公开(公告)号：JP2016523444A

公开(公告)日：2016-08-08

申请号：JP2015563144

申请日：2014-07-01

Applicant: インフェニックス インコーポレイテッドInphenix, Inc. ,  インフェニックス インコーポレイテッドInphenix, Inc.

Inventor： マキノ トシヒコ ,  マキノ トシヒコ ,  リ トンニン ,  リ トンニン ,  イーユー デビッド ,  イーユー デビッド

IPC: H01S5/183 ,  G01N21/01 ,  G01N21/17 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/18366 ,  G01B9/02004 ,  G01N21/4795 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34313

Abstract: 微小電気機械システム(MEMS)技術を用いた波長同調型垂直キャビティ面発光レーザー(VCSEL)を、光干渉断層撮影(OCT)用掃引源として提供する。波長同調型VCSELは、VCSELの下側ミラーと、活性領域と、静電偏向により可動なMEMS同調型上側ミラーとを備える。GaAs系分布ブラッグ反射器(DBR)スタックを含む下側ミラーと、GaAs系量子ドット(QD)層の複数スタックを含む活性領域とを、GaAs基板上にエピタキシャル成長させる。MEMS同調型上側ミラーは、サスペンションビームに支持される膜部と、誘電体DBRスタックを含む上側ミラーとを備える。MEMS同調型量子ドットVCSELは、100nmを超える動作波長範囲をカバーすることができ、好ましくは250〜1950nmの中心波長を持つ。掃引レートは、数kHz〜数100kHzであってもよく、数MHzまでであってもよい。

Abstract translation: 使用该技术（VCSEL），一种微机电系统（MEMS）的波长可调垂直腔表面发射激光器，以提供光学相干断层扫描（OCT）的扫频源。 波长可调VCSEL包括下部反射镜的VCSEL，和有源区，并且通过静电偏转可动MEMS可调谐顶部镜。 包含下部反射镜GaAs基分布式布拉格反射器（DBR）栈，并且包括基于量子点（QD）层GaAs构成的多个堆叠的有源区外延生长在GaAs衬底上。 MEMS可调顶部镜包括由所述悬挂梁支撑的膜部，和一个顶部镜包括电介质DBR堆叠。 MEMS可调谐量子点VCSEL可以覆盖100nm以上的工作波长范围内，优选为250〜1950Nm的中心波长。 扫描速度可以是几kHz〜数100kHz的，可高达几MHz。

公开(公告)号：JP2016540245A

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：JP2016534246

申请日：2014-11-25

Applicant: インフェニックス インコーポレイテッドInphenix, Inc. ,  インフェニックス インコーポレイテッドInphenix, Inc.

Inventor： カマル ムハンマド ,  カマル ムハンマド ,  リ トンニン ,  リ トンニン ,  イーユー デビッド ,  イーユー デビッド ,  チ チニアン ,  チ チニアン

IPC: G02B26/00 ,  G02B5/08 ,  H01S3/10 ,  H01S3/106 ,  H01S5/14

CPC classification number: G02B26/001 ,  B81C1/00317 ,  B81C2201/013 ,  G02B1/11 ,  G02B1/12 ,  H01L33/46 ,  H01L39/2467 ,  H01L2924/1461 ,  H01S3/08027 ,  H01S3/083 ,  H01S3/105 ,  H01S3/1062 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18366

Abstract: 微小電気機械システム(MEMS)ベースのファブリペロー(FP)フィルターキャビティ調整を伴う波長可変利得媒質を、波長可変レーザーとして提供する。当該システムは、波長選択用のレーザーキャビティとフィルターキャビティとを含む。レーザーキャビティは、半導体光増幅器(SOA)等の利得媒質と、2つのコリメーティングレンズと、端部反射器とからなる。MEMS−FPフィルターキャビティは、静電力で制御可能な、固定反射器と可動反射器とを含む。MEMS反射器を動かすことによって、FPフィルターキャビティ長を変えることで、波長を調整することができる。MEMS−FPフィルターキャビティ変位は、ステップ電圧によって離散的に、または連続駆動電圧によって連続して調整することができる。連続調整用の駆動周波数は、MEMS構造の共振周波数またはその他任意の周波数であってもよく、波長可変範囲は、30nm、40nm、および100nm超等の異なる波長可変範囲に及び得る。

Abstract translation: 与微机电系统的可调谐增益介质（MEMS）的法布里 - 珀罗（FP）过滤腔调整，以提供一个波长可调激光器。 该系统包括激光腔和一过滤腔用于波长选择。 激光腔，作为一个半导体光放大器（SOA），和两个准直透镜，包括一个端部反射器的增益介质，例如。 MEMS-FP过滤腔，其可以通过静电力来控制，并且一个固定反射器和一个活动反射器。 通过移动MEMS反射，通过改变FP过滤腔长度可以调整波长。 MEMS-FP过滤腔位移可以连续通过一个阶跃电压离散或连续的驱动电压进行调整。 用于连续调整驱动频率可以是一个谐振频率或者MEMS结构的任何其他频率，波长可调范围为30nm，可以为40纳米，和100nm的不同波长的可变范围超过等。

公开(公告)号：JP2017175157A

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：JP2017106362

申请日：2017-05-30

Applicant: インフェニックス インコーポレイテッド ,  INPHENIX, INC.

