公开(公告)号：CN102668277B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201080057349.9

申请日：2010-11-12

Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司

Inventor： 迪米特里·迪尼 ,  马克·希尔加利斯

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/323 ,  H01S5/042 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2201 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明提出了一种半导体激光器（1），所述半导体激光器具有：带有设置用于产生辐射的有源区域（20）的半导体本体（2）；和桥状区域（3）。桥状区域具有沿着发射方向延伸的纵轴线（30），所述纵轴线以相对于半导体本体的沿发射方向延伸的中轴线（25）沿横向偏移的方式设置。此外，提出了一种用于制造半导体激光器的方法。

公开(公告)号：CN102834990A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180017099.0

申请日：2011-01-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 奥村滋一 ,  江川满 ,  苫米地秀一 ,  植竹理人

IPC: H01S5/026

CPC classification number: H01S5/2081 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34306

Abstract: 本发明的目的是提高光半导体集成元件的可靠性及性能。本发明的光半导体集成元件（1），其含有在基板（30）的（001）面上方形成的第1光半导体元件（10）、和在基板（30）的（001）面上方且在第1光半导体元件（10）的[110]方向上与第1光半导体元件（10）光学连接地形成的第2光半导体元件（20）。第1光半导体元件（10），其含有第1芯层（11）、和在第1芯层（11）上方形成且在第2光半导体元件（20）侧的侧面上具有与（001）面构成的角度θ为55°以上且90°以下的结晶面的第1覆层（12）。

公开(公告)号：CN102763293A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201080005492.3

申请日：2010-11-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 高木慎平 ,  善积祐介 ,  片山浩二 ,  上野昌纪 ,  池上隆俊

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202

Abstract: 本发明提供一种在六方晶系第III族氮化物的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器的第III族氮化物半导体激光元件、及稳定制作该第III族氮化物半导体激光元件的方法。在位于第III族氮化物半导体激光元件(11)的阳极侧的第一面(13a)的四个角部，分别形成有缺口部(113a)等缺口部。缺口部(113a)等为为了分离元件(11)而设的刻划槽的一部分。刻划槽为由激光刻划器而形成，刻划槽的形状为通过控制激光刻划器而调整。例如，缺口部(113a)等的深度与第III族氮化物半导体激光元件(11)的厚度之比为0.05以上0.4以下，缺口部(113a)的端部的侧壁面的倾斜度为45度以上85度以下，缺口部(113b)的端部的侧壁面的倾斜度为10度以上30度以下。

公开(公告)号：CN102668277A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080057349.9

申请日：2010-11-12

Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司

Inventor： 迪米特里·迪尼 ,  马克·希尔加利斯

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/323 ,  H01S5/042 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2201 ,  H01S2304/12

Abstract: 提出了一种半导体激光器（1），所述半导体激光器具有：带有设置用于产生辐射的有源区域（20）的半导体本体（2）；和桥状区域（3）。桥状区域具有沿着发射方向延伸的纵轴线（30），所述纵轴线以相对于半导体本体的沿发射方向延伸的中轴线（25）沿横向偏移的方式设置。此外，提出了一种用于制造半导体激光器的方法。

公开(公告)号：CN1755957B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200510071664.8

申请日：2005-02-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高仓辉芳 ,  神川刚 ,  金子佳加

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/30612 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供了一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括在其顶面上形成有延伸成条形的槽和脊的氮化物半导体衬底，以及在氮化物半导体衬底上形成的由多个氮化物半导体层构成的氮化物半导体生长层。该方法包括一个步骤，即通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，使得在槽上形成的氮化物半导体生长层的高度小于在脊上形成的氮化物半导体生长层的高度。

公开(公告)号：CN102484142A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037329.5

申请日：2010-08-23

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 太田裕朗 ,  武凤 ,  阿努拉格·蒂雅吉 ,  阿尔潘·查克拉伯蒂 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  斯蒂芬·P·登巴尔斯 ,  中村修二 ,  埃林·C·永

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明涉及一种用于基于III氮化物的光学装置的外延结构，其包括在下伏层上的具有各向异性应变的作用层，其中所述下伏层中的晶格常数及应变由于存在错配位错而在至少一个方向上部分或完全驰豫，以便通过所述下伏层调制所述作用层中的所述各向异性应变。

公开(公告)号：CN102396083A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201080016546.6

申请日：2010-04-13

Applicant: 天空公司

Inventor： 詹姆斯·W·拉林 ,  丹尼尔·F·费泽尔 ,  尼古拉斯·J·普菲斯特尔 ,  拉贾特·萨尔马

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01S5/2201 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341

Abstract: 光学装置包括具有m面非极性晶体状表面区域的氮化镓衬底构件，其特征在于，朝着(000-1)具有大约-2度至大约2度以及朝着(11-20)具有小于大约0.5度的取向。该装置还具有被形成为覆盖m面非极性晶体状取向表面区域的一部分的激光条纹区域。在激光条纹区域的一端上设置第一解理c面刻面，并在激光条纹区域的另一端上设置第二解理c面刻面。

公开(公告)号：CN101645481B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200910140670.2

申请日：2005-02-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高仓辉芳 ,  神川刚 ,  金子佳加

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/223 ,  H01S5/343 ,  H01L21/205

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/30612 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供了一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括在其顶面上形成有延伸成条形的槽和脊的氮化物半导体衬底，以及在氮化物半导体衬底上形成的由多个氮化物半导体层构成的氮化物半导体生长层。该方法包括一个步骤，即通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，使得在槽上形成的氮化物半导体生长层的高度小于在脊上形成的氮化物半导体生长层的高度。

公开(公告)号：CN1534841B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200410031629.9

申请日：2004-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 竹内邦生 ,  广山良治 ,  井上大二朗 ,  冈本重之 ,  松冈宪昭 ,  龟山真吾 ,  太田洁

IPC: H01S5/22

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/83192 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326

Abstract: 得到一种可实现放热特性和可靠性(寿命)提高、制造工序简化和制造合格率提高的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具备形成于发光层上、构成凸状脊部的半导体层；至少覆盖脊部侧面来形成的、由半导体构成的电流阻挡层；接触脊部上面地形成的第一金属电极；和与脊部隔开规定间隔并配置在脊部两侧的凸状支承部。

公开(公告)号：CN101540365A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910126826.1

申请日：2009-03-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  竹见政义 ,  富田信之

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体层压结构、光半导体装置及它们的制造方法。制造具有结晶性良好、电阻率足够低的p型氮化物半导体层的氮化物半导体层压结构。在GaN基板(11)(基板)上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质以及作为V族原料的NH3形成p型Al0.07Ga0.93N层(12)(第一p型氮化物半导体层)。接着在该p型Al0.07Ga0.93N层(12)上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质以及作为V族原料的NH3和肼衍生物形成p型GaN层(13)(第二p型氮化物半导体层)。