公开(公告)号：US20040155010A1

公开(公告)日：2004-08-12

申请号：US10474968

申请日：2004-03-31

Inventor： Hubert Benzel ,  Heribert Weber ,  Hans Artmann ,  Frank Schaefer

IPC: B29D011/00

CPC classification number: B81B3/0083 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0178 ,  C25F3/12 ,  C25F3/14 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3081

Abstract: A simple and cost-effective possibility is proposed for producing optically transparent regions (5, 6) in a silicon substrate (1), by the use of which both optically transparent regions of any thickness and optically transparent regions over a cavity in a silicon substrate are able to be implemented. For this purpose, first at least a specified region (5, 6) of the silicon substrate (1) is etched porous. Thereafter, the specified porous region (5, 6) of the silicon substrate (1) is oxidized.

Abstract translation: 提出了在硅衬底（1）中制造光学透明区域（5,6）的简单和成本有效的可能性，其中通过在硅衬底的空腔上使用任何厚度和光学透明区域的两个光学透明区域 能够实施。 为此目的，首先对硅衬底（1）的至少一个特定区域（5,6）进行多孔蚀刻。 此后，硅衬底（1）的规定的多孔区域（5,6）被氧化。

公开(公告)号：US20040135219A1

公开(公告)日：2004-07-15

申请号：US10466516

申请日：2004-01-30

Inventor： Michel Despont ,  Roy H Magnuson ,  Ute Drechsler

IPC: H01L021/00 ,  H01L029/82 ,  H01L021/302 ,  H01L021/461

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B81B2201/12 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0133 ,  C23F13/14

Abstract: A method for protecting a material of a microstructure comprising said material and a noble metal layer (8) against undesired galvanic etching during manufacture comprises forming on the structure a sacrificial metal layer (12) having a lower redox potential than said material, the sacrificial metal layer (12) being electrically connected to said noble metal layer (8).

Abstract translation: 一种用于在制造过程中保护包含所述材料的微结构材料和贵金属层（8）的方法，用于防止不期望的电化学蚀刻，包括在所述结构上形成具有比所述材料更低的氧化还原电位的牺牲金属层（12），所述牺牲金属 层（12）电连接到所述贵金属层（8）。

公开(公告)号：US20020014621A1

公开(公告)日：2002-02-07

申请号：US09895464

申请日：2001-07-02

Inventor： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki

IPC: H01L047/00 ,  H01L021/00

CPC classification number: B01D71/025 ,  B01D67/0065 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0114 ,  C04B38/0025 ,  C04B2111/00612 ,  C25D11/045 ,  H01L49/00 ,  C04B35/10 ,  C04B38/0003 ,  C04B41/4564

Abstract: A method of manufacturing a structure with pores which are formed by anodic oxidation and whose layout. pitch, position, direction, shape and the like can be controlled. The method includes the steps of: disposing a lamination film on a substrate, the lamination film being made of insulating layers and a layer to be anodically oxidized and containing aluminum as a main composition; and performing anodic oxidation starting from an end surface of the lamination film to form a plurality of pores having an axis substantially parallel to a surface of the substrate, wherein the layer to be anodically oxidized is sandwiched between the insulating layers, and a projected pattern substantially parallel to the axis of the pore is formed on at least one of the insulating layers at positions between the pores.

Abstract translation: 一种制造具有通过阳极氧化形成的孔的结构及其布局的方法。 可以控制节距，位置，方向，形状等。 该方法包括以下步骤：在基板上设置层压膜，层叠膜由绝缘层和要被阳极氧化并含有铝作为主要组成的层制成; 以及从所述层压膜的端面开始进行阳极氧化，以形成具有基本上平行于所述基板的表面的轴的多个孔，其中所述被阳极氧化的层被夹在所述绝缘层之间，并且基本上 在孔之间的位置处，在至少一个绝缘层上形成平行于孔的轴线。

公开(公告)号：US06306773B1

公开(公告)日：2001-10-23

申请号：US09496085

申请日：2000-02-01

Applicant: Christian Adås ,  Stefan Karlsson ,  Andrei Konstantinov ,  Christopher Harris ,  Thomas Hörman

Inventor： Christian Adås ,  Stefan Karlsson ,  Andrei Konstantinov ,  Christopher Harris ,  Thomas Hörman

IPC: H01L21302

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0133 ,  H01L21/0475

Abstract: The invention relates to a method for selective etching of SiC, the etching being carried out by applying a positive potential to a layer (3; 8) of p-type SiC being in contact with an etching solution containing fluorine ions and having an oxidising effect on SiC. The invention also relates to a method for producing a SiC micro structure having free hanging parts (i.e. diaphragm, cantilever or beam) on a SiC-substrate, a method for producing a MEMS device of SiC having a free hanging structure, and a method for producing a piezo-resistive pressure sensor comprising the step of applying a positive potential to a layer (8) of p-type SiC being in contact with an etching solution containing fluorine ions and having an oxidising effect on SiC.

