公开(公告)号：KR101609229B1

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：KR1020137021344

申请日：2012-01-13

Applicant: 카벤디시 키네틱스, 인크.

Inventor： 르노,미카엘 ,  레이시,조셉대미언고든 ,  조쉬,비크람 ,  맥과이어,토머스엘.

IPC: B81C1/00 ,  H01L29/84 ,  H01L21/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00039 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0714

Abstract: 본발명은일반적으로 MEMS 또는 NEMS 디바이스를제조하는방법및 이디바이스에관한것이다. 캔틸레버구조체에비해더 낮은재결합계수를가지는물질의박막층은캔틸레버구조체, RF 전극및 풀오프전극위에증착될수 있다. 박막층은공동으로도입되는에칭가스로하여금공동내에전체에칭제재결합속도를감소시켜공동내에희생물질의에칭속도를증가시킬수 있게한다. 에칭제그 자체는희생물질의최상부층이제일먼저에칭되도록캔틸레버구조체의앵커부분과선형으로정렬된캡슐층 내개구를통해도입될수 있다. 이후밀봉물질이공동을밀봉할수 있고이 밀봉물질은공동을통해앵커부분으로연장하여앵커부분에추가적인강도를제공한다.

Abstract translation: 技术领域本发明总体上涉及用于制造MEMS或NEMS器件的方法和设备。 具有比悬臂结构上的下部重组系数的材料制成的薄膜层可以在悬臂结构，RF电极和池电极断开来沉积。 薄膜层使引入到空腔中，以降低整体蚀刻速率组合材料在空腔中使得它可以增加腔内的牺牲材料的蚀刻速率的蚀刻气体。 蚀刻AIGUES本身可以通过与悬臂结构的锚定部分线性对齐的开口内的胶囊型层被引入，使得首先蚀刻该牺牲材料的顶层。 然后密封材料可以密封空腔并且密封材料穿过空腔延伸到锚固部分以向锚固部分提供额外的强度。

公开(公告)号：KR1020140118771A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：KR1020140030698

申请日：2014-03-17

Applicant: 세이코 엡슨 가부시키가이샤

Inventor： 요시자와타카히코

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H03B5/30 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0742 ,  B81C2203/0764 ,  H01L21/76802 ,  H03B5/32

Abstract: An electronic device according to an aspect of the invention includes: a substrate; an underlayer having an opening and being formed on the substrate; a functional element provided on the underlayer; and a surrounding wall forming a cavity that accommodates the functional element, at least a part of the surrounding wall being disposed in the opening.

Abstract translation: 根据本发明的一个方面的电子设备包括：基板; 具有开口并形成在所述基板上的底层; 设置在底层上的功能元件; 以及形成容纳所述功能元件的空腔的周壁，所述周围壁的至少一部分设置在所述开口中。

公开(公告)号：KR101445028B1

公开(公告)日：2014-09-26

申请号：KR1020130036211

申请日：2013-04-03

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 진주영 ,  김용권 ,  유승현 ,  배재성

IPC: G02B26/10 ,  G02B26/08

CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0181 ,  G02B26/105

Abstract: The present invention relates to a silicon nitride layer scanner with an improved tilt angle and a manufacturing method thereof and, more specifically, to a silicon nitride layer scanner including a silicon nitride layer; a grid which is connected to the outer lower part of the silicon nitride layer and supports the silicon nitride layer; a plurality of fixing comb teeth which is connected to the outer surface of the grid wherein the comb teeth are arranged at fixed intervals.

Abstract translation: 本发明涉及具有改进的倾斜角的氮化硅层扫描器及其制造方法，更具体地说，涉及包括氮化硅层的氮化硅层扫描器; 栅格，其与氮化硅层的外部下部连接并支撑氮化硅层; 多个固定梳齿连接到格栅的外表面，其中梳齿以固定间隔布置。

公开(公告)号：KR1020140002731A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：KR1020137021344

申请日：2012-01-13

Applicant: 카벤디시 키네틱스, 인크.

