公开(公告)号：WO1998013860A1

公开(公告)日：1998-04-02

申请号：PCT/EP1997005253

申请日：1997-09-24

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  KLUMPP, Armin ,  LANDESBERGER, Christof

Inventor： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/2007

Abstract: In a process for joining first and second silicium slices (2, 4), a main surface of the first silicium slice (2) is first provided with a polyimide layer (6), and then a plasma-induced reaction is conducted between the polyimide layer (6) and water. A plasma-induced reaction between a main surface of the second silicium slice (4) and chlorine is also conducted. The main surface of the second silicium slide (4) is then treated with hydrolysed triethoxysilylpropanamine. The surfaces of the two silicium slices subjected to the plasma-induced reactions are then assembled to be joined in a permanent manner.

Abstract translation: 在用于连接第一和第二硅晶片（2,4），所述第一硅板的方法（2）首先被设置在其主表面上，具有聚酰亚胺层（6）。 接着，进行聚酰亚胺层（6）和水之间的等离子体诱导的反应。 第二硅晶片（4）和氯气的主表面之间还进行了等离子体诱导反应。 第二硅晶片（4）的主表面随后经受与水解Triethoxysilylpropanamin的处理。 此后，涂覆在两个硅晶片的表面上的等离子体诱导反应结合在一起以硅晶片永久连接。

公开(公告)号：WO2007110191A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：PCT/EP2007/002554

申请日：2007-03-22

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  LANDESBERGER, Christof ,  BOCK, Karlheinz ,  KLINK, Gerhard

Inventor： LANDESBERGER, Christof ,  BOCK, Karlheinz ,  KLINK, Gerhard

IPC: H01L21/683 ,  B23Q3/15 ,  H02N13/00

CPC classification number: H02N13/00 ,  H01L21/6833

Abstract: Ein Verfahren zum Handhaben eines Substrats (18) mit einer leitfähigen Schicht (16) umfasst das Bereitstellen eines Substrats, das eine leitfähige Schicht aufweist, und eines Trägers (5) mit einer Flächenelektrode (12). Das Substrat und der Träger werden derart angeordnet, dass sich die leitfähige Schicht und die Flächenelektrode über eine Isolierschicht (11) gegenüberliegen. Ein Fixieren des Substrats an dem Träger wird durch eine elektrostatische Anziehung zwischen der leitfähigen Schicht und der Flächenelektrode bewirkt.

Abstract translation: 一种用于与导电层（16）处理的基板（18）方法包括：提供具有导电层的衬底，和一个支撑件（5），其具有的表面电极（12）。 所述基板和所述载体被设置成使得所述导电层和所述平坦电极通过绝缘层（11）相对。 的固定基板的载波由所述导电层和所述表面电极之间的静电吸引进行。

公开(公告)号：WO2007110192A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：PCT/EP2007/002555

申请日：2007-03-22

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  LANDESBERGER, Christof

Inventor： LANDESBERGER, Christof

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6833

Abstract: Verfahren und Vorrichtung zur elektrostatischen Fixierung von Substraten mit polarisierbaren Molekülen Zusammenfassung Verfahren zum Handhaben eines Substrats mit polarisierbaren Molekülen umfasst das Bereitstellen eines Trägers (5) mit einer ersten Flächenelektrode (12) und das Anordnen des Substrats zwischen der ersten Flächenelektrode und einer zweiten Flächenelektrode (20). Ein Fixieren des Substrats (15) an dem Träger wird durch ein Anlegen einer Spannung zwischen der ersten Flächenelektrode und der zweiten Flächenelektrode, so dass die polarisierbaren Moleküle polarisiert werden, erreicht. Nach dem Entfernen der zweiten Flächenelektrode bleibt das Substrat an dem Träger fixiert.

