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公开(公告)号：KR100449241B1
公开(公告)日：2004-09-18
申请号：KR1020010058139
申请日：2001-09-20
Applicant: 김영호 , (주)코브테크놀로지
Inventor： 이진민
IPC: H01L25/03
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2924/00014
Abstract: 본 발명은 pn 접합 다이오드를 패터닝하여 두 개의 다이오드를 형성시킨 두 개의 칩을 접합함으로써, 반도체 공정을 통해 브리지 다이오드를 회로기판 상에 집적할 수 있는 브리지 다이오드 및 그 제조 방법을 제공하는 것으로, 제 1 p형 반도체 기판을 공통단자로 하는 제 1 및 제 2 pn 접합 다이오드를 형성하고, 제 1 n형 반도체 기판을 공통단자로 하는 제 3 및 제 4 pn 접합 다이오드를 형성하는 제 1 단계; 제 1 및 제 2 pn 접합 다이오드 상에 제 1 및 제 2 리드 프레임을 각각 접합시키고, 제 1 및 제 2 pn 접합 다이오드의 공통단자인 제 1 p형 반도체 기판의 일정 부위에 제 3 리드 프레임을 접합시키며, 제 3 및 제 4 pn 접합 다이오드의 공통단자인 제 1 n형 반도체 기판의 일정 부위에 제 4 리드 프레임을 접합시키는 제 2 단계; 제 1 및 제 2 pn 접합 다이오드를 이루는 제 2 및 제 3 n형 반도체 기판 사이에 노출된 제 1 p형 반도체 기판을 완전히 덮도록 제 1 절연막을 도포하며, 제 3 및 제 4 pn 접합 다이오드를 이루는 제 2 및 제 3 p형 반도체 기판 사이에 노출된 제 1 n형 반도체 기판을 완전히 덮도록 제 2 절연막을 도포하는 제 3 단계; 및 제 1 절연막이 도포된 제 1 및 제 2 pn 접합 다이오드에 부착된 제 1 및 제 2 리드 프레임과 제 3 및 제 4 pn 접합 다이오드의 제 2 및 제 3 p형 반도체 기판들을 각각 전도성 물질로 접합시켜 브리지 다이오드를 형성하는 제 4 단계를 포함한다.
Abstract translation: 目的：提供桥式二极管及其制造方法，通过对p-n结二极管进行构图，从而获得两个二极管，并将二极管彼此结合，从而将桥式二极管集成在印刷电路板上。 构成：n型半导体衬底堆叠在p型半导体衬底上。 n型半导体衬底和p型半导体衬底以晶片的状态堆叠。 第一和第二p-n结二极管通过构图n型半导体衬底的中心部分而形成。 在构图工艺中，光致抗蚀剂被涂覆在n型半导体衬底的预定部分上。 光刻胶通过掩模和紫外线进行反应。 此时，通过使用显影剂蚀刻除了必要部分的光致抗蚀剂之外的剩余部分。 预定图案通过执行蚀刻工艺形成。
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公开(公告)号：KR1020030025313A
公开(公告)日：2003-03-29
申请号：KR1020010058139
申请日：2001-09-20
Applicant: 김영호 , (주)코브테크놀로지
Inventor： 이진민
IPC: H01L25/03
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2924/00014
Abstract: PURPOSE: A bridge diode and a fabricating method thereof are provided to integrate the bridge diode on a printed circuit board by patterning a p-n junction diode, obtaining two diodes therefrom, and bonding the diodes to each other. CONSTITUTION: An n-type semiconductor substrate is stacked on a p-type semiconductor substrate. The n-type semiconductor substrate and the p-type semiconductor substrate are stacked in a state of wafer. The first and the second p-n junction diodes are formed by patterning a center part of the n-type semiconductor substrate. In the patterning process, photoresist is coated on a predetermined part of the n-type semiconductor substrate. The photoresist is reacted by a mask and an ultraviolet ray. At this time, the remaining part except for the photoresist of the necessary part is etched by using a developer. The predetermined pattern is formed by performing the etching process.
