公开(公告)号：TWI450865B

公开(公告)日：2014-09-01

申请号：TW100131316

申请日：2004-02-18

Applicant: 學校法人早稻田大學 ,  WASEDA UNIVERSITY

Inventor： 一之瀨昇 ,  ICHINOSE, NOBORU ,  島村清史 ,  SHIMAMURA, KIYOSHI ,  青木和夫 ,  AOKI, KAZUO ,  加錫 安東尼 ,  GARCIA VILLORA, ENCARNACION ANTONIA

IPC: C01G15/00

CPC classification number: C30B29/16 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/005 ,  H01L33/26

公开(公告)号：TWI370804B

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：TW093103898

申请日：2004-02-18

Applicant: 學校法人早稻田大學

Inventor： 一之瀨昇 ,  島村清史 ,  青木和夫 ,  加錫 安東尼

IPC: C01G

CPC classification number: C30B29/16 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/005 ,  H01L33/26

Abstract: 本發明所提供者特別有關於減少龜裂、雙晶化的傾向，提高結晶性的β-Ga2O3系單晶生長方法；可以形成高品質之薄膜單晶的薄膜單晶生長方法；在紫外區域發光的Ga2O3系發光元件及其製造方法。
利用紅外線加熱單晶製造裝置，使晶種結晶及多晶體材料互相朝反方向旋轉同時加熱，再從a軸 方位、b軸 方位、及c軸 方位中選擇一個方位，使β-Ga2O3朝該方位生長。
由β-Ga2O3單晶所組成的薄膜，係利用PLD法來成膜，即用雷射光照射於靶材，使構成靶材的原子激發，再利用熱方式、光化學方式之作用，使Ga原子從靶材遊離出來後，使遊離的Ga原子與反應室中的環境氣體之自由基結合，而使由β-Ga2O3單晶組成的薄膜，生長在由β-Ga2O3單晶組成的基板上。
發光元件中，添加n型摻雜物於β-Ga2O3單晶後得到的n型基板；添加p型摻雜物於β-Ga2O3單晶後得到的p型層，再將該p型層接合於該n型基板的頂面，所以發光元件會在該接合部附近發光。

Abstract in simplified Chinese: 本发明所提供者特别有关于减少龟裂、双晶化的倾向，提高结晶性的β-Ga2O3系单晶生长方法；可以形成高品质之薄膜单晶的薄膜单晶生长方法；在紫外区域发光的Ga2O3系发光组件及其制造方法。 利用红外线加热单晶制造设备，使晶种结晶及多晶体材料互相朝反方向旋转同时加热，再从a轴<100>方位、b轴<010>方位、及c轴<001>方位中选择一个方位，使β-Ga2O3朝该方位生长。 由β-Ga2O3单晶所组成的薄膜，系利用PLD法来成膜，即用激光光照射于靶材，使构成靶材的原子激发，再利用热方式、光化学方式之作用，使Ga原子从靶材游离出来后，使游离的Ga原子与反应室中的环境气体之自由基结合，而使由β-Ga2O3单晶组成的薄膜，生长在由β-Ga2O3单晶组成的基板上。 发光组件中，添加n型掺杂物于β-Ga2O3单晶后得到的n型基板；添加p型掺杂物于β-Ga2O3单晶后得到的p型层，再将该p型层接合于该n型基板的顶面，所以发光组件会在该接合部附近发光。

公开(公告)号：TW201144227A

公开(公告)日：2011-12-16

申请号：TW100131316

申请日：2004-02-18

Applicant: 學校法人早稻田大學

Inventor： 一之瀨昇 ,  島村清史 ,  青木和夫 ,  加錫 安東尼

IPC: C01G

CPC classification number: C30B29/16 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/005 ,  H01L33/26

Abstract: 本發明所提供者特別有關於減少龜裂、雙晶化的傾向，提高結晶性的β-Ga2O3系單晶生長方法；可以形成高品質之薄膜單晶的薄膜單晶生長方法；在紫外區域發光的Ga2O3系發光元件及其製造方法。利用紅外線加熱單晶製造裝置，使晶種結晶及多晶體材料互相朝反方向旋轉同時加熱，再從a軸＜100＞方位、b軸＜010＞方位、及c軸＜001＞方位中選擇一個方位，使β-Ga2O3朝該方位生長。由β-Ga2O3單晶所組成的薄膜，係利用PLD法來成膜，即用雷射光照射於靶材，使構成靶材的原子激發，再利用熱方式、光化學方式之作用，使Ga原子從靶材遊離出來後，使遊離的Ga原子與反應室中的環境氣體之自由基結合，而使由β-Ga2O3單晶組成的薄膜，生長在由β-Ga2O3單晶組成的基板上。發光元件中，添加n型摻雜物於β-Ga2O3單晶後得到的n型基板；添加p型摻雜物於β-Ga2O3單晶後得到的p型層，再將該p型層接合於該n型基板的頂面，所以發光元件會在該接合部附近發光。

