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公开(公告)号：KR101350717B1
公开(公告)日：2014-02-04
申请号：KR1020070121666
申请日：2007-11-27
Applicant: 효고켄 , 도요 고세이 고교 가부시키가이샤
IPC: G03F7/004
Abstract: 산발생제와 포토레지스트의 주성분인 산 해리기를 갖는 폴리머와의 상용성이 나쁘다는 문제점을 수반하지 않고 양호한 형상의 패턴을 얻을 수 있는 감광성 수지 및 감광성 조성물을 제공한다.
하기 식 (1)로 표시되는 반복 단위와, 하기 식 (2)로 표시되는 반복 단위 및 하기 식 (3)으로 표시되는 반복 단위 중 적어도 하나와, 하기 식 (4)로 표시되는 반복 단위와, 필요에 따라 하기 식 (5)로 표시되는 반복 단위를 갖는 것을 특징으로 하는 감광성 수지로 한다.
(식 (1)에서, R
1 은 탄소수 2∼9이며 직쇄 또는 분기된 2가의 탄화수소기, R
2 ∼R
5 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼3의 직쇄 또는 분기된 탄화수소기, R
6 및 R
7 은 각각 독립적으로 유기기이며, R
6 과 R
7 은 합쳐져서 2가의 유기기를 형성하고 있을 수도 있다. X
- 는 음 이온을 나타낸다.)
(식 (2)에서, R
8 은 탄소수 2∼9의 직쇄 또는 분기된 탄화수소기를 나타낸다.)
감광성, 수지, 포토레지스트, 산발생제, 반복 단위, 산 해리기, 화학 증폭-
公开(公告)号：KR1020090054798A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：KR1020070121666
申请日：2007-11-27
Applicant: 효고켄 , 도요 고세이 고교 가부시키가이샤
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: A photosensitive resin and a photosensitive composition containing the same are provided to obtain good patterns and to ensure good compatability of a photoacid generator and an acid dissociable group by dissolving a photosensitive resin in solvent without the photoacid generator. A photosensitive resin comprises at least one of a repeating unit of chemical formula 1, a repeating unit of chemical formula 2, and a repeating unit of chemical formula 3; and a repeating unit of chemical formula 4; optionally a repeating unit of chemical formula 5. In chemical formula 1, R1 is C2-9 linear or branched divalent hydrocarbon group; R2~R5 are independently, hydrogen atom or C1-3 linear or branched hydrocarbon group; R6 and R7 are independently organic group; and X is an anion. In chemical formula 2, R8 is C2-9 linear or branched hydrocarbon group.
Abstract translation: 提供感光性树脂和含有它们的感光性组合物以获得良好的图案，并且通过将感光性树脂溶解在不含光致酸产生剂的溶剂中来确保光致酸发生剂和酸解离基团的良好相容性。 光敏树脂包括化学式1的重复单元，化学式2的重复单元和化学式3的重复单元中的至少一种; 和化学式4的重复单元; 化学式1中，R 1为C 2-9直链或支链二价烃基; R2〜R5独立地为氢原子或C1-3直链或支链烃基; R6和R7独立为有机基团; X为阴离子。 在化学式2中，R8为C2-9直链或支链烃基。
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公开(公告)号：KR1020080032098A
公开(公告)日：2008-04-14
申请号：KR1020087001328
申请日：2006-04-25
Applicant: 라이온 가부시키가이샤 , 효고켄
CPC classification number: C08F297/00 , C08G83/005 , G03F7/0392 , B82B3/00 , B82B3/0004 , G03F7/004 , G03F7/0041 , G03F7/0045
Abstract: A hyperbranched polymer being usable as a polymer material for nanofabrication centering on lithography and having been enhanced in dry etching resistance, sensitivity and surface smoothness, which hyperbranched polymer has a core shell structure whose shell portion has an acid decomposed repeating unit of tert-butyl vinylbenzoate, etc. Further, there is provided a resist composition comprising the above hyperbranched polymer.
