公开(公告)号：CN1983478A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200510107398.X

申请日：2005-12-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： M·柳田 ,  原治也 ,  渡边康夫 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/638 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 一种电介质陶瓷组合物的制造方法，其特征在于：使用如下原料，该原料为使包含钛酸钡的主成分原料和包含R的氧化物(其中，R为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)的第4副成分原料的至少一部分预先反应的已反应原料。根据本发明，可以提供一种不使其它电特性(例如，静电电容的温度特性、绝缘电阻、绝缘电阻的加速寿命、介电损耗)恶化，可以提高介电常数的电介质陶瓷组成物及其制造方法。

公开(公告)号：CN1870191A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610099621.5

申请日：2006-04-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 室泽贵子 ,  宫内真理 ,  野口和则 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G13/00

Abstract: 一种制造具有内部电极层和厚度小于2μm的电介质层的积层陶瓷电子部件的方法。该方法具有烧结积层体的工序，所述积层体使用包含电介质糊料用电介质原料的电介质层用糊料和包含烧结抑制用电介质原料的内部电极层用糊料而形成。所述电介质层用糊料中的电介质糊料用电介质原料包含主成分原料和副成分原料，所述内部电极层用糊料中的烧结抑制用电介质原料至少包含烧结抑制用主成分原料。该烧结抑制用主成分原料与在所述电介质糊料用电介质原料所含的主成分原料是基本上相同的组成体系，而且具有超过3.991而小于4.064的晶格常数。

公开(公告)号：CN1848317A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610084042.3

申请日：2006-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅田裕二 ,  上田智子 ,  藤川佳则 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468

Abstract: 多层陶瓷电容器1，其具有以钛酸钡或钛酸钡钙为主成分的电介质层2。在电介质层是钛酸钡的情况下，在形成电介质层2的多个电介质粒子20中，相邻的电介质粒子20间存在的晶粒界面22的厚度为1nm或以下的粒子比例为全部的30％－95％。在电介质层2是钛酸钡钙的情况下，在形成电介质层2的多个电介质粒子20中，相邻的电介质粒子20间存在的晶粒界面22的厚度为1nm或以下的粒子比例为全部的20％－70％。

公开(公告)号：CN1847194A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610079430.2

申请日：2006-04-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊东和重 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/468 ,  H01L41/187 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  H01G4/30

Abstract: 一种电介质陶瓷组合物，其至少包含：含有钛酸钡的主成分，包含选自MgO、CaO、BaO和SrO的至少1种的第1副成分，包含选自Al2O3、Li2O和B2O3的至少1种的第2副成分，包含选自V2O5、MoO3和WO3的至少1种的第3副成分，包含R1氧化物(其中，R1为选自Sc、Er、Tm、Yb和Lu的至少1种)的第4副成分，和包含CaZrO3或CaO+ZrO2的第5副成分。

公开(公告)号：CN1765824A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510113296.9

申请日：2005-08-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊东和重 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/495 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明的电介质陶瓷组合物含有：包含钛酸钡的主成分；包含选自MgO、CaO、BaO和SrO中的至少一种的第一副成分；作为烧结助剂的第二副成分；包含选自V2O5、MoO3和WO3中的至少一种的第三副成分；包含R1的氧化物(其中，R1是选自Sc、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种)的第四副成分；包含CaZrO3或CaO+ZrO2的第五副成分；包含A的氧化物(其中，A是选自6配位时的有效离子半径是0.065nm～0.085nm的阳离子元素组中的至少一种)的第八副成分，上述第八副成分相对于上述主成分100摩尔的比率是0～4摩尔(但不包括0摩尔和4摩尔，是换算成A氧化物的值)。

公开(公告)号：CN1242435C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN01117893.0

申请日：2001-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 增宫薰里 ,  增田健 ,  野村武史 ,  中野幸惠 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G13/00

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682

Abstract: 一种制备多层陶瓷片状电容器的方法，该电容器具有由电介质层和内电极层交替叠加而构成的电容器主体，该方法包括：使用钛酸钡作为粉末组分用于形成电介质层，在X-射线衍射图形中，该粉末组分的(200)面的衍射线的峰强度(I(200))相对于(002)面的衍射线的峰点的角与(200)面的衍射线的峰点的角之间的中间点的强度(Ib)的比值(I(200)/(Ib))为4-16。

