재로 이루어진 다수개의 광투과체가 각각 하나씩 서로 번갈아가며 배열되어 선형으로 구성되는 센서부와; 상기 센서부와 대향하는 위치의 구조물 내부 또는 외부에서 측정 방향을 따라 이동 가능하도록 구비되는 방사선원;으로 구성되어, 방사선원으로부터 조사되어 구조물을 통과한 방사선이 각 방사선센서에 입사됨에 따라 각 방사선센서에서 발생되는 광을 방사선센서의 위치에 따라 변동하는 광신호로 수집하여 분석함으로써, 공간적인 제약으로 인해 비파괴 검사가 난해한 구조물의 내부 구조를 용이하게 판별할 수 있는 비파괴 검사장치에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 비파괴 검사장치는, 구조물의 표면에 밀착되어 일방향으로 연장되도록 구비되어, 입사된 방사선을 감지하여 광신호를 발생시키는 센서부와; 방사선을 발생시키는 방사선원과; 구조물을 사이에 두고 상기 센서부의 반대측에서, 상기 센서부가 연장된 방향과 평행하게 상기 방사선원을 이송시키는 방사선원 유도장치와; 상기 센서부의 일단에 형성된 신호인출단에 광인출선으로 연결되어 상기 센서부로부터 출력되는 광신호를 수집하는 신호수집부;를 포함하여 구성되되, 상기 센서부는, 입사 방사선에 대응하는 광을 발생시키는 다수개의 방사선센서와, 투명 소재로 이루어진 다수개의 광투과체가 각각 하나씩 서로 번갈아가며 배열되어 구성되는 점을 특징으로 한다.
    비파괴 검사, 방사선원, 광자극형광, 섬광체, 배관, 결함

    방사선 측정장치 및 방법
    5.
    发明公开
    방사선 측정장치 및 방법 无效
    用于测量辐射的装置和方法

    公开(公告)号:KR1020080060055A

    公开(公告)日:2008-07-01

    申请号:KR1020060134127

    申请日:2006-12-26

    CPC classification number: G01T1/185 G01T1/08

    Abstract: An apparatus and a method for measuring radiation are provided to monitor changes in radiation amount according to time even from a distance and to minimize the time and workforce for radiation measurement. An apparatus for measuring radiation includes an ion chamber(20) and a gas supply(30). The ion chamber has a sealed space in which a main electrode and a guide electrode are installed. The main electrode is connected to a power supply, collects data generated by ionization of gas in the ion chamber when radiation is applied to the ion chamber from the outside, and calculates a level of the radiation based on the data. The guide electrode is arranged apart from the main electrode and removes noise among signals collected by the main electrode. The gas supply selectively is coupled to the ion chamber in one body and supplies gases to the sealed space of the ion chamber.

    Abstract translation: 提供了一种用于测量辐射的装置和方法,用于根据时间甚至距离监测辐射量的变化,并最小化辐射测量的时间和劳动力。 用于测量辐射的装置包括离子室(20)和气体供应(30)。 离子室具有密封空间,其中安装有主电极和引导电极。 主电极连接到电源,当从外部向离子室施加辐射时,收集由离子室中的气体离子化产生的数据,并根据数据计算辐射水平。 引导电极与主电极分开设置,消除由主电极收集的信号之间的噪声。 气体供应选择性地耦合到一体内的离子室,并将气体供应到离子室的密封空间。

    이온빔 주입에 의한 기체 차단막이 형성된 고분자 필름 및그 제조방법
    6.
    发明授权
    이온빔 주입에 의한 기체 차단막이 형성된 고분자 필름 및그 제조방법 有权
    通过离子束照射制备聚合物阻气层的方法