Abstract translation: 本发明涉及一种选择性蚀刻SiC的方法，该蚀刻是通过向与含有氟离子的蚀刻溶液接触并具有氧化效应的p型SiC层（3; 8）施加正电位而进行的 在SiC上。 本发明还涉及一种用于制造在SiC衬底上具有自由悬挂部分（即隔膜，悬臂或梁）的SiC微结构的方法，用于制造具有自由悬挂结构的SiC的MEMS器件的方法，以及用于 制造压阻式压力传感器，包括向与所述氟离子的蚀刻溶液接触并对SiC具有氧化作用的p型SiC层（8）施加正电位的步骤。

公开(公告)号：US20010028872A1

公开(公告)日：2001-10-11

申请号：US09867611

申请日：2001-05-31

Inventor： Tatsuya Iwasaki ,  Tohru Den

IPC: D01C005/00 ,  D01F009/12

CPC classification number: H01F1/009 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0114 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855 ,  G11C2213/81 ,  H01F1/0081 ,  H01J1/304 ,  H01J1/3042 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/778 ,  Y10S977/78 ,  Y10S977/939

Abstract: The invention provides a nanostructure including an anodized film including nanoholes. The anodized film is formed on a substrate having a surface including at least one material selected from the group consisting of semiconductors, noble metals, Mn, Fe, Co, Ni, Cu and carbon. The nanoholes are cut completely through the anodized film from the surface of the anodized film to the surface of the substrate. The nanoholes have a first diameter at the surface of the anodized film and a second diameter at the surface of the substrate. The nanoholes are characterized in that either a constriction exists at a location between the surface of the anodized film and the surface of the substrate, or the second diameter is greater than the first diameter.

公开(公告)号：US5997713A

公开(公告)日：1999-12-07

申请号：US74712

申请日：1998-05-08

Applicant: Charles P. Beetz, Jr. ,  Robert W. Boerstler ,  John Steinbeck ,  David R. Winn

Inventor： Charles P. Beetz, Jr. ,  Robert W. Boerstler ,  John Steinbeck ,  David R. Winn

IPC: H01J9/12 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  C25F3/12 ,  H01J9/02 ,  H01J43/24 ,  H01L21/3063 ,  C25D5/34 ,  C25D5/48 ,  C25D9/06

CPC classification number: H01J43/246 ,  B81B1/004 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/00595 ,  C25F3/12 ,  H01J9/02 ,  H01L21/3063 ,  B81C2201/0114 ,  Y10S977/888

Abstract: An element with elongated, high aspect ratio channels such as microchannel plate is fabricated by electrochemical etching of a p-type silicon element in a electrolyte to form channels extending through the element. The electrolyte may be an aqueous electrolyte. For use as a microchannel plate, the; the silicon surfaces of the channels can be converted to insulating silicon dioxide, and a dynode material with a high electron emissivity can be deposited onto the insulating surfaces of the channels. New dynode materials are also disclosed.

Abstract translation: 通过电解质中的p型硅元件的电化学蚀刻来制造具有细长的高纵横比通道的元件，例如微通道板，以形成延伸穿过该元件的通道。 电解质可以是水性电解质。 用作微通道板， 通道的硅表面可以转化为绝缘二氧化硅，并且具有高电子发射率的倍增极材料可以沉积到通道的绝缘表面上。 还公开了新的倍增极材料。

公开(公告)号：WO2012054045A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/US2010/053588

申请日：2010-10-21

Applicant: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. ,  MARDILOVICH, Peter ,  WEI, Qingqiao ,  FULLER, Anthony M.

Inventor： MARDILOVICH, Peter ,  WEI, Qingqiao ,  FULLER, Anthony M.