Inventor： 르노,미카엘 ,  레이시,조셉대미언고든 ,  조쉬,비크람 ,  맥과이어,토머스엘.

IPC: B81C1/00 ,  H01L29/84 ,  H01L21/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00039 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0714

Abstract: 본 발명은 일반적으로 MEMS 또는 NEMS 디바이스를 제조하는 방법 및 이 디바이스에 관한 것이다. 캔틸레버 구조체에 비해 더 낮은 재결합 계수를 가지는 물질의 박막 층은 캔틸레버 구조체, RF 전극 및 풀오프 전극 위에 증착될 수 있다. 박막층은 공동으로 도입되는 에칭 가스로 하여금 공동 내에 전체 에칭제 재결합 속도를 감소시켜 공동 내에 희생 물질의 에칭 속도를 증가시킬 수 있게 한다. 에칭제 그 자체는 희생 물질의 최상부 층이 제일 먼저 에칭되도록 캔틸레버 구조체의 앵커 부분과 선형으로 정렬된 캡슐 층 내 개구를 통해 도입될 수 있다. 이후 밀봉 물질이 공동을 밀봉할 수 있고 이 밀봉 물질은 공동을 통해 앵커 부분으로 연장하여 앵커 부분에 추가적인 강도를 제공한다.

公开(公告)号：WO2016209207A1

公开(公告)日：2016-12-29

申请号：PCT/US2015/037024

申请日：2015-06-22

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： LIN, Kevin Lai ,  PAWASHE, Chytra ,  KIM, Raseong ,  YOUNG, Ian A. ,  SINGH, Kanwal Jit ,  BRISTOL, Robert L.

IPC: B81B7/02 ,  H01L21/8238

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/094 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  B81C2203/0771

Abstract: A conductive layer is deposited into a trench in a sacrificial layer on a substrate. An etch stop layer is deposited over the conductive layer. The sacrificial layer is removed to form a gap. In one embodiment, a beam is over a substrate. An interconnect is on the beam. An etch stop layer is over the beam. A gap is between the beam and the etch stop layer.

Abstract translation: 将导电层沉积在衬底上的牺牲层中的沟槽中。 蚀刻停止层沉积在导电层上。 去除牺牲层以形成间隙。 在一个实施例中，光束在衬底上。 横梁上有互连。 蚀刻停止层在光束上。 在光束和蚀刻停止层之间存在间隙。

公开(公告)号：WO2016016137A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：PCT/EP2015/067042

申请日：2015-07-24

Applicant: AMS INTERNATIONAL AG

Inventor： BESLING, Willem Frederik Adrianus ,  PIJNENBURG, Remco Henricus Wilhelmus ,  VAN DER AVOORT, Casper ,  OLDSEN, Marten ,  GOOSSENS, Martijn

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/014 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0072 ,  G01L9/0073 ,  G01L9/12 ,  H01L29/84

Abstract: Embodiments of a method for forming a suspended membrane include depositing a first electrically conductive material above a sacrificial layer and within a boundary trench. The first electrically conductive material forms a corner transition portion above the boundary trench. The method further includes removing a portion of the first electrically conductive material that removes at least a portion of uneven topography of the first electrically conductive material. The method further includes depositing a second electrically conductive material. The second electrically conductive material extends beyond the boundary trench. The method further includes removing the sacrificial layer through etch openings and forming a cavity below the second electrically conductive material. The first electrically conductive material defines a portion of a sidewall boundary of the cavity.