Abstract in simplified Chinese: 本发明所提供者特别有关于减少龟裂、双晶化的倾向，提高结晶性的β-Ga2O3系单晶生长方法；可以形成高品质之薄膜单晶的薄膜单晶生长方法；在紫外区域发光的Ga2O3系发光组件及其制造方法。利用红外线加热单晶制造设备，使晶种结晶及多晶体材料互相朝反方向旋转同时加热，再从a轴＜100＞方位、b轴＜010＞方位、及c轴＜001＞方位中选择一个方位，使β-Ga2O3朝该方位生长。由β-Ga2O3单晶所组成的薄膜，系利用PLD法来成膜，即用激光光照射于靶材，使构成靶材的原子激发，再利用热方式、光化学方式之作用，使Ga原子从靶材游离出来后，使游离的Ga原子与反应室中的环境气体之自由基结合，而使由β-Ga2O3单晶组成的薄膜，生长在由β-Ga2O3单晶组成的基板上。发光组件中，添加n型掺杂物于β-Ga2O3单晶后得到的n型基板；添加p型掺杂物于β-Ga2O3单晶后得到的p型层，再将该p型层接合于该n型基板的顶面，所以发光组件会在该接合部附近发光。

公开(公告)号：TW201242901A

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：TW101114968

申请日：2004-02-18

Applicant: 學校法人早稻田大學

Inventor： 一之瀨昇 ,  島村清史 ,  青木和夫 ,  加錫 安東尼

IPC: C01G

CPC classification number: C30B29/16 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/005 ,  H01L33/26

Abstract: 本發明所提供者特別有關於減少龜裂、雙晶化的傾向，提高結晶性的β-Ga2O3系單晶生長方法；可以形成高品質之薄膜單晶的薄膜單晶生長方法；在紫外區域發光的Ga2O3系發光元件及其製造方法。利用紅外線加熱單晶製造裝置，使晶種結晶及多晶體材料互相朝反方向旋轉同時加熱，再從a軸＜100＞方位、b軸＜010＞方位、及c軸＜001＞方位中選擇一個方位，使β-Ga2O3朝該方位生長。由β-Ga2O3單晶所組成的薄膜，係利用PLD法來成膜，即用雷射光照射於靶材，使構成靶材的原子激發，再利用熱方式、光化學方式之作用，使Ga原子從靶材遊離出來後，使遊離的Ga原子與反應室中的環境氣體之自由基結合，而使由β-Ga2O3單晶組成的薄膜，生長在由β-Ga2O3單晶組成的基板上。發光元件中，添加n型摻雜物於β-Ga2O3單晶後得到的n型基板；添加p型摻雜物於β-Ga2O3單晶後得到的p型層，再將該p型層接合於該n型基板的頂面，所以發光元件會在該接合部附近發光。

Abstract in simplified Chinese: 本发明所提供者特别有关于减少龟裂、双晶化的倾向，提高结晶性的β-Ga2O3系单晶生长方法；可以形成高品质之薄膜单晶的薄膜单晶生长方法；在紫外区域发光的Ga2O3系发光组件及其制造方法。利用红外线加热单晶制造设备，使晶种结晶及多晶体材料互相朝反方向旋转同时加热，再从a轴＜100＞方位、b轴＜010＞方位、及c轴＜001＞方位中选择一个方位，使β-Ga2O3朝该方位生长。由β-Ga2O3单晶所组成的薄膜，系利用PLD法来成膜，即用激光光照射于靶材，使构成靶材的原子激发，再利用热方式、光化学方式之作用，使Ga原子从靶材游离出来后，使游离的Ga原子与反应室中的环境气体之自由基结合，而使由β-Ga2O3单晶组成的薄膜，生长在由β-Ga2O3单晶组成的基板上。发光组件中，添加n型掺杂物于β-Ga2O3单晶后得到的n型基板；添加p型掺杂物于β-Ga2O3单晶后得到的p型层，再将该p型层接合于该n型基板的顶面，所以发光组件会在该接合部附近发光。