公开(公告)号：EP0715342A3

公开(公告)日：1996-10-16

申请号：EP95118865.5

申请日：1995-11-30

Applicant: Heraeus Quarzglas GmbH ,  SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.

Inventor： Aoyama, Masaaki ,  Miyazawa, Hiroyuki

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/46 ,  F27B17/00

CPC classification number: H01L21/67098 ,  C03B19/095 ,  C03C3/06 ,  C03C11/007 ,  C03C2201/80 ,  C23C16/46 ,  C23C16/54 ,  C30B25/08 ,  Y02P40/57

Abstract: A wafer heat-treatment apparatus is known, comprising a reactor vessel having a ceiling portion and a side portion, and heater or heaters installed outside or inside the reactor vessel, whereby a single wafer is disposed at a predetermined position in the vessel for heat-treatment by means of heat from the heater or heaters. To provide a single-wafer heat-treatment apparatus with securement of enough strength in heat-treatment of a semiconductor wafer of an enlarged diameter of as large as 8 inches to 12 inches and improved working efficiency in exchange of wafers and facilitation of operation in a single-wafer heat-treatment, it is suggested that at least a heated region of the reactor vessel is manufactured as substantially a single quartz glass body with no welded portion, and at least a part of the heated region is translucent or opaque by bubbles distributed almost throughout the bulk of the region.

Abstract translation: 已知一种晶片热处理装置，其包括具有顶部和侧部的反应器容器，以及安装在反应器容器外部或内部的一个或多个加热器，由此将单个晶片设置在容器中的预定位置处， 借助加热器或加热器的热量进行处理。 为了提供一种单晶片热处理设备，其具有足够的强度来对直径为8英寸至12英寸的扩大直径的半导体晶片进行热处理，并且在交换晶片时提高了工作效率，并且便于操作 单晶片热处理，建议将反应器容器的至少一个加热区域制造为基本上没有焊接部分的单个石英玻璃体，并且加热区域的至少一部分是由分布的气泡半透明或不透明的 几乎遍及该地区的大部分地区。

公开(公告)号：NO20006376A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：NO20006376

申请日：2000-12-14

Applicant: HERAEUS QUARZGLAS

Inventor： WERDECKER WALTRAUD ,  LEIST JOHANN

IPC: C03B20/00 ,  C03B19/09 ,  C30B15/10 ,  C30B35/00 ,  F27B14/10 ,  C03C3/06

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/09 ,  C03B19/095 ,  C03B2201/04 ,  C03C2201/02 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/80 ,  C30B15/10 ,  C30B35/002 ,  Y10S65/04 ,  Y10T428/131

公开(公告)号：WO2013171937A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：PCT/JP2013/000890

申请日：2013-02-19

Applicant: 信越石英株式会社

Inventor： 山形　茂

IPC: C30B29/06 ,  C03B20/00 ,  C30B15/10

CPC classification number: C03B19/02 ,  C03B19/095 ,  C03B2201/04 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/23 ,  C03B2201/54 ,  C03C3/06 ,  C03C8/02 ,  C03C10/0009 ,  C03C21/008 ,  C03C23/007 ,  C03C2201/02 ,  C03C2201/54 ,  C03C2201/80 ,  C03C2203/10 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  Y02P40/57 ,  Y10T117/1032

Abstract: 　本発明は、内側に透明シリカガラスから成る透明層を有し、外側に気泡を含有する不透明シリカガラスから成る不透明層を有する単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器であって、前記透明層が、前記シリカ容器の内表面側に位置し、ＯＨ基を２００～２０００ｍａｓｓｐｐｍの濃度で含有する高ＯＨ基層と、該高ＯＨ基層よりもＯＨ基濃度が低い低ＯＨ基層とから成り、前記高ＯＨ基層がＢａを５０～２０００ｍａｓｓｐｐｍの濃度で含有するものである単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器である。これにより、単結晶シリコン引き上げ用にシリカ容器を用いた場合に、該容器使用開始後短時間のうちに該容器の透明シリカガラスから成る内側表面の全面が微細結晶化（グラスセラミックス化）することにより、該容器内側表面のシリコン融液に対する耐エッチング性（耐侵食性）を大幅に向上させるようなシリカ容器、及び、そのようなシリカ容器の製造方法が提供される。