Inventor： トシヒコ マキノ ,  トンニン リ ,  デビッド イーユー

IPC: G02B26/00 ,  G01N21/17 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18366 ,  G01B9/02004 ,  G01N21/4795 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/34313

Abstract: 【課題】微小電気機械システム(MEMS)技術を用いた波長同調型垂直キャビティ面発光レーザー(VCSEL)を、光干渉断層撮影(OCT)用掃引源として提供する。 【解決手段】波長同調型VCSELは、VCSELの下側ミラーと、活性領域と、静電偏向により可動なMEMS同調型上側ミラーとを備える。GaAs系分布ブラッグ反射器(DBR)スタックを含む下側ミラーと、GaAs系量子ドット(QD)層の複数スタックを含む活性領域とを、GaAs基板上にエピタキシャル成長させる。MEMS同調型上側ミラーは、サスペンションビームに支持される膜部と、誘電体DBRスタックを含む上側ミラーとを備える。MEMS同調型量子ドットVCSELは、100nmを超える動作波長範囲をカバーすることができ、好ましくは250〜1950nmの中心波長を持つ。掃引レートは、数kHz〜数100kHzであってもよく、数MHzまでであってもよい。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2019145797A

公开(公告)日：2019-08-29

申请号：JP2019031363

申请日：2019-02-25

Applicant: インフェニックス インコーポレイテッド ,  INPHENIX, INC.

Inventor： ムハンマド カマル ,  トンニン リ ,  デビッド イーユー ,  チニアン チ

IPC: H01S5/50 ,  H01S5/022 ,  G02B26/00 ,  G02B5/28 ,  G02B5/26 ,  G02B1/11 ,  B81B3/00 ,  H01S5/14

Abstract: 【課題】微小電気機械システム(MEMS)ベースのファブリペロー(FP)フィルターによるキャビティ調整を伴う波長可変利得媒質を、波長可変レーザーとして提供する。 【解決手段】当該システムは、波長選択用のレーザーキャビティとフィルターキャビティとを含む。レーザーキャビティは、半導体光増幅器(SOA)等の利得媒質と、2つのコリメーティングレンズと、端部反射器とからなる。MEMS−FPフィルター210キャビティは、静電力で制御可能な、固定反射器114と可動反射器115とを含む。MEMS反射器を動かすことによって、FPフィルターキャビティ長を変えることで、波長を調整することができる。MEMS−FPフィルターキャビティ変位は、ステップ電圧によって離散的に、または連続駆動電圧によって連続して調整することができる。波長可変範囲は、30nm、40nm、および100nm超等の異なる波長可変範囲に及び得る。 【選択図】図2A

公开(公告)号：JP6488299B2

公开(公告)日：2019-03-20

申请号：JP2016534246

申请日：2014-11-25

Applicant: インフェニックス インコーポレイテッド ,  INPHENIX, INC.

Inventor： ムハンマド カマル ,  トンニン リ ,  デビッド イーユー ,  チニアン チ

IPC: H01S3/106 ,  H01S3/10 ,  H01S5/14 ,  G02B26/00

公开(公告)号：CA2931252A1

公开(公告)日：2015-06-04

申请号：CA2931252

申请日：2014-11-25

Applicant: INPHENIX INC

Inventor： KAMAL MOHAMMAD ,  LI TONGNING ,  EU DAVID ,  QI QINIAN

IPC: G02B5/28 ,  B81B3/00

Abstract: A wavelength tunable gain medium with micro-electromechanical system (MEMS) based Fabry-Perot (FP) filter cavity tuning is provided as a tunable laser. The system comprises a laser cavity and a filter cavity for wavelength selection. The laser cavity consists of a gain medium such as a Semiconductor Optical Amplifier (SOA), two collimating lenses and an end reflector. The MEMS-FP filter cavity comprises a fixed reflector and a moveable reflector, controllable by electrostatic force. By moving the MEMS reflector, the wavelength can be tuned by changing the FP filter cavity length. The MEMS FP filter cavity displacement can be tuned discretely with a step voltage, or continuously by using a continuous driving voltage. The driving frequency for continuous tuning can be a resonance frequency or any other frequency of the MEMS structure, and the tuning range can cover different tuning ranges such as 30 nm, 40 nm, and more than 100 nm.

