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公开(公告)号：CN106232351A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580022073.3
申请日：2015-04-06
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: B32B7/06 , B32B9/00 , B32B17/06 , C03B40/033 , C03C17/22 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够容易地剥离玻璃基板的玻璃层叠体。本发明涉及一种玻璃层叠体，其具备：带无机层的支撑基板，其具有支撑基板及配置在上述支撑基板上的无机层；和可剥离地层叠在上述无机层上的玻璃基板，上述无机层包含：含有F的含F无机层。
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公开(公告)号：CN105745354A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201480063059.3
申请日：2014-11-14
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C23C16/40 , C03C17/245
CPC classification number: C23C16/405 , C03C17/2456 , C03C17/3417 , C03C2217/212 , C03C2217/73 , C03C2217/77 , C03C2218/1525 , C09D1/00
Abstract: 本发明涉及TiO2薄膜的形成方法，其为使用常压CVD法在基板上形成TiO2薄膜的方法，其中，原料气体包含钛酸四异丙酯(TTIP)和能够在100～400℃的温度区域中汽化的金属M的氯化物，所述金属M的氯化物的量以相对于钛酸四异丙酯(TTIP)的浓度比(金属M的氯化物(摩尔％)/TTIP(摩尔％))计为0.01～0.18。
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公开(公告)号：CN104603076A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380046844.3
申请日：2013-08-23
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C03C3/083 , H01L31/0392
CPC classification number: H01L31/03923 , C03C3/087 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供平衡性良好地满足高发电效率、高玻璃化温度、规定的平均热膨胀系数、高玻璃强度、低玻璃密度、以及平板玻璃生产时的高熔化性、良好的成形性、良好的防失透特性的太阳能电池用玻璃基板及使用该玻璃基板的太阳能电池。该太阳能电池用玻璃基板以下述氧化物基准的质量百分比表示，含有50～65％的SiO2、8～15％的Al2O3、0～1％的B2O3、0～10％的MgO、1～12％的CaO、6～12％的SrO、0～3％的BaO、1～7％的ZrO2、2～8％的Na2O、0～8％的K2O，MgO+CaO+SrO+BaO为15～30％，SrO/Na2O为0.8～2.5。
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公开(公告)号：CN101297380A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200680040301.0
申请日：2006-10-25
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01J9/02 , C03C17/2453 , C03C23/0025 , C03C23/007 , C03C2217/211 , C03C2217/23 , C03C2217/231 , C03C2217/24 , C03C2218/151 , H05K3/027 , H05K2201/0108 , H05K2201/0326 , Y10T29/49124 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明的目标是提供一种用于制造带有氧化锡薄膜的透明衬底的方法，即使通过低能量激光来辐照所述氧化锡薄膜也可以令人满意地图案化，因为由此会发生烧蚀现象。本发明涉及一种用于制造带有电路图案的透明衬底的方法，包括使用波长1,064nm的激光辐照附着有薄膜的透明衬底以在所述透明衬底上形成电路图案，所述附着有薄膜的透明衬底包括上面带有透明导电膜的透明衬底，所述透明导电膜的载流子浓度为5×1019/cm3或更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101347054B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680048552.3
申请日：2006-12-18
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H05K3/28 , H01J9/02 , H01J11/12 , H01J11/34 , H05K1/0306 , H05K3/027 , H05K3/38 , H05K2201/0269 , Y10T428/24868
Abstract: 本发明提供了一种用于产生具有电路图案(26)的玻璃基底(10)的方法，其包括：电路图案形成步骤：在玻璃基底上形成薄膜层(12)，然后使用激光(22)照射所述薄膜层以在所述玻璃基底上形成电路图案；低熔点玻璃沉积步骤：在形成有所述电路图案的所述玻璃基底上沉积软化点在450到630℃之间的低熔点玻璃(28)；以及，烧结步骤：烧结所述低熔点玻璃以形成低熔点玻璃层(32)并且在所述玻璃基底和所述低熔点玻璃层之间形成兼容层(34)，所述低熔点玻璃层包括烧结在形成有所述电路图案的所述玻璃基底上的所述低熔点玻璃。