Abstract translation: 用于形成悬浮膜的方法的实施例包括在牺牲层之上和边界沟槽内沉积第一导电材料。 第一导电材料在边界沟槽上方形成角部过渡部分。 该方法还包括去除第一导电材料的一部分，其去除第一导电材料的不均匀地形的至少一部分。 该方法还包括沉积第二导电材料。 第二导电材料延伸超过边界沟槽。 该方法还包括通过蚀刻开口去除牺牲层并在第二导电材料下方形成空腔。 第一导电材料限定空腔的侧壁边界的一部分。

公开(公告)号：WO2010060684A2

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：PCT/EP2009/063469

申请日：2009-10-15

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  AHLES, Marcus ,  BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert

Inventor： AHLES, Marcus ,  BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert

IPC: B81C1/00

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B2203/0353 ,  B81C1/00087 ,  B81C1/00309 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0118

Abstract: Die vorliegende Erfindung beschreibt die ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanisches Bauelements, das mit diesem Verfahren hergestellte Bauelement sowie eine Verwendung des mikromechanischen Bauelements bei der Herstellung eines mikromechanischen Sensorbauelements. Zur Herstellung des mikromechanischen Bauelements wird auf der Vorderseite eines Halbleiterwafers zunächst eine erste strukturierte Schicht erzeugt, in deren Abhängigkeit mittels eines ersten Trenchätzschritts der Halbleiterwafer von der Vorderseite geätzt wird. Anschließend wird auf der Rückseite des Halbleiterwafers eine zweite strukturierte Schicht aufgebracht, in deren Abhängigkeit mittels eines zweiten Trenchätzschritts der Halbleiterwafer von der Rückseite geätzt wird. Der Kern der Erfindung besteht dabei darin, dass mittels des ersten und des zweiten Trenchätzschritts eine durchgehende Öffnung von der Vorderseite zur Rückseite in dem Halbleiterwafer erzeugt wird.

Abstract translation: 本发明描述了一种用于制造微机械装置，通过该方法和生产的微机械传感器装置的使用微机械部件的制造的装置的方法。 为了制造微机械部件的最初产生在半导体晶片的前侧上的第一图案化层，在其依赖由第一Trenchätzschritts从正面侧的半导体晶片的装置进行蚀刻。 然后将第二图案化层被施加在半导体晶片的背面通过第二Trenchätzschritts从背面对半导体晶片的装置在它们的依赖性被蚀刻。 本发明的本质在于，在所述半导体晶片通过所述第一和第二Trenchätzschritts而形成从前方到后方的连续开口。

公开(公告)号：WO2008084365A3

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：PCT/IB2007055353

申请日：2007-12-31

Applicant: NXP BV ,  KNOTTER DIRK M ,  DEN DEKKER ARNOLDUS ,  KOSTER RONALD ,  VAN SCHAIJK ROBERTUS T F

Inventor： KNOTTER DIRK M ,  DEN DEKKER ARNOLDUS ,  KOSTER RONALD ,  VAN SCHAIJK ROBERTUS T F

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81C2201/014

Abstract: The present invention relates to a method for etching a feature in an etch layer that has a thickness of more than 2 micrometer from an initial contact face for the etchant to an opposite bottom face of the etch layer, at a lateral feature position in the etch layer and with a critical lateral extension at the bottom face. The method comprises fabricating, at the lateral feature position on the substrate layer, a mask feature from a mask-layer material, the mask feature having the critical lateral extension. The etch layer is deposited to a thickness of more than 2 micrometer, on the mask feature and on the substrate layer, from an etch-layer material, which is selectively etchable relative to the mask-layer material. Then, the feature is etched in the etch layer at the first lateral position with a lateral extension larger than the crit ical lateral extensio n, using an etchant that selectively removes the etch layer-material relative to the mask-layer material.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于蚀刻蚀刻层中的特征的方法，该蚀刻层的特征厚度大于2微米，从蚀刻剂的初始接触面到蚀刻层的相对底面，蚀刻层的横向特征位置 并且在底面具有临界横向延伸。 该方法包括在基底层上的横向特征位置处制造掩模层材料的掩模特征，掩模特征具有临界横向延伸。 蚀刻层在掩模特征和基底层上从相对于掩模层材料可选择性地蚀刻的蚀刻层材料沉积到大于2微米的厚度。 然后，使用相对于掩模层材料选择性去除蚀刻层材料的蚀刻剂，在第一横向位置处蚀刻该特征，其横向延伸大于临界横向延伸n。

