公开(公告)号：KR100592765B1

公开(公告)日：2006-06-26

申请号：KR1020040099904

申请日：2004-12-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심재엽 ,  강동민 ,  홍주연 ,  이진희 ,  윤형섭 ,  이경호

IPC: H01L21/336

Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 티형 게이트 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상부의 소정 영역이 노출되도록 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 노출된 상기 기판의 일부분이 노출되도록 상기 노출된 기판 및 상기 제1 감광막 패턴 상에 제2 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 결과물의 전체 상부면에 소정 두께의 금속층을 형성하는 단계와, 상기 제1,2 감광막 패턴 및 상기 제2 감광막 패턴의 상부에 형성된 금속층을 제거하는 단계를 포함함으로써, 종래의 티형 게이트 전극 형성 방법보다 간단한 공정을 통한 공정단가 절감과 공정 시간의 단축으로 생산성을 크게 증대시킬 수 있으며, 종래의 티형 게이트 전극 형성 방법보다 게이트 길이를 작게 할 수 있으므로 고주파 특성을 월등하게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
고전자 이동도 트랜지스터(HEMT), 티형 게이트, 전자빔 리소그라피, 광 리소그라피, 화합물 반도체

公开(公告)号：KR1020060058564A

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040097648

申请日：2004-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강동민 ,  홍주연 ,  심재엽 ,  이진희 ,  윤형섭 ,  이경호

IPC: H03B19/00

Abstract: 본 발명은 밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에 적용되는 주파수 체배기에 관한 것으로, 입력정합회로에 RC 병렬회로를 적용하여 높은 주파수 대역에서의 안정도 특성을 향상시키며, 게이트 바이어스 공급부의 저항값을 조절하여 낮은 주파수 대역에서의 안정도 특성을 향상시킨다. 또한, 출력정합회로의 출력단에 레이디얼-스터브(radial-stub)를 병렬로 연결하여 체배된 제 2 고조파(harmonic frequency)인 출력주파수(2fo)에 대해 입력주파수(fo)를 30dBc 이하로 억압시킨다. 밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에서 발진 주파수의 한계를 극복할 수 있으며, 77GHz 대역의 자동차 충돌 방지 레이다 시스템에 적용이 가능하다.
밀리미터파, 주파수 체배기, 정합회로, 병렬회로, 억압 특성