    公开(公告)号:KR100710822B1

    公开(公告)日:2007-04-24

    申请号:KR1020060062035

    申请日:2006-07-03

    Abstract: 본 발명은 고선도 유지 및 장기 보존이 가능한 식품, 의약품 등의 포장재로 뿐 아니라 디스플레이용 플라스틱 기판에서 사용될 수 있도록 기체 차단 막 역할을 하는 일정한 층이 형성된 기능성 고분자 필름 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 제논, 크립톤, 알곤, 질소, 헬륨, 수소의 각종 기체 이온과 금속 이온에서 선택된 하나 이상의 이온을 이온원으로부터 진공상태에서 고분자 재료 표면에 일정한 주입 에너지로 상기 선택된 한 종류 이상의 이온을 주입하여 단층, 겹층 또는 다층으로 기체 차단 막을 형성하여 얻어짐을 특징으로 한다.
    상기와 같이 구성되는 본 발명은 종래의 기술에서 문제시되고 있는 무기박막과 플라스틱 필름 표면간의 박리 현상이 일어나지 않고, 높은 빛 투과도를 나타내면서도 기체 차단 정도가 높고, 또한 표면경도가 향상된 기체 차단 막이 형성된 고분자 필름을 제공하여 선도도 유지와 장기보존이 가능한 기능성 포장재와 액정 디스플레이(LCD), 유기 EL등의 디스플레이와 유기박막트랜지스터(OTFT)와 같은 전자소자에 사용되는 기체 투과 방지 막 필름에 유용하게 사용될 수 있는 유용한 발명이다.
    기체 차단막, 이온 주입

    이온빔 주입에 의한 정전기방지용 기능성 필름 및 그제조방법
    7.
    发明公开
    이온빔 주입에 의한 정전기방지용 기능성 필름 및 그제조방법 失效
    通过注射离子束具有耐久性,高强度和静态分散性的抗静电功能膜及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020050000666A

    公开(公告)日:2005-01-06

    申请号:KR1020030041136

    申请日:2003-06-24

    Abstract: PURPOSE: An antistatic functional film is provided by irradiating ion beams on the surfaces of a film, which has endurance, high strength, and a static dispersion property and is used for packing electronic parts, semiconductors, and daily necessaries. CONSTITUTION: The antistatic functional film is produced by irradiating the ion beams(7), generated from ion sources(6) mounted to the upper and lower parts, on the upper and lower surfaces of a film(3) under vacuum, wherein the film(3) is produced by laminating a polyethylene resin, a nylon resin, and the polyethylene resin in order. The produced film has a surface electric resistance of less than 10¬9ohm/sq.

    Abstract translation: 目的:通过在膜的表面上照射离子束来提供抗静电功能膜,其具有耐久性,高强度和静态分散性,并且用于包装电子部件,半导体和日用品。 构成:通过在真空下将安装在上部和下部的离子源(6)产生的离子束(7)照射在膜(3)的上表面和下表面上来制备抗静电功能膜,其中膜 (3)通过依次层压聚乙烯树脂,尼龙树脂和聚乙烯树脂来制造。 所生产的薄膜的表面电阻小于10欧姆/平方厘米。

    이온 조사에 의한 이용기 날의 표면처리 방법
    8.
    发明公开
    이온 조사에 의한 이용기 날의 표면처리 방법 有权
    通过离子辐射对头发剪刀的刀片表面处理方法

    公开(公告)号:KR1020030087844A

    公开(公告)日:2003-11-15

    申请号:KR1020020025926

    申请日:2002-05-10

    CPC classification number: C23C14/48 B26B19/044 C23C8/26 C23C8/38

    Abstract: PURPOSE: A surface treatment method of blade for hair clipper is provided to prevent dullness of the blade, remove grinding residues existing on the surface of the blade, reduce surface roughness of the blade and form very hard fine particles of Cr-N and Fe-N by irradiating nitrogen ion beam onto the edge of the blade at a certain angle. CONSTITUTION: The method comprises the step of forming nitride on the surface of the blade by slantly injecting ions into the blade to an angle of 30 to 60 degrees according to shape of the blade for hair clipper formed of stainless steel, the stainless steel is selected from the group consisting of SUS440A, SUS440B, SUS431, SUS420 and SUS304 which are ordinarily used as a material for the hair clipper blade, wherein nitrogen (N) alone or other ions including carbon (C) are simultaneously used as the ion, wherein the ion has the energy range of 50 to 300 keV, and wherein injection amount of the ion is 5x10¬16 to 5x10¬17 ions/cm¬2.