公开(公告)号：CA2917147A1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：CA2917147

申请日：2014-07-01

Applicant: INPHENIX INC

Inventor： MAKINO TOSHIHIKO ,  LI TONGNING ,  EU DAVID

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/187 ,  H01S5/343

Abstract: A wavelength-tunable vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) with the use of micro-electromechanical system (MEMS) technology is provided as a swept source for Optical Coherence Tomography (OCT). The wavelength-tunable VCSEL comprises a bottom mirror of the VCSEL, an active region, and a MEMS tunable upper mirror movable by electrostatic deflections. The bottom mirror comprising a GaAs based distributed Bragg reflector (DBR) stack, and the active region comprising multiple stacks of GaAs based quantum dot (QD) layers, are epitaxially grown on a GaAs substrate. The MEMS tunable upper mirror includes a membrane part supported by suspension beams, and an upper mirror comprising a dielectric DBR stack. The MEMS tunable quantum dots VCSEL can cover an operating wavelength range of more than 100 nm, preferably with a center wavelength between 250 and 1950 nm, and the sweeping rate can be from a few kHz to hundreds of kHz, and up to a few MHz.

公开(公告)号：US09203215B2

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：US14321792

申请日：2014-07-01

Applicant: Inphenix, Inc.

Inventor： Toshihiko Makino ,  Tongning Li ,  David Eu

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/183 ,  G01N21/47 ,  H01S5/34

CPC classification number: H01S5/18366 ,  G01B9/02004 ,  G01N21/4795 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34313

Abstract: A wavelength-tunable vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) with the use of microelectromechanical system (MEMS) technology is provided as a swept source for Optical Coherence Tomography (OCT). The wavelength-tunable VCSEL comprises a bottom mirror of the VCSEL, an active region, and a MEMS tunable upper mirror movable by electrostatic deflections. The bottom mirror comprising a GaAs based distributed Bragg reflector (DBR) stack, and the active region comprising multiple stacks of GaAs based quantum dot (QD) layers, are epitaxially grown on a GaAs substrate. The MEMS tunable upper mirror includes a membrane part supported by suspension beams, and an upper mirror comprising a dielectric DBR stack. The MEMS tunable quantum dots VCSEL can cover an operating wavelength range of more than 100 nm, preferably with a center wavelength between 250 and 1950 nm, and the sweeping rate can be from a few kHz to hundreds of kHz, and up to a few MHz.

Abstract translation: 提供了使用微机电系统（MEMS）技术的波长可调谐垂直腔表面发射激光器（VCSEL）作为光学相干断层扫描（OCT）的扫描源。 波长可调谐VCSEL包括VCSEL的底部反射镜，有源区域和可由静电偏转移动的MEMS可调谐上镜。 包括GaAs基分布式布拉格反射器（DBR）堆叠的底部反射镜和包含多个基于GaAs的量子点（QD）层的有源区在GaAs衬底上外延生长。 MEMS可调上反射镜包括由悬挂梁支撑的膜部分和包括电介质DBR堆叠的上反射镜。 MEMS可调量子点VCSEL可以覆盖超过100nm的工作波长范围，优选地具有在250和1950nm之间的中心波长，并且扫描速率可以是从几kHz到几百kHz，并且高达几MHz 。

公开(公告)号：HK1224090A1

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：HK16112071

申请日：2016-10-19

Applicant: INPHENIX INC

Inventor： MAKINO TOSHIHIKO T ,  LI TONGNING T ,  EU DAVID D

IPC: H01S20060101

公开(公告)号：CA2917147C

公开(公告)日：2016-09-27

申请号：CA2917147

申请日：2014-07-01

Applicant: INPHENIX INC

Inventor： MAKINO TOSHIHIKO ,  LI TONGNING ,  EU DAVID

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/187 ,  H01S5/343

Abstract: A wavelength-tunable vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) with the use of micro-electromechanical system (MEMS) technology is provided as a swept source for Optical Coherence Tomography (OCT). The wavelength-tunable VCSEL comprises a bottom mirror of the VCSEL, an active region, and a MEMS tunable upper mirror movable by electrostatic deflections. The bottom mirror comprising a GaAs based distributed Bragg reflector (DBR) stack, and the active region comprising multiple stacks of GaAs based quantum dot (QD) layers, are epitaxially grown on a GaAs substrate. The MEMS tunable upper mirror includes a membrane part supported by suspension beams, and an upper mirror comprising a dielectric DBR stack. The MEMS tunable quantum dots VCSEL can cover an operating wavelength range of more than 100 nm, preferably with a center wavelength between 250 and 1950 nm, and the sweeping rate can be from a few kHz to hundreds of kHz, and up to a few MHz.