公开(公告)号：JP2013188968A

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：JP2012057638

申请日：2012-03-14

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： TAKAHASHI HIDEJI

IPC: B41J2/135

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/1433 ,  B41J2/162 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646 ,  B81B2201/052 ,  B81C1/00626 ,  H01L21/30608

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce errors of magnitudes of openings of straight parts when forming the straight parts and tapered parts on silicon substrates different in plane directions, respectively.SOLUTION: A laminated substrate 53 formed by laminating a first active layer 23 whose plane direction is and a second active layer 24 whose plane direction is is formed at one face side of a BOX layer 51. A frame-shaped mask pattern layer 60a having a mask opening 60b is formed in a position in which a nozzle 12 on the second active layer 24 should be formed. Straight parts 20 of the nozzle 12 are formed in the mask opening 60b by forming a non-penetration hole 70 reaching one face of the BOX layer 51. A non-masked portion 24a of the second active layer 24 and the internal face of the non-penetration hole 70 are cover with thermal oxide films 72. An exposed portion 24b is formed on the second active layer 24 by removing the mask pattern layer 60a. Tapered parts 21 of the nozzle 12 are formed by crystal-anisotropy etching the second active layer 24 from the exposed portion 24b.

Abstract translation: 要解决的问题：分别在平面方向上形成硅基板上的直线部分和锥形部分时减小直线部分开口的大小的误差。解决方案：层叠基板53，其层叠第一有源层23，其平面方向 是<111>，并且平面方向为<100的第二有源层24形成在BOX层51的一个正面侧。具有掩模开口60b的框状掩模图案层60a形成在其中 应形成第二有源层24上的喷嘴12。 通过形成到BOX层51的一个面的非贯通孔70，在掩模开口60b中形成喷嘴12的直线部分20.第二有源层24的非掩模部分24a和非绝缘部分 穿透孔70覆盖有热氧化膜72.通过去除掩模图案层60a，在第二有源层24上形成暴露部分24b。 通过从暴露部分24b蚀刻第二有源层24的晶体各向异性形成喷嘴12的锥形部分21。

公开(公告)号：JP4960965B2

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：JP2008534810

申请日：2005-10-10

Applicant: シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド

Inventor： キア シルバーブルック，

IPC: B41J2/16 ,  B41J2/05 ,  B81C1/00

CPC classification number: B41J2/1404 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2002/14403 ,  B41J2002/14475 ,  B41J2202/11 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0126

公开(公告)号：JP2003531739A

公开(公告)日：2003-10-28

申请号：JP2001580801

申请日：2001-05-02

Applicant: シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド

Inventor： シルバーブルック，キーア

IPC: B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B41J2/1645 ,  B41J2/14427 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1648 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/031 ,  B81B2201/036 ,  B81B2201/052 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49083 ,  Y10T29/49401

Abstract: A thermal bend actuator ( 6 ) is provided with a group of upper arms ( 23, 25, 26 ) and a group of lower arms ( 27, 28 ) which are non planar, so increasing the stiffness of the arms. The arms ( 23, 25, 26,27,28 ) may be spaced transversely of each other and do not overly each other in plan view, so enabling all arms to be formed by depositing a single layer of arm forming material

公开(公告)号：KR1020100019499A

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：KR1020097025772

申请日：2008-06-16

Applicant: 세이코 엡슨 가부시키가이샤

Inventor： 사토미츠루 ,  모리요시아키

IPC: C09J5/02 ,  B23K20/00 ,  C30B33/06 ,  B29C65/02

CPC classification number: C09J5/02 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/244 ,  B23K26/26 ,  B23K2201/42 ,  B23K2203/56 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1634 ,  B81B2201/052 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/036 ,  C09J2400/146 ,  H01L21/187 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: This invention provides a method for joining silicon base materials. The method comprises a first step of applying energy to a first silicon base material containing an Si-H bond to selectively cut the Si-H bond present along a face to be cleaved, and cleaving the first silicon base material by expansion pressure of the produced hydrogen gas to allow an unbonded hand of silicon to expose on the cleaved face, and a second step of bringing the cleaved face of the cleaved first silicon base material into contact with the surface of a second silicon base material with an unbonded hand of silicon exposed on its surface to join the first silicon base material to the second silicon base material.