IPC: C25D11/04 ,  B82B3/00 ,  C23F1/02 ,  C25D11/34

CPC classification number: C25D5/022 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0114 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C25D11/045 ,  C25D11/12 ,  C25D11/34

Abstract: A method of forming a nano-structure (100') involves forming a multi-layered structure (10) including an oxidizable material layer (14) established on a substrate (12), and another oxidizable material layer (16) established on the oxidizable material layer (14). The oxidizable material layer (14) is an oxidizable material having an expansion coefficient, during oxidation, that is more 1. Anodizing the other oxidizable material layer (16) forms a porous anodic structure (16'), and anodizing the oxidizable material layer (14) forms a dense oxidized layer (14') and nano-pillars (20) which grow through the porous anodic structure (16') into pores (18) thereof. The porous structure (16') is selectively removed to expose the nano-pillars (20). A surface (I) between the dense oxidized layer (14') and a remaining portion of the oxidizable material layer (14) is anodized to consume a substantially cone-shaped portion (32) of the nano-pillars (20) to form cylindrical nano-pillars (20').

Abstract translation: 形成纳米结构（100'）的方法包括形成包括建立在基板（12）上的可氧化材料层（14）的多层结构（10），以及建立在可氧化的材料层（16）上的另一可氧化材料层 材料层（14）。 可氧化材料层（14）是在氧化期间具有膨胀系数的可氧化材料，其为1.阳极氧化另一可氧化材料层（16）形成多孔阳极结构（16'），并阳极氧化可氧化材料层 14）形成致密氧化层（14'）和通过多孔阳极结构（16'）生长成其孔隙（18）的纳米柱（20）。 选择性地去除多孔结构（16'）以暴露纳米柱（20）。 密集氧化层（14'）和可氧化材料层（14）的剩余部分之间的表面（I）被阳极氧化以消耗纳米柱（20）的大致锥形部分（32）以形成圆柱形 纳米柱（20'）。

公开(公告)号：WO2010065989A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：PCT/AU2009/001588

申请日：2009-12-08

Applicant: UNIVERSITY OF SOUTH AUSTRALIA ,  LOSIC, Dusan

Inventor： LOSIC, Dusan

IPC: C25C3/00 ,  C25C5/00 ,  C25D1/16 ,  C25B9/06 ,  C25C7/00 ,  H01M4/04 ,  C25C3/06 ,  C25D1/00 ,  C25C3/20 ,  C25D1/08

CPC classification number: C25D1/08 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  C25D1/00 ,  C25D1/006 ,  C25D11/02 ,  C25D11/045

Abstract: A process for forming a porous metal oxide or metalloid oxide material, the process including: - providing an anodic substrate including a metal or metalloid substrate;- providing a cathodic substrate; - contacting the anodic substrate and the cathodic substrate with an acid electrolyte to form an electrochemical cell; - applying an electrical signal to the electrochemical cell;- forming shaped pores in the metal or metalloid substrate by: (c) time varying the applied voltage of the electrical signal to provide a voltage cycle having a minimum voltage period during which a minimum voltage is applied, a maximum voltage period during which a maximum voltage is applied, and a transition period between the minimum voltage period and the maximum voltage period, wherein the voltage is progressively increased from the minimum voltage to the maximum voltage during the transition period, or (d) time varying the current of the electrical signal to provide a current cycle having a minimum current period during which a minimum current is applied, a maximum current period during which a maximum current is applied, and a transition period between the minimum current period and the maximum current period, wherein the voltage is progressively increased from the minimum current to the maximum current during the transition period.

Abstract translation: 一种形成多孔金属氧化物或准金属氧化物材料的方法，该方法包括：提供包括金属或准金属基质的阳极底物; - 提供阴极底物; - 使阳极底物和阴极底物与酸性电解质接触以形成电化学电池; - 将电信号施加到所述电化学电池; - 通过以下步骤在所述金属或准金属基体中形成成形孔：（c）时变电压信号的施加电压，以提供具有最小电压周期的电压周期， 施加最大电压的最大电压周期，以及最小电压周期和最大电压周期之间的过渡期间，其中，电压在过渡期间从最小电压逐渐增加到最大电压，或（ d）时间变化电信号的电流，以提供具有施加最小电流的最小电流周期的电流周期，施加最大电流的最大电流周期，以及最小电流周期与 最大电流周期，其中电压在反向期间从最小电流逐渐增加到最大电流 历史时期

