OPTICAL INSPECTION EQUIPMENT FOR SEMICONDUCTOR WAFERS WITH PRECLEANING
    81.
    发明申请
    OPTICAL INSPECTION EQUIPMENT FOR SEMICONDUCTOR WAFERS WITH PRECLEANING 审中-公开
    用于半导体滤波器的光学检测设备与预处理

    公开(公告)号:WO00019518A1

    公开(公告)日:2000-04-06

    申请号:PCT/US1999/020610

    申请日:1999-09-08

    Abstract: A method for improving the measurement of semiconductor wafers is disclosed. In the past, the repeatability of measurements was adversely affected due to the unpredictable growth of a layer of contamination over the intentionally deposited dielectric layers. Repeatability can be enhanced by removing this contamination layer prior to measurement. This contamination layer can be effectively removed in a non-destructive fashion by subjecting the wafer to a cleaning step. In one embodiment, the cleaning is performed by exposing the wafer to microwave radiation. Alternatively, the wafer can be cleaned with a radiant heat source. These two cleaning modalities can be use alone or in combinationn with each other or in combination with other cleaning modalities. The cleaning step may be carried out in air, an inert atmosphere or a vacuum. Once the cleaning has been performed, the wafer can be measured using any number of known optical measurement systems.

    Abstract translation: 公开了一种改善半导体晶片测量的方法。 在过去,由于在有意沉积的介电层上的污染层的不可预测的增长,测量的重复性受到不利影响。 在测量之前,通过去除这个污染层可以提高重复性。 通过使晶片进行清洁步骤,可以非破坏性地有效地去除该污染层。 在一个实施例中,通过将晶片暴露于微波辐射来进行清洁。 或者,可以用辐射热源清洁晶片。 这两种清洁方式可以单独使用或组合使用,或与其他清洁模式组合使用。 清洁步骤可以在空气,惰性气氛或真空中进行。 一旦执行了清洁,就可以使用任何数量的已知光学测量系统测量晶片。

    分光測定装置及び保管ケース
    82.
    发明专利
    分光測定装置及び保管ケース 审中-公开
    光谱仪和存储器

    公开(公告)号:JP2016090250A

    公开(公告)日:2016-05-23

    申请号:JP2014221149

    申请日:2014-10-30

    Abstract: 【課題】外光の侵入を抑制し、測定精度を向上させる分光測定装置及び保管ケースを提供することを目的とする。 【解決手段】生体検査装置1は、入射する光に含まれる測定対象波長の光の光量を取得する測定モジュール10と、測定モジュール10を収納し、測定モジュール10に向かう光を通過させる窓部23を有する筐体20と、を備えている。筐体20には、当該筐体20の表面22Aのうちの、少なくとも窓部23を囲む領域に粘着部材24が設けられている。この粘着部材24は、測定モジュール10に向かう光の光軸Lに沿う方向に見た平面視において、窓部23よりも外側で当該窓部23を囲む、少なくとも測定対象波長を含む測定波長域の光を遮る遮光部241を有する。 【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题:提供能够抑制外部光线入侵并提高测量精度的光谱仪和存储盒。解决方案:生物检查装置1包括:测量模块10,其获取测量波长的光的能量 目标包括在入射光下; 以及壳体20,其存储测量模块10,并且具有窗口23以使朝向测量模块10传播的光通过。壳体20包括布置在至少包围窗口23的区域中的粘合构件24, 粘合部件24包括遮光部241,该遮光部241在至少包括测量对象的波长的测量波长区域中遮光,所述测量波长区域位于窗户23的外侧,并且以窗口23的方向 沿着朝向测量模块10传播的光的光轴L.选择的图示:图2

    Ultra-high-sensitivity spectrophotometer
    84.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2008537993A