Abstract translation: 超支化聚合物可用作以光刻为中心的纳米制备的聚合物材料，并且其耐干蚀刻性，灵敏度和表面光滑度得到了提高，该超支化聚合物具有核壳结构，其外壳部分具有酸分解的叔丁基苯乙酸苯酯的重复单元 此外，提供了包含上述超支化聚合物的抗蚀剂组合物。
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公开(公告)号：KR1020140020222A
公开(公告)日：2014-02-18
申请号：KR1020137000260
申请日：2011-09-05
Applicant: 효고켄 , 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤
CPC classification number: C03C4/18 , C03C3/062 , C03C3/097 , C03C3/16 , H01M8/12 , H01M8/1246 , H01M2008/1293 , H01M2300/0071 , Y02E60/525 , Y02P70/56
Abstract: 본 발명의 이온 전도성 재료는 조성으로서 mol% 표시로 P
2 O
5 15~8O%, SiO
2 0~70%, R
2 O(Li
2 O, Na
2 O, K
2 O, Rb
2 O, Cs
2 O, 및 Ag
2 O의 합량) 5~35%를 함유한다.-
公开(公告)号：KR101198121B1
公开(公告)日：2012-11-12
申请号：KR1020100038923
申请日：2010-04-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 효고켄
IPC: H01J49/22 , H01J49/26 , H01J37/317
CPC classification number: H01J49/282
Abstract: (과제) 이온화된 가스 클러스터를 적절하게 편향하는 것이 가능한 하전 입자 선별 장치를 제공한다.
(해결 수단) 이온화된 가스 클러스터를 선별하기 위한 하전 입자 선별 장치에 있어서, 상기 가스 클러스터의 진행 방향으로 배열된 전계를 인가하기 위한 전계 인가부와, 상기 가스 클러스터를 선별하기 위한 슬릿을 갖고, 상기 전계 인가부는 2장의 전극으로 구성되어 있으며, 상기 전극에 교류 전압을 인가함으로써, 이온화된 가스 클러스터를 편향시키는 것으로서, 상기 전극은, 개구부 또는 간극을 갖는 것을 특징으로 하는 하전 입자 선별 장치를 제공함으로써 상기 과제를 해결한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101025202B1
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：KR1020097013144
申请日：2008-01-30
Applicant: 도요보 가부시키가이샤 , 효고켄
IPC: C07C281/20 , C07C281/02 , C07C277/00
CPC classification number: C07C281/20
Abstract: 본 발명은 인 화합물과 병용하여 탈수 축합 반응을 행하는 미츠노부 반응, 산화제 및 여러가지 합성 원료로서 유용한 공업적으로 안전하고, 또한 유용한 아조디카르복실산 비스(2-알콕시에틸)에스테르 화합물, 그 제조 중간체와, 이들의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
일반식(1);
(식 중 A는 탄소수 1~10의 알킬기를 나타냄.)로 나타내어지는 아조디카르복실산 비스(2-알콕시에틸)에스테르 화합물.
