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公开(公告)号：CN1149634A
公开(公告)日：1997-05-14
申请号：CN96102289.2
申请日：1996-06-14
Applicant: MEMC电子材料有限公司 , 通用电器公司
IPC: C30B15/10
CPC classification number: C03C17/3417 , C03C17/02 , C03C2217/213 , C30B15/10 , C30B35/002 , Y10S65/08 , Y10T117/10 , Y10T117/1052
Abstract: 一种在晶体生长过程中熔化并容纳半导体材料的坩埚。此坩埚包含一个带有底壁和从底壁向上延伸并界定用来容纳熔融的半导体材料的腔体的侧壁结构的透明石英本体。侧壁结构有一个内表面和一个外表面。第一基本上析晶化的石英层促进内表面的均匀融化并从而在晶体从熔融半导体材料拉出时，显著地减小了结晶石英粒子向熔融半导体材料的释放。第二基本上析晶化的石英层加强了透明石英本体。
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公开(公告)号：CN1138737A
公开(公告)日：1996-12-25
申请号：CN96100453.3
申请日：1996-01-23
Applicant: 通用电器公司
Inventor： 迈克·韦恩·丹佛 , 史蒂芬·马可·盖斯渥斯
CPC classification number: H01G4/14
Abstract: 在大频率范围内具有高介电强度及低功耗因子的电容器包括有至少两个由至少一个电介质层分隔的导电层。电介质层为掺杂硅的非晶体氢化碳，它具有包括硅烷(优选)，四烷氧基硅烷和多有机硅氧烷的掺杂物。
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公开(公告)号：CN1011368B
公开(公告)日：1991-01-23
申请号：CN87108293
申请日：1987-12-30
Applicant: 通用电器公司
Inventor： 托马斯·卡森·蒂尔尼 , 威廉·达雷尔·洛夫 , 戴维·基茨·穆尔曼
CPC classification number: C04B37/026 , B23K35/322 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/363 , C04B2237/403 , C04B2237/708 , C04B2237/765 , C04B2237/84 , H01J35/108
Abstract: 一种用于X射线管的复合式的靶。它具有一个石墨衬底部分和一个金属部分，通过铂钎焊把这两部分焊接在一起。在该石墨部分上的钽润湿剂层由于导致铂更好地润湿石墨部分而起到改善所述焊接的作用。
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公开(公告)号：CN87102255A
公开(公告)日：1987-10-07
申请号：CN87102255
申请日：1987-03-21
Applicant: 通用电器公司
CPC classification number: B24D3/007 , B23K35/302 , B23K35/322 , B24D3/001 , B24D3/06
Abstract: 一种包括组合坯块及基体在内的改进的铜焊工具。组合坯块由颗粒磨料层粘接在支撑块上所构成，支撑块与基体用液化点高于700℃的铜焊填料金属焊接在一起。基体的上端面开有一个缺口，该缺口由一个其形状与组合坯块下支承面相一致的内支承面及一个其形状与组合坯块配合相一致的台肩支承面所构成。颗粒磨料层与基体隔开一个距离而不直接接触，使组合坯块铜焊到基体上时热量对颗粒磨料层造成的热损伤减至最小。
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公开(公告)号：CN1087362C
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN96111030.9
申请日：1996-06-14
Applicant: MEMC电子材料有限公司 , 通用电器公司
IPC: C30B15/12
CPC classification number: C30B15/10 , C30B35/002 , Y10T117/10
Abstract: 一种加固直拉工艺中容纳熔融半导体材料的坩埚和阻止此工艺中位错形成的方法，所说坩埚包括有内外表面的底壁和侧壁及其构成的腔的石英本体，在低于约600℃温度下，在侧壁内表面上淀积第一反玻璃化促进剂，淀积是这样的：将坩埚加热到600℃以上，在内表面上形成第一层基本上反玻璃化的石英，在低于约600℃温度下，在侧壁外表面上淀积第二反玻璃化促进剂，将坩埚加热到600℃以上，在外表面上形成能加固透明石英本体的第二层基本反玻璃化的石英。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1199215C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN01800498.9
