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公开(公告)号：CN1006630B
公开(公告)日：1990-01-31
申请号：CN87100500
申请日：1987-01-26
Applicant: 通用电器公司
Inventor： 托马斯·雷蒙德·拉文斯 , 弗朗西斯·雷蒙德·科里根 , 理查德·刘易斯·肖特 , 哈罗德·保罗·博文柯克
IPC: C01B21/064
CPC classification number: C04B35/5831 , C09K3/1418
Abstract: 本文介绍的制造再烧结的多晶立方氮化硼压块的方法包括将烧结的富硼多晶立方氮化硼颗粒放在一高温/高压装置中，使所述的富硼立方氮化硼颗粒经受适合将所述颗粒进行再烧结的压力和温度的处理，所采用的温度低于立方氮化硼的再转化温度，所用的时间足以能对其中的多晶立方氮化硼颗粒进行再烧结。在高压/高温装置中的富硼多晶立方氮化硼颗粒不含可干扰烧结过程的杂质(抑制立方氮化硼烧结的杂质)，也不含烧结助剂。
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