Abstract translation: 这种二氧化硅容器用于制造单晶硅，并且在内部具有包括透明石英玻璃的透明层，并且在外部具有包含含有气泡的不透明石英玻璃的不透明层。 透明层位于二氧化硅容器的内表面侧，并且包含OH基浓度为200-2000质量ppm的OH基团和OH基浓度低于OH基浓度的低OH基层的高OH基层。 的高OH基层，高OH基层含有Ba的50-2000质量ppm的浓度。 结果，提供了：二氧化硅容器，使得当二氧化硅容器用于制备单晶硅时，容器内表面相对于熔融硅的耐腐蚀性（耐侵蚀性）通过整个 包含容器的透明石英玻璃的内表面的表面在容器使用开始后的短时间内被微晶化（玻璃化）; 以及这种二氧化硅容器的制造方法。

公开(公告)号：WO2011151154A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：PCT/EP2011/057773

申请日：2011-05-13

Applicant: QSIL AG QUARZSCHMELZE ILMENAU ,  KREUZBERGER, Thomas

Inventor： KREUZBERGER, Thomas

IPC: C03B19/12 ,  C03C1/00

CPC classification number: C03B20/00 ,  C03B19/12 ,  C03C1/006 ,  C03C3/00 ,  C03C11/00 ,  C03C2201/80 ,  C03C2203/22

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Quarzglaskörpers (Q) aus einem Gelkörper, wobei der aus einem Sol (S) erzeugte Gelkörper zumindest geformt und zu dem Quarzglaskörper (Q) verdichtet wird. Erfindungsgemäß werden dem Sol (S) vor dem Gelieren zum Gelkörper Verdrängungskörper (V) hinzugefügt, welche nach dem Gelieren vollständig aus dem Gelkörper entfernt werden, wobei an den Positionen der entfernten Verdrängungskörper (V) Hohlräume (H) erzeugt werden, so dass ein transluzenter oder opaker Quarzglaskörper (Q) erzeugt wird. Weiterhin betrifft die Erfindung einen Gelkörper zur Herstellung eines Quarzglaskörpers (Q), wobei in den Gelkörper Verdrängungskörper (V) eingebracht sind, welche derart vollständig aus dem Gelkörper entfernbar sind, dass an den Positionen der Verdrängungskörper (V) Hohlräume (H) entstehen. Ferner betrifft die Erfindung einen Quarzglaskörper, der Vakuolen oder mit Gas gefüllte Hohlräume (H) aufweist.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于从凝胶的主体，其特征在于，由溶胶（S）至少形成与石英玻璃体（Q）产生的凝胶体被压缩产生石英玻璃体（Q）。 根据本发明，其中，所述远程位移体（V）的腔（H）的位置被添加到生成之前胶凝凝胶体位移体（V），这是本凝胶体的凝胶化后完全除去溶胶（S），使得半透明 或不透明的石英玻璃体（Q）被生成。 此外，本发明涉及一种凝胶体用于制造石英玻璃体（Q），其中，在所述凝胶体位移体（V）被插入，这是如此完全地从凝胶体除去，即在位移体（V）的腔（H）发生的位置。 此外，本发明涉及一种石英玻璃体，液泡或填充有气体的空腔（H）。

公开(公告)号：WO01046077A1

公开(公告)日：2001-06-28

申请号：PCT/EP2000/012686

申请日：2000-12-14

IPC: C03B20/00 ,  C03B19/09 ,  C30B15/10 ,  C30B35/00 ,  F27B14/10 ,  C03C3/06

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/09 ,  C03B19/095 ,  C03B2201/04 ,  C03C2201/02 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/80 ,  C30B15/10 ,  C30B35/002 ,  Y10S65/04 ,  Y10T428/131

Abstract: The invention relates to a crucible characterized in that said crucible is of high purity and high opacity or exhibits low transmission characteristics in the IR range and is derived from a quartz glass crucible known in prior art. Said crucible known in prior art has a crucible body which is symmetrical about a rotational axis and said body is made of opaque quartz glass, whereby the crucible has an outer zone (3) made of opaque quartz glass which projects radially inwards to an inner zone (2) made of transparent quartz glass having a density of at least 2.15 g/cm . The crucible body (1) is made of a synthetic SiO2 granulate with a specific surface (according to BET) in the range of 0.5 m /g to 40 m /g and having a stamp density of at least 0.8 g/cm and is produced from an at least partially porous agglomerate of SiO2 primary particles. A method for producing said quartz glass crucible is characterized according to the invention in that during the production of said crucible, an at least partially porous agglomorate of synthetically produced SiO2 granulate made of SiO2 primary particles is produced having a specific surface (according to BET) in the range of 0.5 m /g to 40 m /g and a stamp density of at least 0.8 g/cm . Heating is performed in such a manner that a vitrification front progresses from the inside to the outside of an inner zone (4) made of transparent quartz glass.

