公开(公告)号：KR1020000076861A

公开(公告)日：2000-12-26

申请号：KR1020000013032

申请日：2000-03-15

Applicant: 스피드팜 아이펙 가부시키가이샤 ,  호리이케야스히로

Inventor： 야나기사와미치히코 ,  다나카치카이 ,  이이다신야 ,  호리이케야스히로

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32366 ,  H01L21/3065

Abstract: 본발명에따른에칭방법은수소가스, 암모니아가스또는이들가스중한 가스를함유한혼합가스를 6불화유황가스에부가함으로써, 에칭시에서의웨이퍼표면의백색혼탁이발생하는것을억제할수 있으며고품질의웨이퍼경면연마가공을가능하게한다. 봄브(31)의 SF가스와봄브(32)의 H가스(G2)를소정비율로혼합한혼합가스를방전관(2)에공급하고, 극초단파(M)를극초단파발진기(4)로부터발진하여플라즈마방전시킨다. 그리고, 노즐부(20)에서분사하는활성종 가스(G)로실리콘웨이퍼(W) 표면을국부적으로에칭함으로써, 실리콘웨이퍼(W) 표면전체를평탄화한다.

公开(公告)号：KR100281950B1

公开(公告)日：2001-03-02

申请号：KR1019980027193

申请日：1998-07-07

Applicant: 스피드팜 가부시키가이샤 ,  호리이케야스히로

Inventor： 야나기사와미치히코 ,  이이다신야 ,  호리이케야스히로

IPC: H01J37/32

Abstract: 국부적으로 에칭하기 위해 사용되는 플라즈마 에칭 장치 챔버안의 방전관, 장비 및 요소들의 마모 또는 부식 현상을 감소시킬 수 있는 플라즈마 에칭 장치용 내식 시스템 및 방법이 제공된다. 플라즈마 방전을 발생시키기 위해 마이크로파 M 가 석영 방전관(110)안의 CF
4 및 O
2 의 혼합 가스를 향해 마이크로파 발진기(20)로 부터 발진된다. 마이크로파 발진기(20)는 펄스 발생기(21) 수단에 의해 온-오프 방식으로 제어되기 때문에 펄스된 마이크로파 M 를 발진시킨다. 그 결과, 플라즈마 방전에 의해 발생된 액티브한 활성종 가스 G 에 의해 유발되는 석영 방전관(110)의 마모를 줄일 수 있다. 바람직하게는, XY 구동 메커니즘(130) 등 내부가 챔버(100) 안으로 확산하는 액티브한 활성종 가스 G 에 의해 마모 또는 부식되는 것을 방지하기 위해 내식 오일 A 이 챔버(100)안에 채워진다.

公开(公告)号：KR1019990013651A

公开(公告)日：1999-02-25

申请号：KR1019980027273

申请日：1998-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  호리이케야스히로

Inventor： 호리이케야스히로 ,  가와무라고헤이

IPC: H01L21/3065

Abstract: ECR 플라즈마 발생기에서, 3 ㎒ 내지 300 ㎒ 범위의 고주파가 고주파 동력 공급부로부터 배기 시스템을 갖는 챔버안에 제공되고 가스 도입용 샤워헤드로서 역할을 하는 전극에 제공되고, 동력이 챔버의 외주부에 제공된 코일에 제공되어, 전기장의 방향에 평행하게 인가된 고주파에 대응하는 공진 자기장보다 정수배만큼 큰 자기장을 형성하여 공급된 처리 가스의 분위기에서 ECR 플라즈마를 발생시킨다.

公开(公告)号：KR1019960042984A

公开(公告)日：1996-12-21

申请号：KR1019960017934

申请日：1996-05-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고토 나오히사 ,  호리이케야스히로 ,  다카다 쥰이치 ,  안도 마코토

Inventor： 고토나오히사 ,  안도마코토 ,  다카다쥰이치 ,  호리이케야스히로 ,  이시이노부오 ,  고바야시야스오

IPC: H01L21/30

Abstract: 본 발명은 마이크로파를 사용하여 처리용기내에 플라스마를 발생시키고, 이 플라스마를 피처리체의 처리에 이용하는 플라스마처리장치에 관한 것으로서, 처리용기와 상기 처리용기내에 설치되어 피처리면을 갖는 피치리체를 지지하는 지지수단과, 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기와, 상기 마이크로파 발생기로부터의 마이크로파를 상기 처리용기에 인도하기 위한 도파관과, 상기 도파관에 접속되어 상기 지지수단에 지지된 피처리체의 피처리면과 간격을 갖고 대면하여 양자간에 플라스마형성영역을 규정하도록 하여 배치된 평면안테나부품과, 플라스마형성영역에 처리가스를 공급하는 수단을 구비하고, 상기 안테나부품은 도전성 판과, 안테나부품으로부터 떨어짐에 따라서 지수함수적으로 감쇄하는 정전계를 플라스마형성영역에 형 함으로써, 안테나부품의 둘레틀부의 전자장을 강하게 할 수 있고, 따라서 이 둘레틀부에 대응하는 프로세스영역둘레틀부의 플라스마밀도의 저하를 보상할 수 있으며 플라스마밀도의 면내 균일화를 한층 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019960005803A

