반도체 박막 웨이퍼 가공용 웨이퍼 서포트 점착필름
    1.
    发明申请
    반도체 박막 웨이퍼 가공용 웨이퍼 서포트 점착필름 审中-公开
    用于加工半导体薄膜波形的波形支持胶带

    公开(公告)号:WO2010082695A1

    公开(公告)日:2010-07-22

    申请号:PCT/KR2009/000218

    申请日:2009-01-15

    Abstract: 본 발명은 반도체 박막 웨이퍼 가공용 웨이퍼 서포트 점착필름에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼의 박막화 공정에서 별도의 첩부 장치가 필요 없고, 반도체 웨이퍼 사이즈에 따른 제한이 없으며, 내열 기재상에 아크릴계 점착제층의 코팅을 통하여 연삭수가 침투하지 못하며, 박리시에는 점착층이 회로면에 남지 않아 별도의 세정 공정이 필요 없어 복잡한 공정상에서 발생하는 반도체 웨이퍼의 손상과 회로면의 오염이 없는 반도체 박막 웨이퍼 가공용 웨이퍼 서포트 점착필름에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 반도체 박막 웨이퍼 가공용 웨이퍼 서포트 점착필름은 내열기재 및 상기 내열 기재상에 도포된 내열 점착제층을 포함하되, 상기 내열 점착제층은 분자량이 500,000 ~ 3,000,000을 갖는 아크릴계 공중합체, 에너지선 경화형 아크릴계 올리고머 및 광개시제를 포함하는 것을 특징으로 한다.

    Abstract translation: 本发明涉及用于处理半导体薄膜晶片的晶片支撑用粘合膜。 更具体地,本发明涉及用于处理半导体薄膜的晶片的晶片支撑用粘合膜,其不需要半导体晶片的薄膜化处理中的附着装置,因此无需半导体 晶片尺寸,通过将丙烯酸粘合剂层涂覆到耐热基底上来防止研磨水进入,并且在分层过程中在电路表面上不留下粘合层,因此不需要额外的清洁工艺,从而防止对 半导体晶片和电路表面的污染,这可能在复杂的过程中发生。 为此,根据本发明的用于处理半导体薄膜的晶片的晶片支撑用粘合膜包括耐热基体和涂覆在耐热基底上的耐热粘合剂层,其中, 耐热粘合剂层包含分子量为500,000至3,000,000的丙烯酸共聚物,能量射线固化丙烯酸低聚物和光引发剂。

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