    Abstract translation: 目的:提供用于剪发刀片的表面处理方法,以防止刀片钝化,去除刀片表面存在的研磨残留物,降低刀片的表面粗糙度,形成非常硬的Cr-N和Fe- 通过以一定角度将氮离子束照射到叶片的边缘上。 构成:该方法包括以下步骤:根据由不锈钢形成的剪发器的刀片的形状,通过将离子倾斜地注入到叶片中将离子倾斜到30度至60度的角度,在叶片的表面上形成氮化物,选择不锈钢 从通常用作理发刀片材料的SUS440A,SUS440B,SUS431,SUS420和SUS304组成的组中,其中单独使用氮(N)或其他包含碳(C)的离子同时用作离子,其中, 离子具有50至300keV的能量范围,并且其中离子的注入量为5×10 16至5×10 17个/ cm 2。

    단결정 성장용 앰플 및 이를 포함하는 단결정 성장장치
    9.
    发明公开
    단결정 성장용 앰플 및 이를 포함하는 단결정 성장장치 有权
    用于生长单晶和单晶生长装置的装置

    公开(公告)号:KR1020110087411A

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:KR1020100006814

    申请日:2010-01-26

    Abstract: PURPOSE: An ample for a single crystal growth and an apparatus for single crystal growth including the same are provided to prevent the atomic ratio of a micro component from being changed by including a plurality of ample bodies forming continuous multi body type which is laminated each other. CONSTITUTION: A plurality of ample bodies(2) forms a continuous multi body type in which a sample(1) is stacked with multi layers to a single crystal growth direction. A same sample is arranged in a plurality of ample bodies. A plurality of ample bodies is formed with quartz. A single crystal sample is mounted in the ample, a heater(20) heats the ample. A driving unit(30) falls and lifts the ample or the heater to the single crystal growth direction. The ample is tacked in the plurality of ample bodies to the single crystal growth direction.

    Abstract translation: 目的:提供单晶生长的充分装置和包括其的单晶生长装置,以通过包括彼此层叠的多个形成连续多体型的多个体来防止微成分的原子比变化 。 构成:多个充足体(2)形成连续多体型,其中样品(1)以多层堆叠成单晶生长方向。 相同的样品被布置在多个充足的体中。 多个大体形成石英。 一个单一的晶体样品安装在充足的空气中,一个加热器(20)加热了。 驱动单元(30)将充电器或加热器提升到单晶生长方向。 在多个充足的物体中,充分地粘附到单晶生长方向。

    방사선 및 가스 동시 측정센서 및 이의 제조방법

    公开(公告)号:KR101052164B1

    公开(公告)日:2011-07-26

    申请号:KR1020080119159

    申请日:2008-11-27

    Abstract: 소형의 방사선 센서를 반도체 기술을 이용하여 제작하고, 동시에 가스 촉매금속을 이용하여 전위차를 통하여 가스인 수소의 농도를 측정할 수 있는 반도체 센서 기술을 이용한 방사선 및 가스 동시 측정센서 및 이의 제조방법이 제시된다. 본 발명에 따른 방사선 및 가스 동시 측정센서는 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 일 측면 상에 형성된 제1 전극, 상기 반도체 기판의 타 측면 상에 형성된 절연체인 산화막, 상기 산화막 상에 형성된 가스 흡착금속으로 구성된 촉매금속전극, 및 상기 반도체 기판의 타 측면 상에 형성된 제2 전극을 포함하고, 상기 반도체 기판으로 입사한 방사선 강도에 비례하는 전기적 신호가 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 의해 생성되어 방사선 강도를 측정하고, 상기 촉매금속전극에 흡착된 가스에 비례하는 전위차가 상기 산화막에 발생함으로써 가스 농도를 측정하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 방사선 및 가스 동시 측정센서 및 이의 제조방법에 의하면, 방사선과 수소를 동시에 측정할 수 있을 뿐만 아니라, 센서의 소형화가 가능하여 설치공간을 절약할 수 있는 효과가 있다.
    방사선, 가스, 수소, 측정, 백금, MOS, MOSFET

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