EUV 광원, EUV 노광 장치 및 반도체 장치의 제조방법
    82.
    发明公开
    EUV 광원, EUV 노광 장치 및 반도체 장치의 제조방법 有权
    EUV光源,EUV曝光设备和半导体器件制造方法

    公开(公告)号:KR1020070023694A

    公开(公告)日:2007-02-28

    申请号:KR1020067023544

    申请日:2005-06-22

    Abstract: A liquid in which fine solid Sn particles are dispersed in a resin is accommodated inside the heated tank 4. The resin pressurized by a pressurizing pump is conducted to a nozzle 1, so that a liquid-form resin is caused to jet from the tip end of the nozzle 1 that is disposed inside a vacuum chamber 7. The liquid-form resin which is caused to jet from the nozzle 1 assumes a spherical shape as a result of surface tension, and is solidified by being cooled in a vacuum, so that a solid-form target 2 is formed. A laser introduction window 10 used for the introduction of laser light is formed in the vacuum chamber 7, and laser light generated from a laser light source 8 disposed on the outside of the vacuum chamber 7 is focused by a lens 9 and conducted into the vacuum chamber 7, so that the target is converted into a plasma, thus generating EUV light.

    마이크로리소그래피를 위한 조명 시스템

    公开(公告)号:KR1020040004384A

    公开(公告)日:2004-01-13

    申请号:KR1020037004516

    申请日:2001-09-28

    Abstract: 본 발명은 주요 광원; 제 1 광학부; 제 2 광학부; 이미지면과 출사 동공으로 구성되고, 상기 제 1 광학부가 주요 광원을 상기 출사 동공 내 상기 제 2 광학부에 의해 상형성된 다수의 제 2 광원으로 변형시킨다는 점, 상기 제 1 광학부가 상기 이미지면 내의 필드 상에 적어도 부분적으로 겹쳐진 다수의 상을 형성하는 상기 이미지면 내로 상이 형성되는 다수의 제 1 래스터 요소를 가진 제 1 광학적 요소를 포함한다는 점, 상기 다수의 제 1 래스터 요소가 사각형이라는 점, 상기 제 2 광학부는 상기 환형 구획에 상기 필드를 형성하는 음의 광학적 힘을 가진 제 1 필드 거울과 양의 광학적 힘을 가진 제 2 필드 거울을 포함한다는 점, 다수의 광선 각각이 70°이상의 입사각을 가진 상기 제 1 필드 거울을 가로지른다는 점, 다수의 광선 각각이 25°이상의 입사각을 가진 상기 제 2 필드 거울을 가로지른다는 점을 특� �으로 하는 특히 파장 193 nm 이하의 마이크로리소그래피를 위한 조명 시스템에 관한 것이다.

    반사형 광학 소자, 투영 시스템, 및 투영 노광 장치

    公开(公告)号:KR101808341B1

    公开(公告)日:2017-12-12

    申请号:KR1020110023821

    申请日:2011-03-17

    Abstract: UV 또는 EUV 리소그래피에대한조명시스템및 투영노광장치에이용하기위해, 자외선내지극자외선파장범위내의동작파장에대한반사형광학소자가제시되며, 이반사형광학소자는, 기판상에, 동작파장에서서로다른실수부의굴절률을가진 2 이상의교호물질층(41, 42)을가진다층시스템을갖는반사면을포함하며, 특정입사각대역폭분포의동작파장의방사는반사형광학소자에닿을수 있고, 반사면은, 층(41, 42)이제1 주기두께(P1)의교호물질을가진하나이상의제1 부분(A1), 및교호물질층(41, 42)이제1 (P1) 및하나이상의추가주기두께(P2)를가진하나이상의추가부분(A2)을포함하며, 반사면에걸친제1 (A1) 및추가부분(A2)의배치는입사각대역폭분포에적응된다. 더욱이, 이와같은반사형광학소자를포함하는투영시스템및 투영노광장치가제시된다.

    EUV 광원, EUV 노광 장치 및 반도체 장치의 제조방법
    87.
    发明授权
    EUV 광원, EUV 노광 장치 및 반도체 장치의 제조방법 有权
    EUV光源,EUV曝光设备和半导体器件制造方法

    公开(公告)号:KR101172924B1

    公开(公告)日:2012-08-14

    申请号:KR1020067023544

    申请日:2005-06-22

    Abstract: A liquid in which fine solid Sn particles are dispersed in a resin is accommodated inside the heated tank 4. The resin pressurized by a pressurizing pump is conducted to a nozzle 1, so that a liquid-form resin is caused to jet from the tip end of the nozzle 1 that is disposed inside a vacuum chamber 7. The liquid-form resin which is caused to jet from the nozzle 1 assumes a spherical shape as a result of surface tension, and is solidified by being cooled in a vacuum, so that a solid-form target 2 is formed. A laser introduction window 10 used for the introduction of laser light is formed in the vacuum chamber 7, and laser light generated from a laser light source 8 disposed on the outside of the vacuum chamber 7 is focused by a lens 9 and conducted into the vacuum chamber 7, so that the target is converted into a plasma, thus generating EUV light.

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