公开(公告)号：WO2005115743A3

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：PCT/US2005018380

申请日：2005-05-25

Applicant: IBM ,  GALLAGHER EMILY E ,  KINDT LOUIS M ,  THIEL CAREY W

Inventor： GALLAGHER EMILY E ,  KINDT LOUIS M ,  THIEL CAREY W

IPC: B32B9/00 ,  B32B15/00 ,  B32B17/06 ,  G03C5/00 ,  G03F1/00 ,  G03F1/14 ,  G21K1/06 ,  G21K5/00 ,  G01F9/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

Abstract: A light scattering EUVL mask and a method of forming the same comprises depositing (300) a crystalline silicon layer (110) over an ultra low expansion substrate (100), depositing a hardmask over the crystalline silicon layer (310), patterning the hardmask (340); etching the crystalline silicon layer (350), removing the hardmask (360), and depositing a Mo/Si layer over the crystalline silicon layer (360), wherein etched regions of the crystalline silicon layer comprise uneven surfaces in the etched regions. The method further comprises depositing a photoresist mask (320) over the hardmask, creating a pattern in the photoresist mask (330), and transferring the pattern to the hardmask (340). The Mo/Si layer (160) comprises uneven surfaces conformal with the sloped surfaces off the crystalline silicon layer (110), wherein the sloped surfaces of the Mo/Si layer may be configured as roughened, jagged, sloped, or curved surfaces, wherein the uneven surfaces deflect incoming extreme ultraviolet radiation waves to avoid collection by exposure optics and prevent printing onto a semiconductor wafer.

Abstract translation: 光散射EUVL掩模及其形成方法包括在超低膨胀衬底（100）上沉积（300）晶体硅层（110），在晶体硅层（310）上沉积硬掩模，使硬掩模 340）; 蚀刻晶体硅层（350），去除硬掩模（360），以及在晶体硅层（360）上沉积Mo / Si层，其中晶体硅层的蚀刻区域包括蚀刻区域中的不平坦表面。 该方法还包括在硬掩模上沉积光致抗蚀剂掩模（320），在光致抗蚀剂掩模（330）中产生图案，并将图案转移到硬掩模（340）。 Mo / Si层（160）包括与晶体硅层（110）之间的倾斜表面共形的不平坦表面，其中Mo / Si层的倾斜表面可以被配置为粗糙的，锯齿形的，倾斜的或曲面的，其中 不平坦的表面偏转入射的极紫外辐射波，以避免曝光光学元件的收集，并防止印刷到半导体晶片上。

公开(公告)号：WO2005115743A2

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：PCT/US2005/018380

申请日：2005-05-25

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  GALLAGHER, Emily, E. ,  KINDT, Louis, M. ,  THIEL, Carey, W.

Inventor： GALLAGHER, Emily, E. ,  KINDT, Louis, M. ,  THIEL, Carey, W.

IPC: B32B9/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

Abstract: A light scattering EUVL mask and a method of forming the same comprises depositing (300) a crystalline silicon layer (110) over an ultra low expansion substrate (100), depositing a hardmask over the crystalline silicon layer (310), patterning the hardmask (340); etching the crystalline silicon layer (350), removing the hardmask (360), and depositing a Mo/Si layer over the crystalline silicon layer (360), wherein etched regions of the crystalline silicon layer comprise uneven surfaces in the etched regions. The method further comprises depositing a photoresist mask (320) over the hardmask, creating a pattern in the photoresist mask (330), and transferring the pattern to the hardmask (340). The Mo/Si layer (160) comprises uneven surfaces conformal with the sloped surfaces off the crystalline silicon layer (110), wherein the sloped surfaces of the Mo/Si layer may be configured as roughened, jagged, sloped, or curved surfaces, wherein the uneven surfaces deflect incoming extreme ultraviolet radiation waves to avoid collection by exposure optics and prevent printing onto a semiconductor wafer.

Abstract translation: 光散射EUVL掩模及其形成方法包括在超低膨胀衬底（100）上沉积（300）晶体硅层（110），在晶体硅层（310）上沉积硬掩模，使硬掩模 340）; 蚀刻晶体硅层（350），去除硬掩模（360），以及在晶体硅层（360）上沉积Mo / Si层，其中晶体硅层的蚀刻区域包括蚀刻区域中的不平坦表面。 该方法还包括在硬掩模上沉积光致抗蚀剂掩模（320），在光致抗蚀剂掩模（330）中产生图案，并将图案转移到硬掩模（340）。 Mo / Si层（160）包括与晶体硅层（110）之间的倾斜表面共形的不平坦表面，其中Mo / Si层的倾斜表面可以被配置为粗糙的，锯齿形的，倾斜的或曲面的，其中 不平坦的表面偏转入射的极紫外辐射波，以避免曝光光学元件的收集，并防止印刷到半导体晶片上。