아조디카르복실산 비스(2-알콕시에틸)에스테르 화합물-
公开(公告)号：KR1020090088420A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：KR1020097013144
申请日：2008-01-30
Applicant: 도요보 가부시키가이샤 , 효고켄
IPC: C07C281/20 , C07C281/02 , C07C277/00
CPC classification number: C07C281/20
Abstract: a bis(2-alkoxyethyl) azodicarboxylate ester compound which can be used in combination with a phosphorus compound in a Mitsunobu reaction for achieving a dehydration/condensation reaction, is useful as an oxidizing agent or a raw material for the synthesis of various compounds, and is safe and useful in an industrial viewpoint; an intermediate for the production of the compound; and a method for producing the compound or the intermediate. Specifically disclosed is a bis(2-alkoxyethyl) azodicarboxylate ester compound represented by the general formula (1). (1) wherein A represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. ® KIPO & WIPO 2009
Abstract translation: 可以在Mitsunobu反应中与磷化合物组合使用以实现脱水/缩合反应的双（2-烷氧基乙基）偶氮二羧酸酯化合物作为用于合成各种化合物的氧化剂或原料是有用的， 在工业观点上是安全有用的; 用于生产化合物的中间体; 以及该化合物或中间体的制造方法。 具体公开了由通式（1）表示的双（2-烷氧基乙基）偶氮二羧酸酯化合物。 （1）其中A表示碳原子数1〜10的烷基。 ®KIPO＆WIPO 2009
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公开(公告)号：KR101861502B1
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：KR1020177030362
申请日：2011-07-27
Applicant: 오사카 유키가가쿠고교 가부시키가이샤 , 효고켄
IPC: C08F220/30 , C08L33/06 , G02B5/30 , G02F1/1337
CPC classification number: G02B5/3016 , C08F220/04 , C08F220/30 , G02F1/13363 , G02F1/133711 , G02F1/133788 , G02F2001/133633 , G02F2001/133726
Abstract: 독성및 환경부하가낮은용매에용해할수 있는등이뛰어난특징을갖는, 공중합성 (메타)아크릴산폴리머, 이를포함하여이루어진광배향막용조성물, 상기조성물로이루어진막에액정배향능을발생시킨광배향막, 및상기광배향막상에액정성화합물을배향시킨위상차막을제공한다. 상기공중합성 (메타)아크릴산폴리머는, 일반식 (I) 〔각기호는명세서중에규정대로이다.〕로표시되는반복단위를갖는것이다.
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公开(公告)号：KR101336089B1
公开(公告)日：2013-12-03
申请号：KR1020110049232
申请日：2011-05-24
Applicant: 효고켄 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02024 , C30B33/00 , H01L29/1608
Abstract: 기판 등의 표면의 평탄성을 향상시키는 표면 처리 방법을 제공한다. 질소를 포함하지 않는 원료의 가스 클러스터 이온 빔을 발생시켜 피처리 부재에 조사하는 제 1 처리 공정과, 질소의 가스 클러스터 이온 빔을 발생시켜 상기 피처리 부재에 조사하는 제 2 처리 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 표면 처리 방법을 제공함으로써 상기 과제를 해결한다.
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公开(公告)号：KR1020110129825A
公开(公告)日：2011-12-02
申请号：KR1020110049232
申请日：2011-05-24
Applicant: 효고켄 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02024 , C30B33/00 , H01L29/1608
Abstract: PURPOSE: A surface processing method and apparatus are provided to level the surface of a substrate with high precision by executing planarization by a gas cluster of nitrogen after executing planarization by a gas cluster of argon. CONSTITUTION: A nozzle(21) creates a gas cluster. A material gas supplier(23) supplies gas which becomes raw materials of the gas cluster to the nozzle. A controller selects the gas which is provided from the material gas supplier and controls the gas. The material gas supplier comprises a first gas source and a second gas source. The material gas supplier irradiates the gas cluster in a target member(50). The first gas source supplies a raw material which does not include nitrogen. The second gas source supplies the nitrogen. A planarization process by CMP(Chemical Mechanical Polishing) is executed to the target member.
Abstract translation: 目的：提供一种表面处理方法和装置，通过在通过氩气气氛进行平坦化之后，通过执行氮气气体簇的平坦化，高精度地平坦化基板的表面。 构成：喷嘴（21）产生气体簇。 原料气体供给体（23）向喷嘴供给成为气体簇的原料的气体。 控制器选择从原料气供应商提供的气体并控制气体。 原料气体供给器包括第一气体源和第二气体源。 原料气体供给器将目标构件（50）中的气体簇照射。 第一种气源提供不含氮的原料。 第二个气源提供氮气。 对目标构件执行CMP（化学机械抛光）的平坦化处理。
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