等离子体显示装置
    82.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100565627C

    公开(公告)日:2009-12-02

    申请号:CN200610006130.1

    申请日:2006-01-19

    CPC classification number: H01J11/44 H01J11/10

    Abstract: 一种等离子体显示装置,包括具有前基板和后基板的等离子体显示面板,其中所述前基板的内表面被设置以面向所述后基板的内表面、与所述前基板的外表面相邻设置的柔性滤光器和沿所述柔性滤光器的边缘设置且将所述柔性滤光器固定在适当位置处的第一粘结构件。

    等离子体显示面板等的面板制造系统

    公开(公告)号:CN101278370A

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:CN200580051757.2

    申请日:2005-10-07

    Inventor: 木曾田欣弥

    CPC classification number: H01J9/46 H01J11/10

    Abstract: 本发明提供一种能几乎全自动化制造等离子体显示面板等面板的等离子体显示面板等的面板制造系统。其包括:闭环状的循环路径(1);在循环路径上移动的多个工作车(2);设置在工作车上的衬底搭载部;设置在工作车上,安装排气管的排气管安装部;设置在工作车上,与排气管安装部连接的排气装置;设置在循环路径中,进行密封处理和排气处理的热处理炉(8);设置在循环路径中的装卸部(9);将衬底或排气管搬入装卸部(9)中的传送带(10、11);设置在装卸部,根据控制信息工作,进行面板制造作业的机器人(12~15);从装卸部搬出面板的传送带(16);控制这些机械人的控制盘(17~20)。

    具有第一和第二基底的微等离子体装置

    公开(公告)号:CN101180702A

    公开(公告)日:2008-05-14

    申请号:CN200580040899.9

    申请日:2005-10-28

    CPC classification number: H01J11/10 H01J9/241 H01J11/00

    Abstract: 一种微等离子体放电装置(90)和阵列的制造方法。所述方法应用了从半导体装置的制造中汲取的技术,例如化学处理和光刻,从而生产出廉价的装置的阵列。在第一基底(14)上沉积交叉电极(16,18)。通过激光微机加工、蚀刻、或通过化学(湿法或干法)蚀刻在第二基底(34)内形成空腔并且所述第二基底(34)覆盖于所述电极阵列上。设置内部电极间距和电极宽度,使得在各空腔在下面具有至少一对电极从而激励在所述空腔内的等离子放电。因而避免了精确对准两个基底的要求。

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