公开(公告)号：CN1639643A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03805514.7

申请日：2003-03-07

Applicant: 卡尔赛斯半导体制造技术股份公司

Inventor： 马尔科·温德沃斯基 ,  弗兰科·斯蒂兹 ,  巴斯·默腾斯 ,  罗曼·克莱因

IPC: G03F7/20 ,  B08B7/00

CPC classification number: G03F7/70925 ,  B08B7/0035 ,  G03F7/70916

Abstract: 本发明涉及一种当具有多层系统的光学元件在包含残余气体环境的真空封闭系统中被暴露在具有信号波长的辐射下时，防止该光学元件表面的污染物的方法，其中测量通过光电子发射从多层系统的被照射表面产生的光电流，并利用该光电流以调节残余气体的气体成分，从而可以根据光电流的至少一个下阈值和上阈值来改变气体的成分。本发明还涉及一种在照射时用于调节至少一个光学元件表面污染物的装置，以及一种EUV石版印刷设备和一种清洁光学元件的被碳污染的表面的方法。

公开(公告)号：CN1565035A

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN02819611.2

申请日：2002-10-02

Applicant: 卡尔赛斯半导体制造技术股份公司

Inventor： 安德烈·E·雅克辛 ,  埃里克·路易斯 ,  弗雷德里克·比约克 ,  马可·维多斯克 ,  罗曼·克莱因 ,  弗兰克·斯戴特兹

IPC: G21K1/06 ,  G02B1/10

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G02B5/08 ,  G02B5/0816 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/2495

Abstract: 为了减少在衬底上包含多层系统的光学元件的沾污，提出了将多层系统的至少一个层的层材料和/或层厚度选择成使在辐照的工作波长的反射过程中形成的驻波在多层系统的自由界面区域中形成电场强度的节点(节点条件)。而且，描述了用来确定多层系统的设计的方法以及制造工艺和光刻设备。

公开(公告)号：CN1284978C

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN02819611.2

申请日：2002-10-02

Applicant: 卡尔赛斯半导体制造技术股份公司

Inventor： 安德烈·E·雅克辛 ,  埃里克·路易斯 ,  弗雷德里克·比约克 ,  马可·维多斯克 ,  罗曼·克莱因 ,  弗兰克·斯戴特兹

IPC: G02B1/10 ,  G21K1/06

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G02B5/08 ,  G02B5/0816 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/2495

Abstract: 为了减少在衬底上包含多层系统的光学元件的沾污，提出了将多层系统的至少一个层的层材料和/或层厚度选择成使在辐照的工作波长的反射过程中形成的驻波在多层系统的自由界面区域中形成电场强度的节点(节点条件)。而且，描述了用来确定多层系统的设计的方法以及制造工艺和光刻设备。