公开(公告)日：1996-02-23

申请号：KR1019950022243

申请日：1995-07-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  호리이케야스히로

Inventor： 후카사와다카유키

IPC: H01L21/203

Abstract: 감압이 자유롭게 구성된 석영관으로 이루어지는 처리용기 내에 타겟과 웨이퍼를 대향하여 배치시키고, 웨이퍼에 대해서 저전압 바이어스를 인가시킴과 동시에 처리용기의 주위에 배설한 안테나에 의해 고밀도의 헬리콘파 플라즈마를 타겟과 웨이퍼와의 사이에 발생시킨다. 웨이퍼는 플라즈마 영역의 아래측 경제외에 근접시켜서 배치한다. 타겟으로 부터의 퇴적종은, 플라즈마 영역 중에서 이온화되고, 수직방향으로 가속되어 웨이퍼에 입사, 퇴적하고, 웨이퍼 표면의 홈의 바닥부로 부터 퇴적되어 간다. 이에 따라, 피처리체 표면에 형성한 높은 애스팩트비의 홈, 구멍 내에, 스패터링에 의해 퇴적종을 채워 넣는데 있어서, 보이드를 발생시키지 않고 그 바닥부로부터 퇴적시킬 수가 있다.

公开(公告)号：KR100272185B1

公开(公告)日：2000-12-01

申请号：KR1019930007663

申请日：1993-05-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  호리이케야스히로

Inventor： 가와무라고오헤이

IPC: H01L21/302

Abstract: Si 웨이퍼상에 형성된 SiO
2 막의 에찬트의 원료로서 NF
3 , H
2 의 혼합가스를 NF
3 / H
2 혼합비를 1 : 160으로 사용한다.
상기 혼합가스를 플라즈마화하고, F,H,N의 활성종을 다운스트림으로 공급하고, SiO
2 막에 흡착시킨다. 상기 혼합가스의 NF
3 / H
2 혼합비는 SiO
2 막에 대한 화학적 작용에 의한 에칭을 정지시키도록 설정한다. 다음에 Ar의 저에너지이온을 흡착한 활성종에 조사하여 활성종을 여기하고, SiO
2 막을 에칭한다. 에칭중 웨이퍼는 약 -100℃로 유지된다. 이에 의하여,Si 웨이퍼에 대한 손상이 적고 또한 고선택비의 에칭이 가능하게 된다.

公开(公告)号：KR100270425B1

公开(公告)日：2000-12-01

申请号：KR1019960017934

申请日：1996-05-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고토 나오히사 ,  호리이케야스히로 ,  다카다 쥰이치 ,  안도 마코토

Inventor： 고토나오히사 ,  안도마코토 ,  다카다쥰이치 ,  호리이케야스히로 ,  이시이노부오 ,  고바야시야스오

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01J37/3222 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229

Abstract: 본 발명은 마이크로파를 사용하여 처리용기내에 플라스마를 발생시키고, 이 플라스마를 피처리체의 처리에 이용하는 플라스마처리 장치에 관한 것으로서,
처리용기와, 상기 처리용기내에 설치되어 피처리면을 갖는 피처리체를 지지하는 지지수단과, 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기와, 상기 마이크로파 발생기로부터의 마이크로파를 상기 처리용기에 인도하기 위한 도파관과, 상기 도파관에 접속되어 상기 지지수단에 지지된 피처리체의 피처리면과 간격을 갖고 대면하여 양자간에 플라스마형성영역을 규정하도록 하여 배치된 평면안테나부품과, 플라스마형성영역에 처리가스를 공급하는 수단을 구비하고, 상기 안테나부품은 도전성 판과, 안테나부품으로부터 떨어짐에 따라서 지수함수적으로 감쇄하는 정전계를 플라스마형성 영역에 형성함으로써, 안테나부품의 둘레틀부의 전자장을 강하게 할 수 있고, 따라서 이둘레틀부에 대응하는 프로세스영역둘레틀부의 플라스마밀도의 저하를 보상 할 수 있으며 플라스마밀도의 면내 균일화를 한층 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100267959B1