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公开(公告)号：CN101347054A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680048552.3
申请日：2006-12-18
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H05K3/28 , H01J9/02 , H01J11/12 , H01J11/34 , H05K1/0306 , H05K3/027 , H05K3/38 , H05K2201/0269 , Y10T428/24868
Abstract: 本发明提供了一种用于产生具有电路图案(26)的玻璃基底(10)的方法，其包括：电路图案形成步骤：在玻璃基底上形成薄膜层(12)，然后使用激光(22)照射所述薄膜层以在所述玻璃基底上形成电路图案；低熔点玻璃沉积步骤：在形成有所述电路图案的所述玻璃基底上沉积软化点在450到630℃之间的低熔点玻璃(28)；以及，烧结步骤：烧结所述低熔点玻璃以形成低熔点玻璃层(32)并且在所述玻璃基底和所述低熔点玻璃层之间形成兼容层(34)，所述低熔点玻璃层包括烧结在形成有所述电路图案的所述玻璃基底上的所述低熔点玻璃。
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公开(公告)号：CN107709258A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680037288.7
申请日：2016-06-28
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L27/1266 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B17/00 , B32B17/06 , B32B38/10 , B32B43/006 , B32B2307/30 , B32B2307/308 , B32B2307/546 , B32B2307/734 , B32B2315/08 , B32B2457/00 , C03C3/091 , C03C27/10 , G02F1/133516 , G02F1/1341 , G02F1/1368 , G02F2001/13415 , G02F2202/104 , H01L21/6835 , H01L27/1222 , H01L27/1274 , H01L29/78672 , H01L2221/6835 , H01L2221/68386
Abstract: 本发明提供一种载体基板，在再利用多次而进行电子器件的制造时，电子器件的制造成品率也优异。本发明涉及一种载体基板，是在基板的表面制造电子器件用构件时贴合于该基板而使用的载体基板，载体基板至少包含第1玻璃基板，该第1玻璃基板的下述收缩度为80ppm以下。收缩度：将第1玻璃基板从室温以100℃/小时升温并在600℃下进行80分钟的加热处理后，以100℃/小时冷却至室温时的收缩率。
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公开(公告)号：CN104080749A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380006811.6
申请日：2013-01-22
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C03C3/087 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/048 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18 , C03C3/087 , C03C23/008 , H01L31/0322 , H01L31/03923 , H01L31/0488 , Y02E10/541
Abstract: 本发明的CIGS太阳能电池用玻璃基板通过硒化法制作。玻璃基板表层与内部的Ca+Sr+Ba之比为0.7以下。玻璃基板表面与内部的Na2O含量比为0.4～1.1。玻璃基板表层的Na在热处理前后的比为1.1以上。在距离玻璃基板表面的深度5000nm以上，以基于下述氧化物的质量百分率计含有50～72％的SiO2、1～15％的Al2O3、0～10％的MgO、0.1～11％的CaO、0～13％的SrO、0～11％的BaO、1～11％的Na2O、2～21％的K2O、0～10.5％的ZrO2、4～25％的MgO+CaO+SrO+BaO、2～23％的CaO+SrO+BaO、8～22％的Na2O+K2O，且Na2O/(CaO+SrO+BaO)≤1.2。玻璃基板的玻璃化转变温度为580℃以上、平均热膨胀系数为70×10-7～100×10-7/℃。该玻璃基板能够兼顾高发电效率和高玻璃化转变温度。
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公开(公告)号：CN105745354B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201480063059.3
申请日：2014-11-14
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C23C16/40 , C03C17/245
CPC classification number: C23C16/405 , C03C17/2456 , C03C17/3417 , C03C2217/212 , C03C2217/73 , C03C2217/77 , C03C2218/1525 , C09D1/00
Abstract: 本发明涉及TiO2薄膜的形成方法，其为使用常压CVD法在基板上形成TiO2薄膜的方法，其中，原料气体包含钛酸四异丙酯(TTIP)和能够在100～400℃的温度区域中汽化的金属M的氯化物，所述金属M的氯化物的量以相对于钛酸四异丙酯(TTIP)的浓度比(金属M的氯化物(摩尔％)/TTIP(摩尔％))计为0.01～0.18。
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