Abstract translation: 本发明提供一种接合硅基材料的方法。 该方法包括：向包含Si-H键的第一硅基材施加能量以选择性地切割沿着要被切割的面存在的Si-H键的第一步骤，以及通过所产生的 氢气，以使硅的未粘结的手暴露在裂开的表面上，第二步骤是将裂开的第一硅基材的裂开的表面与第二硅基材的表面接触，并将硅的未粘结的手暴露 在其表面上将第一硅基材料连接到第二硅基材料。

公开(公告)号：KR1020060044610A

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：KR1020050023978

申请日：2005-03-23

Applicant: 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.

Inventor： 고어마카랜드 ,  구오제임스

IPC: H01L21/20 ,  H01L23/28

CPC classification number: B41J2/16 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646 ,  B81B3/0035 ,  B81B2201/047 ,  B81B2201/052 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 전자 장치(310) 내에 챔버(350)를 형성하기 위한 방법이 개시된다. 상기 방법은 고형 코어 물질(334) 상의 외부 표면(336)을 준비하는 단계들을 포함하며, 상기 고형 코어 물질(334)은 기판(312) 내에 형성된 함몰(316) 내에 있다. 상기 방법은 상기 고형 코어 물질(334)의 상기 준비된 외부 표면(336) 및 상기 함몰(316)을 에워싸는 상기 기판(312)의 부분 위에 층(338)을 확립하는 단계가 더 포함되어 있다. 상기 확립된 층(338) 및 상기 기판(312)으로 챔버(350)의 경계가 정해진다.
기판, 층, 코어 물질, 마이크로 전자기계, 챔버

Abstract translation: 公开了一种用于在电子设备中形成室的方法，包括以下步骤：在固化的芯材上制备外表面，固化的芯材在形成在基底中的凹陷中。 该方法还包括在所制备的固化的芯材的外表面上建立一层，以及围绕该凹陷的该基底的一部分。 建立的层和衬底限定一个室。

公开(公告)号：KR1020030023623A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：KR1020027014773

申请日：2001-05-02

Applicant: 실버브룩 리서치 피티와이 리미티드

Inventor： 실버브룩키아

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B41J2/1645 ,  B41J2/14427 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1648 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/031 ,  B81B2201/036 ,  B81B2201/052 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49083 ,  Y10T29/49401

Abstract: 서멀 밴드 엑츄에이터(6)는 평면구조가 아닌 상부암(23,25,26)과 하부암(27,28)으로 구성되어 있어서 암의 강도가 증가하게 된다. 이 암(23,25,27,28)들은 횡방향으로 서로 간격을 두고 있으며, 평면도상 서로 겹치지 않게 되어 있어서, 모든 암을 하나의 암형성물질층을 적층하여 형성할 수 있게 된다.

Abstract translation: 热弯曲致动器（6）具有非平面的一组上臂（23,25,26）和一组下臂（27,28），因此增加了臂的刚度。 臂（23,25,26,27,28）可以彼此横向隔开，并且在平面图中彼此不重叠，从而使得所有的臂能够通过沉积单层臂形成材料

公开(公告)号：KR1020170119707A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：KR1020177026841

申请日：2016-03-03

Applicant: 세이코 엡슨 가부시키가이샤

Inventor： 다나카슈이치

IPC: B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  H05K1/18

CPC classification number: B41J2/14274 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1631 ,  B41J2002/14419 ,  B41J2002/14491 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/012 ,  H01L41/042 ,  H01L41/0472 ,  H05K1/183

Abstract: 기판의휨을억제하여제 1 전극과제 2 전극을확실히접속할수 있는 MEMS 디바이스, 헤드및 액체분사장치를제공한다. 제 1 전극(34)을포함하는범프(32)가마련된제 1 기판(30)과, 접착층(35)에의해형성된오목부(36)의저면에제 2 전극(91)이마련된제 2 기판(10)을구비한다. 제 1 기판(30)과제 2 기판(10)이접착층(35)에의해접합되어있으며, 제 1 전극(34)은, 범프(32)가오목부(36)에삽입되는것에의해, 제 2 전극(91)과전기적으로접속되며, 범프(32)가, 오목부(36)에삽입되는방향에서, 범프(32)의일부와오목부(36)를형성하는접착층(35)이오버랩되어있다.