Abstract translation: 为了从一个已知的石英玻璃坩埚开始与周围不透明石英玻璃的具有外区中的旋转轴坩埚主体对称（3）不透明石英玻璃构成，在内部区域径向向内（2）具有至少2.15克密度透明石英玻璃的 /厘米<3>通过提供一种石英玻璃坩埚，其特征是高纯度，高的不透明度和在IR范围内的低传输，根据它建议将锅体（1）由合成二氧化硅颗粒（具有特定的表面的本发明 /克至40μm<2> / g，且至少为0.8的夯实密度克/厘米<3>，它是由BET在0.5微米<2>的SiO至少部分多孔附聚物2个一次粒子的范围形成的） 被产生。 一种用于制造这样的石英玻璃坩埚的方法是根据本发明的特征在于，合成产生的SiO至少部分多孔附聚物其 2的特征在于<形成一次粒子的SiO> 2 <颗粒使用具有比表面积（按照BET） > /克至40μm<2> / g，且至少为0.8的夯实密度克/厘米<3>在0.5毫升2的范围内，其中所述加热进行，使得内部区域的形成（4） 玻璃化前从内侧向透明石英玻璃的外侧进行。

公开(公告)号：WO1997030000A1

公开(公告)日：1997-08-21

申请号：PCT/GB1997000398

申请日：1997-02-13

Applicant: TSL GROUP PLC ,  SAYCE, Ian, George ,  WELLS, Peter, John

Inventor： TSL GROUP PLC

IPC: C03C03/06

CPC classification number: C03B19/095 ,  C03B3/026 ,  C03C3/06 ,  C03C11/00 ,  C03C2201/80 ,  C03C2203/10 ,  Y02P40/57 ,  Y10S65/08

Abstract: Disclosed is a quartz glass product of enhanced opacity manufactured by fusion of silica particles, the opacity being enhanced by the reaction of an organosilicon additive in the course of the fusion process. A method of enhancing the opacity of a quartz glass product by fusing silica particles in the presence of an organosilicon additive is also disclosed.

Abstract translation: 公开了通过二氧化硅颗粒的熔融制造的增强的不透明度的石英玻璃产品，通过在熔融过程中的有机硅添加剂的反应来增强不透明度。 还公开了通过在有机硅添加剂的存在下熔融二氧化硅颗粒来增强石英玻璃产品的不透明度的方法。

公开(公告)号：WO1996026908A1

公开(公告)日：1996-09-06

申请号：PCT/EP1996000794

申请日：1996-02-27

Applicant: HERAEUS QUARZGLAS GMBH ,  SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD. ,  INAKI, Kyoichi ,  SEGAWA, Tohru ,  YOSHIDA, Nobumasa ,  ENDO, Mamoru

Inventor： HERAEUS QUARZGLAS GMBH ,  SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.

IPC: C03C14/00

CPC classification number: C03C14/004 ,  C03B20/00 ,  C03B32/02 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/02 ,  C03C2201/80 ,  C03C2214/20 ,  C03C2214/30

Abstract: An object of the present invention is to provide silica glass having high purity, high heat resistance, large coefficient of thermal expansion, and low light transmittance and a method of producing the same. Another object of the present invention is to provide a silica glass jig with a vapor-deposited film thereon. Therefore cristobalite-contained silica glass wherein alpha -cristobalite in the shape of a small sphere or a small, round-edged or sharp-edged, three-dimensional region is dispersed in the silica glass matrix, the diameter of each alpha -cristobalite sphere or region is in the range of 0.1 mu m to 1000 mu m, and a content of the alpha -cristobalite is at least 10 wt.%. A method of producing the cristobalite-contained silica glass by heating a mixture of two kinds or more of crystalline silicon dioxide powder the melting points of which silicon dioxide are different from each other by 20 DEG C or more wherein the mixture contains the silicon dioxide having the highest melting point at a content in the range of 10 wt.% to 80 wt.% and is heated at temperatures in the range of the lowest melting point of the ingredients to a temperature lower than the highest melting point. The silica glass jig is made of the cristobalite-contained silica glass and the surface of the jig is covered with a vapor-deposited thin film which has a property of being resistant to plasma etching, and which is made of a material of almost the same coefficient of thermal expansion as that of the silica glass. The silica glass jig has no chance to generate particles therefrom and thereby to contaminate a silicon wafer.

