公开(公告)号：WO2005043544A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：PCT/DE2004/002396

申请日：2004-10-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  KUND, Michael

Inventor： KUND, Michael

IPC: G11C7/24

CPC classification number: G11C16/3431 ,  G11C7/24 ,  G11C11/406 ,  G11C16/3418

Abstract: Bei der erfindungsgemäßen Speicheranordnung sind an Kreuzungen von Wortleitungen (WL) mit Bitleitungen (BL) wieder beschreibbare Speicherzellen (MC) angeordnet, die so ausgestaltet sind, dass ein Auslesen der in ihnen gespeicherten Informationen im Wesentlichen zerstörungsfrei erfolgt. Erfindungsgemäß weist die Speicheranordnung entweder je Wortleitung (WL) oder je Bitleitung (BL) eine Merkerzelle (MMC) auf, in der eine Information hinterlegbar ist, die anzeigt, ob wenigstens eine der Speicherzellen (MC) entweder entlang der jeweiligen Wortleitung (WL) oder entlang der jeweiligen Bitleitung (BL) seit Auftreten eines Grundzustands einem Lesevorgang unterzogen worden ist.

Abstract translation: 在本发明的存储装置（WL）可写的存储器单元是在字线和再次安排的位线（BL）的交叉（MC），其被设计为使得读出在其中所存储的信息主要发生非破坏性。 根据本发明的存储器阵列或者每个字线（WL）或每个位线（BL）有一个标志细胞（MMC），其中信息是可存储，其指示是否存储器单元（MC）中的至少一个或者沿着相应字线（WL）或 沿着因为读操作的接地状态的发生的相应的位线（BL）已经经受。

公开(公告)号：WO2005104134A1

公开(公告)日：2005-11-03

申请号：PCT/DE2005/000723

申请日：2005-04-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  HAPP, Thomas ,  KUND, Michael

Inventor： HAPP, Thomas ,  KUND, Michael

IPC: G11C16/02

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3495

Abstract: Die Erfindung betrifft Verfahren und Vorrichtungen zur Programmierung von CBRAM-Speicherzellen durch das sich die Zykelfestigkeit entscheidend verbessern lässt. Ein Ausführungsbeispiel stellt sicher, dass die Speicherzellen vor einem erneuten Beschreiben stets gelöscht werden (Schritte S3, S4), während in einem zweiten Ausführungsbeispiel der Zellinhalt beim Überschreiben nur verändert wird, wenn dies aufgrund eines sich ändernden Bitzustands wirklich nötig ist.

Abstract translation: 本发明涉及通过该周期稳定性可以得到改善显著用于编程CBRAM存储单元的方法和装置。 一个实施方案中确保了的存储器单元被重写（步骤S3，S4）之前总是取消，而只有在用于覆盖细胞内容物的第二个实施例改变了，当这是因为变化的比特状态的真正必要的。

公开(公告)号：WO2005010983A2

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：PCT/DE2004001588

申请日：2004-07-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  KUND MICHAEL ,  MIKOLAJICK THOMAS ,  PINNOW CAY-UWE

Inventor： KUND MICHAEL ,  MIKOLAJICK THOMAS ,  PINNOW CAY-UWE

IPC: G11C13/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11568 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: The invention concerns a method for producing a memory cell (1) comprising an organic storage layer (10), storing a digital information. Said method consists in carrying out a treatment of polycrystalline and monocrystalline semiconductor structures, during which said structures are subjected to high temperatures prior to applying the organic storage layer (10).

Abstract translation: 当生产具有数字信息存储有机存储层（10）的存储单元（1）之前，将有机存储层（10）完成的多晶和单晶半导体结构的处理可以被应用到高的温度。

公开(公告)号：WO2005010983A3

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：PCT/DE2004/001588

申请日：2004-07-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  KUND, Michael ,  MIKOLAJICK, Thomas ,  PINNOW, Cay-Uwe

Inventor： KUND, Michael ,  MIKOLAJICK, Thomas ,  PINNOW, Cay-Uwe

IPC: H01L21/28

Abstract: Beim Herstellen einer Speicherzelle (1) mit einer eine digitale Information speichernden organischen Speicherschicht (10) wird vor einem Aufbringen der organischen Speicherschicht (10) eine Prozessierung von poly- und monokristallinen Halbleiterstrukturen, bei der hohe Temperaturen angewendet werden, abgeschlossen.