Abstract translation: 通过抑制基板的翘曲，能够可靠地连接第一电极的MEMS装置，头和液体喷射装置与两个电极连接。 第一基板30设置有包括第一电极34和第二基板30的凸块32，第二基板30在由粘合层35形成的凹部36的底表面上设置有第二电极91 和10）。 第一基板30通过粘合层35结合到基板10.第一电极34插入到凸块32的凸台32中， 并且在凸块32插入凹部36的方向上与形成凹部36的凸块32和粘合层35的一部分重叠。

公开(公告)号：KR1020100124827A

公开(公告)日：2010-11-29

申请号：KR1020107023304

申请日：2008-06-20

Applicant: 실버브룩 리서치 피티와이 리미티드

Inventor： 맥어보이그레고리존 ,  커엠마로즈 ,  실버브룩키아

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  G01N27/00 ,  G01N35/00

CPC classification number: G01N35/08 ,  B41J2/14427 ,  B41J2002/14435 ,  B81B2201/052 ,  B81C1/00253 ,  G01N2035/1041

Abstract: 미세유체 시스템은 폴리머 미세유체 플랫폼에 결합되는 결합 표면을 가지는 집적회로를 포함한다. 미세유체 시스템은 집적회로 내의 제어회로에 의해 제어되는 하나 이상의 미세유체 장치를 포함한다. 미세유체 장치 중 적어도 하나는 집적회로의 MEMS층에 위치되는 MEMS 액츄에이터를 포함한다. MEMS층은 집적회로의 결합 표면을 형성하는 폴리머층으로 피복된다.

公开(公告)号：KR100802491B1

公开(公告)日：2008-02-12

申请号：KR1020027014773

申请日：2001-05-02

Applicant: 실버브룩 리서치 피티와이 리미티드

Inventor： 실버브룩키아

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B41J2/1645 ,  B41J2/14427 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1648 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/031 ,  B81B2201/036 ,  B81B2201/052 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49083 ,  Y10T29/49401

Abstract: A thermal bend actuator ( 6 ) is provided with a group of upper arms ( 23, 25, 26 ) and a group of lower arms ( 27, 28 ) which are non planar, so increasing the stiffness of the arms. The arms ( 23, 25, 26,27,28 ) may be spaced transversely of each other and do not overly each other in plan view, so enabling all arms to be formed by depositing a single layer of arm forming material

公开(公告)号：KR1020150099816A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：KR1020157019645

申请日：2013-12-20

Applicant: 마이크로닉스 인코포레이티드.

Inventor： 크롭,앤드류 ,  스프레이그,이삭 ,  카이,저스틴,엘. ,  브래그,매튜,스콧 ,  스톤마르타

IPC: F15C3/04 ,  F16K99/00 ,  B01L3/00

CPC classification number: B01L3/50273 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502738 ,  B01L2200/0689 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0874 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2300/123 ,  B01L2400/0481 ,  B01L2400/0487 ,  B01L2400/0638 ,  B01L2400/0655 ,  B29C43/021 ,  B29C65/16 ,  B29K2101/00 ,  B29L2009/00 ,  B29L2031/7496 ,  B81B2201/052 ,  B81C1/00119 ,  F04B43/043 ,  F16K99/0015 ,  F16K99/0059 ,  F16K2099/0078 ,  F16K2099/008 ,  F16K2099/0084 ,  F16K2099/0086 ,  Y10T156/1026

Abstract: 본 발명은 공압 작동 다이아프램 부재들을 포함하는 다수의 회로 요소 서브 형태를 가지는 유체 공학 카트리지들, 및 그 제조에 관한 것이고, 다이아프램 물질들은 제공되는 유체 공학 요소 서브 형태에 따라서 개별적으로 항복점, 내화학성, 통기성 및 다른 특성을 위해 선택된다. 본 발명은 카트리지 내부에 다이아프램 부재들을 형성하기 위하여 적소에서 가장자리 결합 데쿠파주의 공정, 및 펌프들, 밸브들, 통기공들, 폐기물 용기, 시약 저장소 및 광학 윈도우를 갖는 큐벳들을 포함하는, 능동형 및 수동형 회로 요소들로서 다이아프램 부재들을 가지는 유체 공학 회로에 관한 것이고, 각 개별적인 다이아프램 부재의 물질 조성은 또한 제공되는 제조 동안 물질 모음으로부터 선택될 수 있다.