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公开(公告)号：KR100248081B1
公开(公告)日：2000-04-01
申请号：KR1019970045654
申请日：1997-09-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C23C14/34
Abstract: 본 발명은 입방정 구조의 YBa
2 Cu
3 O
x 박막 제조 방법에 관한 것으로, 특히 펄스레이저 증착법을 이용하여 고증착 속도로 입방정 구조의 YBa
2 Cu
3 O
x 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
YBa
2 Cu
3 O
x 박막은 산화물 기판 상에 스퍼터링법, 펄스레이저 증착법, 진공 증발 증착법 등을 이용하여 저증착 속도로 제조된다. 이 때 기판의 온도 및 유입되는 산소의 압력에 따라 YBa
2 Cu
3 O
x 박막의 결정 구조 및 배향성이 결정된다.
본 발명에서는 펄스레이저 증착법을 이용하여 초전도 물질의 박막 성장에 씨앗층과 조셉슨 접합소자의 장벽층 역할을 할 수 있는 입방정 구조의 YBa
2 Cu
3 O
x 박막을 고증착속도로 제조하는 방법을 제시한다.-
公开(公告)号：KR100233845B1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR1019960051780
申请日：1996-11-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L39/146 , H01L21/32058
Abstract: 본 발명은 쌍결정 입계접합 초전도 전계효과 소자 및 그 제조 방법에 관한것으로, 특히, PrBa
2 Cu
3 O7-
x 조성의 비초전도 박막, 소스와 드레인, 입계채널을 구성하는 YBa
2 Cu
3 O
7 -
x 조성의 초전도 박막, SrTiO
3 조성의 비정질 절연박막 게이트 및 Au 전극패드가 SrTiO
3 조성의 쌍결정 기판상부에 순차적으로 형성된 구조를 갖는 쌍결정 입계접합 초전도 전계효과 소자 및 그 제조 방법에 관한것이다.-
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公开(公告)号：KR1019980034539A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960052622
申请日：1996-11-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/316
Abstract: 본 발명은 화학조성이 복잡한 각종 산화물 박막을 가장 효율적으로 증착시키는 펄스 레이저 증착시 넓은 면적의 박막을 증착하기 위해 타깃 부착 방법을 변화시켜 대면적 박막을 증착할 수 있도록 한 대면적 산화물 박막용 레이저 증착 장치에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR100125293B1
公开(公告)日：1997-12-10
申请号：KR1019930024331
申请日：1993-11-16
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A fabrication method of superconductor band pass filter is provided to improve accuracy of patterns. The method comprises the steps of: forming a superconductor film(5) on LaAlO3 substrate(2) using PLD(pulse laser deposition) method; spin-coating a photoresist film on the superconductor film(5) and hard baking; milling the photoresist film and the superconductor film(5) using ECT(electron cyclotron resonance); removing an Ag-paste formed in rear of the substrate(2) and polishing; and forming an input/output terminals(3) in the rear surface of the substrate. Thereby, it is possible to improve accuracy of circuit pattern.
Abstract translation: 提供超导体带通滤波器的制造方法以提高图案的精度。 该方法包括以下步骤：使用PLD（脉冲激光沉积）方法在LaAlO 3衬底（2）上形成超导体膜（5）; 在超导薄膜（5）上旋转光刻胶膜并进行硬烘烤; 使用ECT（电子回旋共振）研磨光致抗蚀剂膜和超导膜（5）; 去除形成在基板（2）后面的Ag糊料并进行抛光; 以及在所述基板的后表面中形成输入/输出端子（3）。 由此，能够提高电路图案的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970054311A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950051468
申请日：1995-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/18
Abstract: 본 발명은 펄스레이저를 사용한 YBa
2 Cu
3 O
7-x 고온초전도 박막의 증착방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 펄스레이저를 상요한 YBCO 고온초전도 박막증착 방법은, 펄스레이저를 YBCO 고온초전도 소결체 타깃의 표면에 조사하여 기판에 고온초전도 박막을 증착하는 펄스레이저 박막증착 방법에 있어서, 상기한 YBCO 소결체 타깃을 연속회전시키면서, YBCO 소결체 타깃 표면에 조사되는 펄스레이저의 입사수, 입사율 및 입사 에너지 밀도를 제어함으로써 YBCO 소결체 타깃표면의 평탄화를 유지하여 고온초전도 박막을 증착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 YBCO 고온초전도 박막증착방법에 의하면, 표면입자밀도가 10
4 개／㎠ 이하로 대폭 감소되어, 포전도 특성이 보다 우수한 YBCO 고온초전도 박막을 형성할 수 있다는 것이 확인되었다.-
公开(公告)号：KR1019970006618B1
公开(公告)日：1997-04-29
申请号：KR1019930028482
申请日：1993-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A control method for the surface particle density of the YBA2CU3O7-X high temperature superconduction sheet using the pulse laser whereby the pressure of the deposit oxygen is changed and the shape of the expanded plume is circle.
Abstract translation: 使用脉冲激光的YBA2CU3O7-X高温超导片的表面粒子密度的控制方法，由此改变沉积氧的压力并且膨胀的羽流的形状是圆形。
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公开(公告)号：KR1019960019545A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940028974
申请日：1994-11-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/302 , H01L21/306
Abstract: 본 발명은 반도체 제조방법에 사용되는 이온빔 식각장치에 관한 것으로 특히 시편의 실시간 감지기능을 갖는 이온빔 식각장치에 대한 것이다. 종래의 이온빔 식각장치는 이온빔 발생기의 오염도나 진공장치내의 진공도 및 오염도에 의해 재현성 있는 이온빔 형성이 어렵고 원하는 식각깊이의 식각패턴을 재현성 있게 형성하는 것이 불가능하였다.
본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로서 이온빔 발생기와 시편고정 수단을 챔버에 착탈 가능하도록 형성하고 챔버내의 시편의 실시간 분석을 위해 질량분석기를 설치하여 이온빔의 상태를 안정적으로 유지시키며 재현성 있는 식각패턴을 형성하도록 하였다. -
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