公开(公告)号：WO2009133961A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：PCT/JP2009/058720

申请日：2009-04-28

Applicant: CANON KABUSHIKI KAISHA ,  CHANG, Chienliu

Inventor： CHANG, Chienliu

IPC: B06B1/02 ,  B81B3/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: B06B1/0292 ,  B81B2201/038 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0114

Abstract: In a method of manufacturing a capacitive electromechanical transducer, a first electrode (8) is formed on a substrate (4), an insulating layer (9) which has an opening (6) leading to the first electrode is formed on the first electrode (8), and a sacrificial layer is formed on the insulating layer. A membrane (3) having a second electrode (1) is formed on the sacrificial layer, and an aperture is provided as an etchant inlet in the membrane. The sacrificial layer is etched to form a cavity (10), and then the aperture serving as an etchant inlet is sealed. The etching is executed by electrolytic etching in which a current is caused to flow between the first electrode (8) and an externally placed counter electrode through the opening (6) and the aperture of the membrane.

Abstract translation: 在制造电容式机电换能器的方法中，在基板（4）上形成第一电极（8），在第一电极上形成具有通向第一电极的开口（6）的绝缘层（9） 8），并且在绝缘层上形成牺牲层。 在牺牲层上形成具有第二电极（1）的膜（3），并且在膜中设置有作为蚀刻剂入口的孔。 蚀刻牺牲层以形成空腔（10），然后密封用作蚀刻剂入口的孔。 蚀刻通过电解蚀刻进行，其中使电流通过开口（6）和膜的孔径在第一电极（8）和外部放置的对电极之间流动。

公开(公告)号：WO2007099210A1

公开(公告)日：2007-09-07

申请号：PCT/FR2007/000211

申请日：2007-02-06

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  BUTTARD, Denis

Inventor： BUTTARD, Denis

IPC: C25D5/02 ,  C25D17/10 ,  C25F3/14 ,  C25D7/12 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00126 ,  B81C2201/0114 ,  C25D1/00 ,  C25D1/006 ,  C25D5/02 ,  C25D5/16 ,  C25D7/12 ,  C25D17/005 ,  C25F3/14 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/31675

Abstract: L'invention propose un procédé et un dispositif de micro et/ou nano-structuration électrochimique fiable, rapide, simple, facile à mettre en œuvre et reproductible. A cette fin, l'invention a pour objet un procédé de structuration électrochimique d'un échantillon (12) en un matériau conducteur ou semi-conducteur et comprenant deux faces opposées avant (11) et arrière (13). Le procédé comprend les étapes consistant à mettre au moins la face avant (11) de l'échantillon (12) en contact avec au moins une solution électrolytique (4) stockée dans au moins un réservoir (3), à disposer au moins une contre-électrode (6) dans l'électrolyte (4) en regard de la face avant (11) de l'échantillon (12) qui doit être structurée, à disposer au moins une électrode de travail (7) en contact ohmique sec avec la face arrière (13) de l'échantillon (12) et présentant des motifs de structuration (14), et à appliquer un courant électrique entre les deux électrodes pour obtenir une réaction électrochimique à l'interface de la face avant (11) de l'échantillon (12) et de l'électrolyte (4) avec une densité de courant qui est modulée par les motifs de structuration (14) de l'électrode de travail (7) pour former une gravure ou un dépôt sur la face avant (11) de l'échantillon (12).

Abstract translation: 本发明提供了用于可靠，快速，简单，容易实现和可再现的电化学微结构和/或纳米结构的方法和装置。 为此，本发明的主题是用于电化学构造由导电或半导体材料制成的试样（12）的方法，并且包括两个相对的面，即前表面（11）和后表面（13）。 该方法包括以下步骤：至少使样本（12）的前表面（11）与存储在至少一个储存器（3）中的至少一个电解液（4）接触; 将至少一个反电极（6）放置在与必须构造的样品（12）的前表面（11）相对的电解质（4）中; 在将至少一个工作电极（7）放置在与所述试样（12）的后表面（13）干欧欧接触的位置上，所述工作电极具有结构特征（14）; 并且在两个电极之间施加电流以在样品（12）的前表面（11）和电解质（4）之间的界面处获得电化学反应，其电流密度被结构化 工件电极（7）的特征（14），以便从样品（12）的正面（11）上蚀刻材料或沉积材料。