Abstract translation: 本发明的目的是提供纯度高，耐热性高，热膨胀系数高，透光率低的石英玻璃及其制造方法。 本发明的另一个目的是提供一种在其上具有气相沉积膜的石英玻璃夹具。 因此，含方英石的二氧化硅玻璃，其中形成小球形或小圆形边缘或锐边三维区域的α-方英石分散在石英玻璃基体中，每个α-方英石球体的直径或 区域在0.1〜1000μm的范围内，α-方英石的含量为10重量％以上。 通过将二氧化硅的熔点彼此不同的熔点为20℃以上的结晶二氧化硅粉末的混合物加热制造含方石英的二氧化硅玻璃的方法，其中，所述混合物含有二氧化硅， 在10重量％至80重量％范围内的含量最高的熔点，并且在成分的最低熔点范围内的温度下加热到低于最高熔点的温度。 二氧化硅玻璃夹具由含方石英的二氧化硅玻璃制成，夹具的表面被具有耐等离子蚀刻性的气相沉积薄膜覆盖，并由几乎相同的材料制成 热膨胀系数为石英玻璃的热膨胀系数。 二氧化硅玻璃夹具没有机会从中产生颗粒，从而污染硅晶片。

公开(公告)号：EP3339258A1

公开(公告)日：2018-06-27

申请号：EP17205079.1

申请日：2017-12-04

Applicant: Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG

Inventor： SCHENK, Christian ,  SCHEICH, Gerrit ,  TSCHOLITSCH, Nadine

IPC: C03B19/06 ,  C03C3/06 ,  C03B20/00

CPC classification number: C03B19/066 ,  C03B2201/02 ,  C03C1/006 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/80

Abstract: Bei einem bekannten Verfahren zur Herstellung von opakem Quarzglas wird aus einem feinteilige, amorphe SiO 2 Teilchen und grobteilige SiO 2 -Armierungskörper enthaltenden Schlicker ein Grünkörper erzeugt und dieser durch eine Sinter-Behandlung zu einem Rohling aus dem opaken Quarzglas gesintert. Die Armierungskörper mit einer spezifischen Dichte D K1 sind dabei in einer SiO 2 -Matrix mit einer spezifischen Glasdichte D M eingebettet. Um hiervon ausgehend einen wenig rissanfälligen Rohling aus opakem Quarzglas bereitzustellen, das auch bei geringen Wandstärken eine homogene Transmission aufweist, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass sinterfähige Armierungskörper eingesetzt werden, deren spezifische Dichte D K0 vor der Sinter-Behandlung geringer ist als die spezifische Glasdichte D M , und die infolge der Sinter-Behandlung die spezifische Dichte D K1 erreichen, die von der spezifischen Glasdichte D M um weniger als 10% abweicht, und die eine mittlere Partikelgröße (D 50 -Wert) von mindestens 500 µm aufweisen.

公开(公告)号：EP3339256A1

公开(公告)日：2018-06-27

申请号：EP16206682.3

申请日：2016-12-23

Applicant: Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG

Inventor： SCHENK, Christian ,  SCHEICH, Gerrit ,  TSCHOLITSCH, Nadine

IPC: C03B19/06 ,  C03C3/06 ,  C03B20/00

CPC classification number: C03B19/066 ,  C03B2201/02 ,  C03C1/006 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/80

Abstract: Bei einem bekannten Verfahren zur Herstellung von opakem Quarzglas wird aus einem feinteilige, amorphe SiO 2 -Teilchen und grobteilige SiO 2 -Armierungskörper enthaltenden Schlicker ein Grünkörper erzeugt und dieser durch eine Sinter-Behandlung zu einem Rohling aus dem opaken Quarzglas gesintert. Die Armierungskörper mit einer spezifischen Dichte D K1 sind dabei in einer SiO 2 -Matrix mit einer spezifischen Glasdichte D M eingebettet. Um hiervon ausgehend einen wenig rissanfälligen Rohling aus opakem Quarzglas bereitzustellen, das auch bei geringen Wandstärken eine homogene Transmission aufweist, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass sinterfähige Armierungskörper eingesetzt werden, deren spezifische Dichte D K0 vor der Sinter-Behandlung geringer ist als die spezifische Glasdichte D M , und die infolge der Sinter-Behandlung die spezifische Dichte D K1 erreichen, die von der spezifischen Glasdichte D M um weniger als 10% abweicht.

公开(公告)号：EP2202335B1

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：EP08825825.6

申请日：2008-09-29

Applicant: Japan Super Quartz Corporation

Inventor： KISHI, Hiroshi

IPC: C30B15/10 ,  C03C19/00 ,  C30B35/00 ,  C03C3/06

CPC classification number: C30B15/10 ,  C03C3/06 ,  C03C19/00 ,  C03C2201/80 ,  C03C2203/10 ,  C03C2204/08 ,  C30B35/002 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1032