公开(公告)号：CN1677588A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510060175.2

申请日：2005-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 室泽贵子 ,  宫内真理 ,  野口和则 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 多层陶瓷电容器1，其具有内部电极层3、厚度不足2μm的层间电介体层2、和外侧电介体层20，其特征在于，前述层间电介体层2及外侧电介体层20含有多个电介体粒子2a、20a而构成，以前述层间电介体层2中的全部电介体粒子2a的平均粒径为D50a(单位：μm)，以前述外侧电介体层20中的、在厚度方向上距离配置于最外面的内部电极层3a 5μm以上的位置上存在的全部电介体粒子20a的平均粒径为D50b(单位：μm)，以此时的前述D50a和前述D50b之比(D50a/D50b)为y(无单位)，以前述层间电介体层2的厚度为x(单位：μm)，以前述层间电介体层2中的全部电介体粒子2a的粒度分布的标准偏差为σ(无单位)，以具有前述D50a的2.25倍以上的平均粒径的电介体粒子(粗粒)存在于全部前述电介体粒子2a中的比率为p(单位：％)，此时，前述y和x满足y＜－0.75x+2.015、且y＞－0.75x+1.740的关系，前述σ满足σ＜0.091，前述p满足p＜2.85％。根据本发明，即使将层间电介体层2薄层化时，也可以提供有望改善各种电特性、特别是具有足够的介电常数的同时改善TC偏压特性的多层陶瓷电容器1。

公开(公告)号：CN1677587A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510060174.8

申请日：2005-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 室泽贵子 ,  宫内真理 ,  野口和则 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷电容器1，其具有内部电极层3和厚度小于2μm的电介体层2，其特征在于，上述层间电介体层2含有多个电介体粒子2a而构成，以上述层间电介体层2中的电介体粒子2a全体的粒度分布的标准偏差为σ(无单位)、以上述层间电介体层2中的电介体粒子2a全体的平均粒径为D50(单位：μm)，此时的具有该D50的2.25倍以上的平均粒径的电介体粒子(粗粒)在上述电介体粒子2a全体中存在的比率用p(单位：％)表示时，上述σ、p分别满足σ＜0.130、p＜12％。通过本发明，能够提供即使对层间电介体层2实施薄层化也有望提高各种电特性、特别是既具有充分的介电常数又提高TC偏压特性的多层陶瓷电容器1。

公开(公告)号：CN1637972A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510004129.0

申请日：2005-01-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 中野幸惠 ,  宫内真理 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/1227 ,  Y10T29/435

Abstract: 本发明的目标在于通过消除介电层中的氧空位和抑制Ni内部电极的氧化来提供一种具有高介电常数、高电容和极好可靠性的多层陶瓷电容器。该多层陶瓷电容器包括通过交替堆叠主要含钡的钛酸盐的介电层和主要含Ni的内部电极层而形成的多层介电体，并且在电容器中存在含有Mg－Si－O作为组成元素的第一异相。

公开(公告)号：CN1206661C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN01116498.0

申请日：2001-02-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井隆史 ,  渡边康夫 ,  高桥三喜夫 ,  佐藤阳

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/00 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/47 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2004/61 ,  C04B35/465 ,  H01G4/1227 ,  Y10T428/24917

Abstract: 一种至少由含有式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2的介电氧化物的主要组分和一种含有选自V、Nb、W、Ta和Mo的至少一种氧化物的第一次要组分所组成的介电陶瓷组合物，式中m、x和y表示成分的摩尔比并0.94＜m＜1.08，0≤x≤1.00，和0≤y≤0.20，以及基于100摩尔的主要组分，换算为氧化物中的金属元素，第一次要组分的摩尔比为0.01摩尔≤第一次要组分＜2摩尔。这种介电陶瓷组合物，在烧结时可以获得优异的抗还原性、在烧结后可获得优异的电容-温度特性，并改善绝缘电阻的加速寿命。