Abstract translation: 目的：提供一种桥式二极管及其制造方法，通过对p-n结二极管进行构图，从而获得两个二极管，并将二极管彼此结合，将桥二极管集成在印刷电路板上。 构成：在p型半导体衬底上层叠n型半导体衬底。 n型半导体衬底和p型半导体衬底以晶片的状态堆叠。 通过对n型半导体衬底的中心部分进行构图来形成第一和第二p-n结二极管。 在图案化工序中，在n型半导体衬底的预定部分上涂敷光致抗蚀剂。 光刻胶通过掩模和紫外线反应。 此时，除了必要部分的光致抗蚀剂之外的其余部分通过使用显影剂进行蚀刻。 通过进行蚀刻处理形成预定图案。
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公开(公告)号：KR3004743930000S
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：KR3020070016670
申请日：2007-04-17
Applicant: (주)코브테크놀로지
Designer： 유인기
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公开(公告)号：KR3004508030000S
公开(公告)日：2007-05-28
申请号：KR3020060035410
申请日：2006-08-29
Applicant: (주)코브테크놀로지
Designer： 유인기
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公开(公告)号：KR100861766B1
公开(公告)日：2008-10-06
申请号：KR1020070031052
申请日：2007-03-29
Applicant: (주)코브테크놀로지 , 한국전력공사
Abstract: 본 발명은 누전경보기능이 내장된 밴드형 영상 변류기(Zero Current Transformer:ZCT)에 관한 것으로, 변압기의 R상, SΦ, TΦ, NΦ에서 각 선로의 누설전류를 감지하는 누설전류 감지부; 상기 누설전류 감지부에서 감지된 누설전류를 측정하고 그 결과를 확인하며 누설전류인 것으로 판명되면 경보등이나 부저를 통해 사용자에게 알리는 누설전류 확인 및 경보부(누전경보기); 및 상기 누설전류 확인 및 경보부에 전원을 공급하는 전원부를 구성하여, 3상4선 식 저압 선로가 한대의 변압기에서 여러관로로 시설된 경우 R상, SΦ, TΦ, NΦ의 전체 두께를 둘러쌓을 수 있는 직경이 500mm이상의 대형 영상변류기를 제작하여 각 선로에서 발생하는 누설전류를 감지하여 누설전류에 따른 사고를 미연에 방지할 수 있는 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100609760B1
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：KR1020040051725
申请日：2004-07-02
Applicant: (주)코브테크놀로지
Inventor： 유인기
IPC: H01L23/15
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 본 발명은 반도체칩의 상측과 하측에 회로패턴이 인쇄된 세라믹판을 접합하는 형태로 반도체장치를 제조함으로써 제조공정이 간편하여 저가의 반도체장치를 제조할 수 있도록 하는 회로패턴이 인쇄된 다층세라믹 접합 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이를 실현하기 위한 본 발명은, 기능구성을 위한 인쇄회로패턴이 형성되어 있는 하부세라믹판, 상측면과 하측면에 내부회로와의 기능연결을 위한 단자가 각각 형성되어 하측면의 단자가 납판에 의해 상기 하부세라믹판의 인쇄회로패턴에 접합되도록 하부세라믹판에 탑재되는 반도체칩, 상기 반도체칩 및 상기 하부세라믹판의 인쇄회로패턴과 유기적으로 연결되어 기능구성을 하는 인쇄회로패턴이 형성되어 상기 반도체칩의 상측면에 형성된 단자가 납판에 의해 인쇄회로패턴에 접합되어 있는 상부세라믹판을 포함하여 이루어진 발명임.
세라믹, 리드레스, 반도체,-
公开(公告)号：KR200408728Y1
公开(公告)日：2006-02-13
申请号：KR2020050032175
申请日：2005-11-14
Applicant: 주식회사 두원 , (주)코브테크놀로지
Abstract: 본 고안은 고정밀 및 초소형의 변류기와 그 제조방법 및 이를 이용한 순시차단회로에 관한 것이다. 본 고안의 변류기는, 플렉시블하고 띠형 구조를 가지는 절연 필름의 적어도 일면 상에, 각각 소정의 권수를 갖는 평면 코일상으로 형성되고 상호 직렬로 연결된 복수의 코일 패턴을 가지는 코일부를 구비하고, 상기 코일부가 형성된 상기 절연 필름이 말려 전체적으로 중공 원통형 구조를 가지며, 상기 코일부의 양 끝단에 인출단자를 갖는다. 따라서, 경량의 절연 필름 상에 복수의 코일 패턴을 반복적으로 형성한 후, 이를 직렬로 연결하여 변류기를 구성함으로써, 전류 검출 성능이 우수하고 초소형인 변류기를 제공할 수 있다
변류기, 누전차단기, 과전류, 트립, 코일, 유도전류-
公开(公告)号：KR100809940B1
公开(公告)日：2008-03-17
申请号：KR1020070000270
申请日：2007-01-02
Applicant: 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원) , (주)코브테크놀로지
CPC classification number: H01L24/33
Abstract: A surface mounted diode is provided to prevent a diode from being deteriorated in capabilities and being broken by smoothly radiating the heat generated from a diode itself. A diode device of a P-N type semiconductor junction type and first and second external substrates of a ceramic material are prepared(S100). The external substrates are separately positioned to face each other and the diode device is positioned between the external substrates so that p-type and n-type semiconductors of the diode device are coupled and fixed to be connected to each external substrate wherein solders are positioned between the diode device and each external substrate and the solder is heated and melted to mutually fix and connect the diode device and each external substrate(S200). A coating liquid is filled in a space between the external substrates(S300). An external electrode is formed on the edge surface of each external substrate, connected to the diode device(S400).
Abstract translation: 提供表面安装的二极管以防止二极管的能力劣化并且通过平滑地辐射二极管本身产生的热量而被破坏。 制备P-N型半导体结型的二极管器件和陶瓷材料的第一和第二外部衬底（S100）。 外部基板被分开地定位成彼此面对，并且二极管器件位于外部基板之间，使得二极管器件的p型和n型半导体被耦合和固定以连接到每个外部基板，其中焊料位于 二极管器件和每个外部衬底和焊料被加热和熔化以相互固定并连接二极管器件和每个外部衬底（S200）。 在外部基板之间的空间填充有涂布液（S300）。 外部电极形成在与二极管器件连接的每个外部衬底的边缘表面上（S400）。
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公开(公告)号：KR3004507900000S
公开(公告)日：2007-05-28
申请号：KR3020060035409
申请日：2006-08-29
Applicant: (주)코브테크놀로지
Designer： 유인기
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公开(公告)号：KR3004188360000S
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：KR3020050032171
申请日：2005-09-22
Applicant: (주)코브테크놀로지
Designer： 유인기
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