    公开(公告)日:2008-10-02

    申请号:JP2007551322

    申请日:2006-01-11

    Abstract: 本発明は、光が光強度変化を引き起こす物質と相互作用する測定に関し、本発明の好ましい実施形態である分光光度計は、物質との反射相互作用による超高感度測定を提供する。 これらの測定での光源ノイズレベルは、本発明に従って低減できる。 本発明の好ましい実施形態は、内部光源の無い封止ハウジング(112,600,700)と、サンプルおよび参照セルに基づく反射を使用する。 幾つかの実施形態では、実質的に固体の熱伝導性ハウジング(600,700)が用いられる。 好ましい実施形態の他の特徴は、サンプルセルおよび参照セルに基づく特定の反射を含む。 内部全反射の実施形態は、例えば、相互作用面を含むプリズム(302,322,622a,623a)と、検出器と、プリズムからのビーム出力を検出器上に集光するレンズと、気体または液体を相互作用面へ配給するための入口および出口を有する閉じた相互作用容積とを含む。 鏡面反射の実施形態では、プリズムの代わりに反射面(402,422)が使用される。 拡散反射の実施形態では、プリズムの代わりに、つや消し(matte)面(502,522)が使用され、つや消し面が散乱を生成する。 本発明の態様は、分光測光法でのノイズ関与成分の識別と、所定の実施形態では、選別した組の好ましい特徴を含み、好ましい実施形態の装置の応用により、ショットノイズ限界にかなり近いノイズレベルが実現可能である。

    多重反射型セル及び分析装置
    88.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2017187317A

    公开(公告)日:2017-10-12

    申请号:JP2016074604

    申请日:2016-04-01

    Abstract: 【課題】構造を複雑にすることなく、位置調整機構に起因するデッドスペースを削減しつつ、所望の光路長に調整できる。 【解決手段】入射した光を多重反射した後に外部へ射出する多重反射型セル102であって、試料が導入されるセル室2Sが形成されるセル本体2と、セル本体2に取り付けられて、セル室2Sに反射面3xが位置する2以上の反射部材と31〜33、セル本体2に対して反射部材32、33の位置を調整する位置調整機構4とを備えている。セル本体2は、セル室2Sと外部とを連通し、反射部材32、33が取り付けられる取り付け部221を有している。取り付け部221に取り付けられた反射部材32、33とセル本体2との間に、セル室2Sとセル本体2の外部との間を封止するシール部材7が設けられており、シール部材7によりセル室2Sとセル本体2の外部との間が封止されている。位置調整機構4は、セル室2Sの外部に設けられている。 【選択図】図3

    Systems and processes to detect the seal goods of leakage

    公开(公告)号:JP2005537494A

    公开(公告)日:2005-12-08

    申请号:JP2004536031

    申请日:2003-08-15

    CPC classification number: G01M3/363 G01N2201/0227 G03H1/0443

    Abstract: 【課題】
    【解決手段】 密閉構造によって周囲条件から隔離されている内部チャンバを有するタイプである複数の密閉型電子装置の漏洩検査のためのシステムおよび方法を有利に設計することにより、前述のような装置のサンプリング内に典型的に存在する構造的製造ばらつきから独立した方法で個々の装置の漏洩速度を計算することを可能にする。 好ましくは、前記方法は、検査領域内に複数の密閉型電子装置を配置し、その後に前記密閉型電子装置を、例えば前記装置の周囲圧力を変化させることなどによる変調エネルギー入力によって刺激する工程を含む。 次に、前記各密閉型電子装置の蓋部の一部分の物理的位置などの特性を検出する。 前記検出された特性は、前記の変調エネルギー入力の第1の関数、及び前記の密閉された内部チャンバ内の圧力条件の第2の関数として変化するものである。 前記第1及び第2の関数が互いに線形に独立している。 前記装置の刺激を前記検出された特性と比較すること、及び前記2つの既知の関数を用いて差異を認めることによって、異なる装置間に存在することが可能な、例えば蓋部の厚さの違いのような差異から実質的に独立している、個々の装置の漏洩速度を求める。 従って、最小限のキャリブレーションによって正確な漏洩速度を求めることが可能となる。

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