-
公开(公告)号：KR101034866B1
公开(公告)日：2011-05-17
申请号：KR1020080111444
申请日：2008-11-11
Applicant: 한국전기연구원
Abstract: 본 발명은 JFET이 적용된 전원공급장치의 보호회로에 관한 것으로서, 상시불통 특성을 가지는 릴레이와 상시개통 특성을 가지는 JFET 및 상기 JFET의 펄스폭변조를 제어하는 PWM 제어회로를 포함하는 전원공급장치 내에 보호회로가 구성되며, 상기 보호회로는 상기 JFET을 구동하기 위한 전압원을 공급하는 보조전원과, 상기 보조전원에서 공급되는 음전압의 크기를 판별하는 제너다이오드와, 포토다이오드에 소정의 전압이 인가되면 포토트랜지스터가 도통되는 포토커플러와, 상기 릴레이를 구동하기 위한 스위치트랜지스터와, 보호회로 내의 전압과 전류를 조절하는 다수개의 저항을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 구성되고 작용하는 본 발명의 JFET이 적용된 전원공급장치의 보호회로는 전원 투입시 발생하는 과전류로부터 JFET을 보호함과 동시에 상기 JFET 소자의 우수한 특성을 그대로 사용할 수 있는 장점이 있다.
또한, 전원장치에서 문제가 발생하였을 때 교류전원을 즉시 차단할 수 있으며, 부하의 사용량이 많지 않을 때 교류전원을 차단하여 대기전력도 절감할 수 있는 장점이 있다.
JFET, 보호회로, 제너다이오드, 포토커플러, 트랜지스터-
公开(公告)号：KR101028116B1
公开(公告)日：2011-04-08
申请号：KR1020080124716
申请日：2008-12-09
Applicant: 한국전기연구원
Abstract: 본 발명은 다수의 탄화규소 단결정을 동시에 성장시키는 장치에 관한 것으로서, 흑연도가니 상부에 다수의 탄화규소 단결정 종자정을 위치시키고, 상기 흑연도가니 하부에 탄화규소 분말을 위치시켜 하부와 상부 사이에 온도차가 발생하도록 하여 하부의 탄화규소 분말이 승화하여 상부의 탄화규소 단결정 종자정에서 재결정화되어 단결정을 성장시키는 탄화규소 단결정 성장을 위한 장치에 있어서, 상기 탄화규소 단결정 종자정과 탄화규소 분말 사이에 위치되고 상기 흑연도가니 외벽에 접촉형성되어 상기 탄화규소 단결정 종자정보다 고온을 유지하며, 상기 다수의 탄화규소 단결정 종자정에 대응되는 다수의 성장공간이 형성된 흑연성장틀이 구비된 것을 특징으로 하는 다수의 탄화규소 단결정 성장을 위한 장치를 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 탄화규소 단결정 종자정과 탄화규소 분말 사이에 상기 탄화규소 단결정 종자정에 대응되는 흑연성장틀을 형성시켜, 각각이 독립적인 탄화규소 단결정을 다량으로 얻을 수 있으며, 또한, 탄화규소 분말 내부와 탄화규소 분말과 탄화규소 단결정 종자정 사이의 기체에 비해 온도가 높아 전체적으로 비슷한 열분포를 갖도록 조절하여 각각의 종자정으로부터 성장되는 탄화규소 단결정은 대체로 균일한 온도와 온도 구배를 유지할 수 있어 균일한 특성을 갖는 탄화규소 단결정을 얻을 수 있으며, 또한, 흑연성장틀에 형성된 성장공간의 형상에 따라 탄화규소 단결정이 성장하게 되므로, 필요한 목적에 따라 다양한 형태의 단결정을 제조할 수 있는 이점이 있다.
단결정 승화법 흑연 성장틀 탄화규소 육각형 직경확대형-
公开(公告)号：KR1020100010324A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：KR1020080071249
申请日：2008-07-22
Applicant: 한국전기연구원
Abstract: PURPOSE: A circuit for protecting a depletion JEFT(Junction Field Effect Transistor) and a power supply unit using the same are provided to generate a negative voltage for switching operation of JFET by including a regulator. CONSTITUTION: A filter(310) remove a noise element of an input AC power(300). A bridge diode(320) rectifies an AC signal to a DC voltage. Two DC link capacitors(330,340) are charged with the DC voltage. A regulator protects the JFET from a rush current. The regulator generates the negative voltage for driving the JFET. A gate control signal generator generates a control signal for switching the JFET.
Abstract translation: 目的：提供用于保护耗尽JEFT（结型场效应晶体管）和使用其的电源单元的电路，以通过包括调节器来产生JFET的开关操作的负电压。 构成：滤波器（310）去除输入交流电源（300）的噪声元件。 桥式二极管（320）将AC信号整流为DC电压。 两个直流链路电容器（330,340）用直流电压充电。 稳压器保护JFET不受冲击电流的影响。 调节器产生用于驱动JFET的负电压。 门控制信号发生器产生用于切换JFET的控制信号。
-
公开(公告)号：KR1020090113964A
公开(公告)日：2009-11-03
申请号：KR1020080039693
申请日：2008-04-29
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L29/812 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/872
Abstract: PURPOSE: A fabrication method of a high voltage Schottky diode is provided to reduce the mask pattern forming for the ion implantation and mask removal process by forming simultaneously the junction length wall area and termination structure area. CONSTITUTION: The low concentration thin film layer(220) is formed on the substrate(210). The anode electrode(250) is formed at the upper part of the low concentration thin film layer. The P-type guard ring disperses the high electric field. The p-type grid(240) for forming the junction barrier area for protecting a device from the surge is formed to decrease the leakage current. The cathode electrode(200) is formed. The interval of the P-type guard ring is 1~3um.
Abstract translation: 目的：提供高电压肖特基二极管的制造方法，通过同时形成接合长度壁面积和端接结构面积来减少用于离子注入和掩模去除过程的掩模图案形成。 构成：在基板（210）上形成低浓度薄膜层（220）。 阳极电极（250）形成在低浓度薄膜层的上部。 P型保护环分散高电场。 形成用于形成用于保护装置免于浪涌的结阻挡区域的p型格栅（240），以减小漏电流。 形成阴极电极（200）。 P型保护环的间隔为1〜3um。
-
-
-
Search Results
84
records
(took 0.018 seconds)