申请日：2001-04-09
Applicant: 通用电器公司
CPC classification number: H01H71/525 , H01H1/2041 , H01H71/1009 , H01H2071/1036
Abstract: 一种旋转接触电路断路器，其采用曲柄将开关机构连接于旋转接触电极结构。使用曲柄允许该机构和电极结构单独地优化而不影响另一个的性能。特别是，曲柄允许能够将最大扭矩传送至电极结构的机构。
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公开(公告)号：CN1096506C
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN96102289.2
申请日：1996-06-14
Applicant: MEMC电子材料有限公司 , 通用电器公司
IPC: C30B15/10
CPC classification number: C03C17/3417 , C03C17/02 , C03C2217/213 , C30B15/10 , C30B35/002 , Y10S65/08 , Y10T117/10 , Y10T117/1052
Abstract: 一种在晶体生长过程中熔化并容纳半导体材料的坩埚。此坩埚包含一个带有底壁和从底壁向上延伸并界定用来容纳熔融的半导体材料的腔体的侧壁结构的透明石英本体。侧壁结构有一个内表面和一个外表面。第一基本上析晶化的石英层促进内表面的均匀融化并从而在晶体从熔融半导体材料拉出时，显著地减小了结晶石英粒子向熔融半导体材料的释放。第二基本上析晶化的石英层加强了透明石英本体。
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公开(公告)号：CN1122795A
公开(公告)日：1996-05-22
申请号：CN95108615.4
申请日：1995-07-25
Applicant: 通用电器公司
Inventor： G·M·基辛格
CPC classification number: C07C37/84 , B01D9/0013 , B01D9/0036 , B01D9/004 , C07C39/16
Abstract: 由内酮与酚缩合反应生成的BPA，可以经过在水中熔化和结晶，除去制备时产生的污染物，最后在热水中进行的冲洗可以除去晶体表面的污染物，而无需使用有机溶剂。
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公开(公告)号：CN1006630B
公开(公告)日：1990-01-31
申请号：CN87100500
申请日：1987-01-26
Applicant: 通用电器公司
Inventor： 托马斯·雷蒙德·拉文斯 , 弗朗西斯·雷蒙德·科里根 , 理查德·刘易斯·肖特 , 哈罗德·保罗·博文柯克
IPC: C01B21/064
CPC classification number: C04B35/5831 , C09K3/1418
Abstract: 本文介绍的制造再烧结的多晶立方氮化硼压块的方法包括将烧结的富硼多晶立方氮化硼颗粒放在一高温/高压装置中，使所述的富硼立方氮化硼颗粒经受适合将所述颗粒进行再烧结的压力和温度的处理，所采用的温度低于立方氮化硼的再转化温度，所用的时间足以能对其中的多晶立方氮化硼颗粒进行再烧结。在高压/高温装置中的富硼多晶立方氮化硼颗粒不含可干扰烧结过程的杂质(抑制立方氮化硼烧结的杂质)，也不含烧结助剂。
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公开(公告)号：CN87108293A
公开(公告)日：1988-07-13
申请号：CN87108293
申请日：1987-12-30
Applicant: 通用电器公司
Inventor： 托马斯·卡森·蒂尔尼 , 威廉·达雷尔·洛夫 , 戴维·基茨·穆尔曼
CPC classification number: C04B37/026 , B23K35/322 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/363 , C04B2237/403 , C04B2237/708 , C04B2237/765 , C04B2237/84 , H01J35/108
Abstract: 一种用于X射线管的复合式的靶，它具有一个石墨衬底部分和一个金属部分，通过铂钎焊把这两部分焊接在一起。在该石墨部分上的钽润湿剂层由于导致铂更好地润湿石墨部分而起到改善所述焊接的作用。
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