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公开(公告)号：CN1873890A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610019856.9
申请日：2006-03-01
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127
Abstract: 本发明提供一种电子发射装置，其包括形成在第一基板上的电子发射区域、用于控制从该电子发射区域发射的电子的发射的驱动电极、以及用于聚焦电子并具有电子通过的开口的聚焦电极。第一绝缘层设置在该驱动电极和该聚焦电极之间。该聚焦电极和该绝缘层满足下面两个条件中的至少一个：1.0≤|Vf/t|≤6.0；以及0.2≤|Vf/Wh|≤0.4，这里Vf(V)表示施加到该聚焦电极的电压，t(μm)表示该绝缘层的厚度，并且Wh(μm)表示该聚焦电极的该开口的宽度。
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公开(公告)号：CN1722351A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510074115.6
申请日：2005-04-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127
Abstract: 一种电子发射装置，包括相互面对的第一和第二基板，形成在第一基板上的第一和第二电极和电子发射区域，和形成在第二基板上的阳极和磷光体层。在第一和第二基板之间布置校正电极，校正电极包括带有分布在电子发射区域一侧的梳齿部分的第一子电极，和带有分布在电子发射区域相对侧的梳齿部分的第二子电极。防止了由于在装配过程中第一和第二基板之间的不重合或者由于在热处理过程中第一和第二基板的收缩/扩张差别造成的所发射电子在每一个相应像素上降落特性的恶化，由此提高亮度和色表现度的一致性。本发明还涉及驱动该电子发射装置的方法。
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公开(公告)号：CN1453815A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03122423.7
申请日：2003-04-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J29/481 , H01J3/021 , H01J29/467
Abstract: 本发明的课题是一种显像管器件，它包括备有阴极、周边聚焦电极及加速电极的冷阴极电子枪，上述阴极用绝缘层连接发射极电极和栅电极，其中，使栅电极、周边聚焦电极、加速电极各自与发射极电极的电位差分别为60V、0V、4.6kV。
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公开(公告)号：CN1351756A
公开(公告)日：2002-05-29
申请号：CN00807867.X
申请日：2000-03-29
Applicant: UT-巴特勒有限责任公司
Inventor： 克拉伦斯·E·托马斯 , 拉里·R·贝勒 , 埃德加·沃尔克 , 道格拉斯·H·朗兹 , 迈克尔·J·鲍鲁斯
IPC: H01J3/02 , H01J37/065 , G03F7/20
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , H01J3/021 , H01J37/073 , H01J37/3174 , H01J37/3175 , H01J37/3177 , H01J2237/0635 , H01J2237/31786
Abstract: 描述了可寻址场发射阵列(AFEA)芯片的系统和方法。可寻址场发射阵列的操作方法包括:从构成可寻址场发射阵列的多个发射体上产生多个电子束;利用芯片上的静电聚焦组件将多个电子束中的至少一个电子束聚焦。该系统和方法提供了包括避免空间电荷爆炸的优点。
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公开(公告)号：CN1295717A
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：CN99802404.X
申请日：1999-01-29
Applicant: SI戴梦德技术公司
Inventor： 泽维·扬尼弗 , 罗纳德·查理斯·罗宾德
CPC classification number: H01J29/467 , H01J3/021 , H01J3/022 , H01J29/04 , H01J2329/00
Abstract: 多个场发射阴极(601)产生电子发射,其中,随后使用多种电极(602、603、604)控制和聚焦电子的发射形成电子束。与阴极射线管中所使用的技术相似的水平和垂直偏转技术(分别为605、606),用来扫描单个电子束到荧光显示屏(401)的区域上以产生图像。使用多个场发射阴极可提供比普通阴极射线管更扁平的屏深度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109411312A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811284544.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01J3/02
Abstract: 本发明公开基于飞秒激光调制的超快电子枪及其验证方法，首创性从改变飞秒激光波形着手，通过对飞秒激光进行调频、分束、干涉等一系列操作以产生脉宽小于10fs的电子脉冲阵列。基于飞秒激光调制的超快电子枪包括：分光镜、第一反光镜、第二反光镜、半透射反射镜、聚焦镜、带孔反射镜、阳极和阴极。本发明超快电子枪结构简单紧凑、设计科学合理，造价低廉、性能稳定、在用于超快电子衍射等泵浦-探测测量时不会带来同步抖动的问题。
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公开(公告)号：CN106486329B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201510525276.6
申请日：2015-08-25
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J25/22 , H01J3/021 , H01J23/08 , H01J31/127
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹反射速调管，包括一电子发射单元、一谐振单元、一输出单元，所述电子发射单元用于发射电子；所述谐振单元包括一谐振腔体，该谐振腔体与所述电子发射单元相通，该电子发射单元发射的电子进入所述谐振腔体，所述谐振腔体与所述电子发射单元相对的另一腔体壁具有一耦合输出孔，所述输出单元通过所述耦合输出孔与所述谐振单元相通，所述谐振单元中产生的太赫兹波通过所述耦合输出孔传输到所述输出单元。本发明进一步涉及一种微米太赫兹反射速调管阵列。
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公开(公告)号：CN108091529A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711200705.8
申请日：2017-11-27
Applicant: 温州大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射阴极电子源及其应用，包括有场发射阴极和场发射门极，场发射阴极和场发射门极之间设置有场发射电压，场发射门极对应场发射阴极电子源的场发射方向的外端位置设置有环形电极，环形电极对应场发射阴极电子源的场发射方向的外端位置为环形带栅孔电极，环形带栅孔电极的径向外侧套设有环形辅助外电极，其中辅助外电极可以是电子源的外壳。该场发射电子源的主要功能和优点是是为真空电子器件（包括X射线管、微波管等）提供电子束流或在真空电子器件中进行气体压强监控。
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公开(公告)号：CN102468102B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201110344755.X
申请日：2011-11-04
Applicant: 西门子公司 , 欣雷系统股份有限公司
CPC classification number: H01J35/065 , H01J3/021 , H01J2235/068 , H05G1/265 , H05G1/32 , H05G1/48 , H05G1/58 , H05G1/70
Abstract: 本发明涉及一种包含多个电子发射阴极(5)以及至少一个控制电极(6)的电子源，其中，为了控制流过所述控制电极(6)的电流，设置了栅极电流调节器(14)。
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公开(公告)号：CN103035461B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201110296578.2
申请日：2011-09-30
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/467 , H01J31/127 , H01J2329/463
Abstract: 本发明提供一种电子发射装置，包括一阴极及一栅极，所述栅极与所述阴极间隔设置并与所述阴极电绝缘，其特征在于，所述栅极为一碳纳米管复合层，该碳纳米管复合层包括一碳纳米管层以及一介质层包覆于该碳纳米管层的整个表面。本发明进一步提供一种采用上述电子发射装置的显示装置。
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