Abstract:
본 발명은 염료감응태양전지용 고분자전해질 및 이를 이용한 염료감응태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 종래의 액상전해질을 사용하는 염료감응태양전지의 최대 단점인 누액을 원천적으로 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 종래의 고분자전해질과 비교해 높은 광전환효율을 나타내고, 대면적의 염료감응태양전지나 플렉시블(flexible) 염료감응태양전지의 제조공정에 적용할 수가 있는 등의 우수한 염료감응태양전지용 고분자전해질 및 이를 이용한 염료감응태양전지의 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 염료감응태양전지용 고분자전해질은 열경화형 에폭시수지, 이미다졸계 경화촉진제 및 금속염을 포함하는 것을 특징으로 하고, 염료감응태양전지용 고분자전해질을 이용한 염료감응태양전지의 제조방법은 상기 염료감응태양전지용 고분자전해질을 사용하되, 상기 염료감응태양전지용 고분자전해질을 작동전극과 상대전극간의 접착물로 이용하고 최종적인 접합의 형태가 고체상을 유지하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명은 전자부품 제조용 점착테이프에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 점착제 층이 상온에서 점착력을 가지지 않으나 가열 라미네이션 공정 중에만 점착력이 발현되어 리드프레임에 라미네이션을 가능하게 할 수 있고 점착제 층의 추가적인 광경화로 인한 부분적 상호침투망상구조를 형성하여 반도체 장치의 제조 공정 중에 점착 테이프가 노출되는 열이력에 대하여 향상된 내열성을 가지며 반도체 장치의 제조 중의 장치의 신뢰성 향상에 도움이 되고 봉지재료의 누출을 방지하며 공정 완료 후 테이프가 제거될 시에 리드프레임이나 봉지재료에 점착제의 전사를 방지할 수 있는전자부품 제조용 점착테이프에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 전자부품 제조용 점착테이프는 내열 기재와 상기 내열 기재 상에 점착제 조성물이 도포된 점착제 층을 포함하는 전자부품 제조용 점착테이프에 있어서, 상기 점착제 조성물은 페녹시 수지, 열경화제, 에너지선 경화형 아크릴 수지 및 광개시제를 포함하고, 상기 점착제 층은 열경화 및 에너지선에 의해 경화된 것을 특징으로 한다.
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본 발명은 기재에 고소수성을 부여하기 위한 기재의 표면을 고소수성으로 처리하는 표면처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 낮은 표면에너지를 가지고 코팅시에 높이의 차이를 보이는 2종류의 유기 실란 분자들을 코팅 과정에서의 자발적인 상분리 현상과 그들의 domain과 matrix의 높이 차이에서 오는 표면 조도로 고소수성의 연꽃잎 효과(Lotus effect)를 모사하여 코팅에 구현한 기재의 표면을 고소수성으로 처리하는 표면처리방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 기재의 표면을 고소수성으로 처리하는 표면처리방법은 기재에 결합하여 상기 기재의 표면이 고소수성을 나타내게 하는 표면 처리 방법에 있어서, CF 3 기를 작용기로 갖는 유기 실란과 상기 유기 실란보다 탄소 사슬의 길이가 짧고 CH 3 기를 작용기로 갖는 유기 실란을 사용하여 화학 기상 증착법에 의하여 혼합 자기조립 단분자막을 형성함으로써 고소수성의 표면을 얻는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명은 반도체 박막 웨이퍼 가공용 웨이퍼 서포트 점착필름에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼의 박막화 공정에서 별도의 첩부 장치가 필요 없고, 반도체 웨이퍼 사이즈에 따른 제한이 없으며, 내열 기재상에 아크릴계 점착제층의 코팅을 통하여 연삭수가 침투하지 못하며, 박리시에는 점착층이 회로면에 남지 않아 별도의 세정 공정이 필요 없어 복잡한 공정상에서 발생하는 반도체 웨이퍼의 손상과 회로면의 오염이 없는 반도체 박막 웨이퍼 가공용 웨이퍼 서포트 점착필름에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 반도체 박막 웨이퍼 가공용 웨이퍼 서포트 점착필름은 내열기재 및 상기 내열 기재상에 도포된 내열 점착제층을 포함하되, 상기 내열 점착제층은 분자량이 500,000 ~ 3,000,000을 갖는 아크릴계 공중합체, 에너지선 경화형 아크릴계 올리고머 및 광개시제를 포함하는 것을 특징으로 한다.