公开(公告)号：WO2008086907A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：PCT/EP2007/062452

申请日：2007-11-16

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  KRAMER, Torsten ,  KNESE, Kathrin ,  BENZEL, Hubert ,  SCHUERMANN, Gregor ,  ARMBRUSTER, Simon ,  SCHELLING, Christoph

Inventor： KRAMER, Torsten ,  KNESE, Kathrin ,  BENZEL, Hubert ,  SCHUERMANN, Gregor ,  ARMBRUSTER, Simon ,  SCHELLING, Christoph

IPC: G01L9/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0353 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/014

Abstract: Mit der vorliegenden Erfindung werden einfache Maßnahmen vorgeschlagen, die eine nachträgliche Rückseitenprozessierung von Bauteilen mit einer Membranstruktur in der Bauteiloberfläche ermöglichen, um Zugangsöffnungen zu der Kaverne unterhalb der Membran zu erzeugen. Nachdem eine erste Membranschicht (111) und eine Kaverne (12) unter der ersten Membranschicht (111) von der Bauteiloberfläche ausgehend in einem Substratmaterial erzeugt worden sind, soll erfindungsgemäß über der ersten Membranschicht (111) zumindest im Bereich der mindestens einen zu erzeugenden Zugangsöffnung (13) eine Ätzstoppschicht (3) aufgebracht werden. Diese Zugangsöffnung (13) soll dann in einem Ätzschritt erzeugt werden, der von der Bauteilrückseite ausgeht und durch die Ätzstoppschicht (3) über der ersten Membranschicht (111) begrenzt wird.

Abstract translation: 本发明提出了简单的措施其能够在部件表面具有膜结构的组件的后续Rückseitenprozessierung以形成进入开口至膜下方的空腔。 一个第一薄膜层（111）和所述第一薄膜层的空腔（12）后（111）已经从部件表面产生，在衬底材料开始，应根据本发明在所述第一薄膜层（111）（在至少一个的区域中至少要生成的访问开口 13）的蚀刻停止层（3）被应用。 此访问开口（13）是在蚀刻步骤中，从所述后侧部件和通过在所述第一薄膜层（111）的蚀刻停止层（3）开始被限制为产生。

公开(公告)号：WO03104141A8

公开(公告)日：2004-04-29

申请号：PCT/SG0300141

申请日：2003-06-10

Applicant: INST MATERIALS RESEARCH & ENG ,  TANG XIAOSONG ,  CHUA BEE LEE ,  LI ZHIHONG ,  TIEN NORMAN C ,  TAY ENG HOCK FRANCIS

Inventor： TANG XIAOSONG ,  CHUA BEE LEE ,  LI ZHIHONG ,  TIEN NORMAN C ,  TAY ENG HOCK FRANCIS

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: B81C1/00936 ,  B81C2201/014

Abstract: A MEMS device is formed from a silicon device layer (9), an intermediate thermal oxide layer (7), and a silicon substrate (5). A microstructure is formed by a removal of material from the device layer (9), where the intermediate layer (7) is resistant to the removal technique, eg, acting as an etch stop layer. The microstructure is released by selective removal of portions of the substrate layer (9) immediately below the microstructure, eg, via a backside etch, followed by removing portions of the intermediate layer (7) beneath the microstructure. Siction is avoided as there is no substrate below the microstructure.

Abstract translation: MEMS器件由硅器件层（9），中间热氧化物层（7）和硅衬底（5）形成。 通过从器件层（9）去除材料形成微结构，其中中间层（7）对除去技术是有抵抗力的，例如用作蚀刻停止层。 通过选择性地去除微结构下方的基底层（9）的部分，例如经由背面蚀刻，随后除去微结构下面的中间层（7）的部分，来释放微结构。 避免了微观结构下面的底物。