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：KR1019940006129

申请日：1994-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  호리이케야스히로

Inventor： 호리이케야스히로 ,  후카사와다카유키

IPC: H01L21/30

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/507

Abstract: 내부가 소정의 진공도로 유지되는 처리용기와, 이 처리용기의 상면에 설치되고 또 그 내부에 고주파를 발신하여 처리용기 내부의 프로세스 가스에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생수단과 이 플라즈마 발생수단의 작용에 의하여 프로세스 가스로부터 발생한 소정의 처리가 실시되는 반도체 웨이퍼를 유지하는 유지체를 구비하는 반도체 웨이퍼 플라즈마 처리장치에 있어서, 프로세스 가스의 처리용기 내에의 공급수단이, 처리용기의 둘레방향으로 등간격으로 4 개소에 설치된 제 1 가스 공급관과, 처리용기의 상면 중앙에 설치된 제 1 가스 공급관으로 구성되며, 또, 처리용기로부터의 가스 배기수단은 처리용기의 둘레방향으로 등간격으로 4개소에 설치되어 있다. 이에 따라 처리용기의 중심부분에서의 플라즈마 밀도가 저하하지 않고, 균일하고 고밀도의 플라즈마를 얻으며, 큰 직경의 반도체 웨이퍼를 균일하고 고속으로 처리할 수 있게 된다. 다른 플라즈마 처리장치에서는, 유지장치 상의 반도체 웨이퍼와의 사이에 간격을 둔 평판 형상 영역에서 프로세스 가스로부터 헬리콘파 플라즈마를 발생시키도록 처리용기의 측면에 설치된 헬리콘파 플라즈마 발생수단이 설치되어 있다, 펠리콘파 플라즈마 발생수단은, 유지장치에 평행하는 전자파를 발신하는 루프 안테너와, 이 전자파와 같은 방향의 사각형 자장을 형성하여 전자파로부터 헬리콘파 플라즈마를 발생시키는 사각형 형상의 코일로 구성되어 있다. 이때 따라, 큰 직경의 반도체 웨이퍼의 전면을 균일하게 고속처리할 수 있다.

公开(公告)号：KR100167570B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019920004852

申请日：1992-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  호리이케야스히로

Inventor： 호리이케야스히로 ,  가와무라고우헤이

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L28/40 ,  C23C16/18 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/31683

Abstract: 플라즈마 CVD 장치를 사용하여 캐패시터의 유전체막이 형성된다.
먼저, Ta[N(CH
3 )
2 ]
5 가스와, H
2 라디칼에 의하여, Ta 박층이 반도체 웨이퍼에 퇴적된다.
다음에, O
2 라디칼에 의하여 상기 Ta박층이 산화되고, Ta
2 O
5 박층이 형성된다.
다음에, SiH
4 가스와 NH
3 가스에 의하여 Ta
2 O
5 층상에 Si
3 N
4 층이 형성된다.
이와 같이 하여서, Ta
2 O
5 층과 Si
3 N
4 층이 번갈아 몇층이 형성되어 적층 구조의 유전체막이 형성된다.
유전체막은 화학량전인 조성에 가까운 조성을 가지고, 고유전률이고, 내압 특성이 양호한 것으로 된다.

公开(公告)号：KR1019940022720A

公开(公告)日：1994-10-21

申请号：KR1019940006129

申请日：1994-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  호리이케야스히로

Inventor： 호리이케야스히로 ,  후카사와다카유키

IPC: H01L21/30

Abstract: 내부가 소정의 진공도로 유지되는 처리용기와, 이 처리용기의 상면에 설치되고 또 그 내부에 고주파를 발신하여 처리용기 내부의 프로세스 가스에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생수단과 이 플라즈마 발생수단의 작용에 의하여 프로세스 가스로부터 발생한 소정의 처리가 실시되는 반도체 웨이퍼를 유지하는 유지체를 구비하는 반도체 웨이퍼 플라즈마 처리장치에 있어서, 프로세스 가스의 처리용기 내에의 공급수단이, 처리용기의 둘레방향으로 등간격으로 4개소에 설치된 제1가스공급관과, 처리용기의 상면 중앙에 설치된 제1가스공급관으로 구성되며, 또, 처리용기로부터의 가스 배기수단은 처리용기의 둘레방향으로 등간격으로 4개소에 설치되어 있다. 이에 따라 처리용기의 중심부분에서의 플라즈마 밀도가 저하하지 않고, 균일하고 고밀도의 플라즈마를 얻으며, 큰 직경의 반도체 웨이퍼를 균일하고 고속으로 처리할 수 있게 된다. 다른 플라즈마 처리장치에서는, 유지장치 상의 반도체 웨이퍼와의 사이에 간격을 둔 평판 형상 영역에서 프로세스 가스로부터 헬리콘과 플라즈마를 발생시키도록 처리용기의 측면에 설치된 헬리콘과 플라즈마 발생수단이 설치되어 있다. 헬리콘과 플라즈마 발생수단은, 유지장치에 평행하는 전자파를 발신하는 루프 안테나와, 이 전자파와 같은 방향의 사각형 자장을 형성하여 전자파로부터 헬리콘과 플라즈마를 발생시키는 사각형 형상의 코일로 구성되어 있다. 이에 따라, 큰 직경의 반도체 웨이퍼의 전면을 균일하게 고속처리할 수 있다.