Abstract translation: 方法和装置，用于与用于处理基板，具有可极化分子，包括：提供载体（5），具有第一面电极（12）和将所述第一表面电极和第二表面电极之间的衬底可极化分子摘要方法的基板的静电固定（20 ）。 在支承基板（15）的固定是通过将​​所述第一结电极和第2接合电极之间施加电压，使可极化分子被极化来实现。 去除所述第二结电极之后，将基板保持固定在载体上。

公开(公告)号：WO0103189A8

公开(公告)日：2001-05-17

申请号：PCT/EP0006132

申请日：2000-06-30

Applicant: FRAUNHOFER GES FORSCHUNG ,  LANDESBERGER CHRISTOF ,  REICHL HERBERT ,  ANSORGE FRANK ,  RAMM PETER ,  EHRMANN OSWIN

Inventor： LANDESBERGER CHRISTOF ,  REICHL HERBERT ,  ANSORGE FRANK ,  RAMM PETER ,  EHRMANN OSWIN

IPC: H01L25/18 ,  H01L21/301 ,  H01L21/78 ,  H01L21/98 ,  H01L23/52 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a multichip module comprising a base chip (10), a top chip (16), whose thickness is less than 100 mu m, and an adhesive layer (22) which is placed between the base chip (10) and the top chip (16), and both chips are mechanically joined to one another. An electrically insulating planarization layer (24) is provided such that the top chip (16) is embedded in the planarization layer (24). A through hole (26a) in the planarization layer (24) is filled with an electrically conductive material, is connected, in an electrically conductive manner, to a connection surface of the base chip (10), and is connected, in an electrically conductive manner, to a connection surface (20) of the top chip (16) via a metallization (28, 30). Through holes (26a, 26b) in the planarization layer (24) enable the production of all connections between the chips, between the base chip or between the top chip and external contacts of the multichip module in a manner that is independent of the individual chips and while using conventional semiconductor processing steps.

Abstract translation: 一种多芯片模块包括基底芯片（10）和顶片（16）之间的基片（10），顶片（16），厚度小于100微米，和粘合层（22）， 两个芯片机械连接在一起。 电绝缘平面化层（24）被设置成使得在所述平坦化层（24）的顶片（16）嵌入。 在平坦化层的通孔（26a）的（24）中填充有导电材料并在一方面与基底芯片（10）的连接表面（20）和，另一方面，经由金属化（28,30）同一个连接表面（20） 顶片（16）导电连接。 通过通孔（26A，26B）在平坦化层（24），可以在基体之间的芯片之间的所有连接，管芯或顶片和使用传统的半导体处理步骤的多芯片模块的外部接触，独立于单个芯片之间 生产。

公开(公告)号：WO2003092040A3

公开(公告)日：2003-11-06

申请号：PCT/EP2003/004176

申请日：2003-04-22

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. ,  KÖTHE, Oliver ,  LANDESBERGER, Christof ,  BLEIER, Martin

Inventor： KÖTHE, Oliver ,  LANDESBERGER, Christof ,  BLEIER, Martin

IPC: H01L21/304

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers (100), der Halbleitermaterial aufweist, umfasst zunächst ein mechanisches Abtragen von Halbleitermaterial des Wafers (100) in einem vorbestimmten Muster, wodurch Defekte (116) an dem Wafer (100) entlang des vorbestimmten Musters entstehen. Abschließend werden die Defekte beseitigt, indem Halbleitermaterial entlang einer durch das mechanische Abtragen gebildeten Oberfläche des vorbestimmten Musters abgetragen wird.

公开(公告)号：WO2003092040A2

公开(公告)日：2003-11-06

申请号：PCT/EP2003/004176

申请日：2003-04-22

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. ,  KÖTHE, Oliver ,  LANDESBERGER, Christof ,  BLEIER, Martin

Inventor： KÖTHE, Oliver ,  LANDESBERGER, Christof ,  BLEIER, Martin

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/304

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers (100), der Halbleitermaterial aufweist, umfasst zunächst ein mechanisches Abtragen von Halbleitermaterial des Wafers (100) in einem vorbestimmten Muster, wodurch Defekte (116) an dem Wafer (100) entlang des vorbestimmten Musters entstehen. Abschließend werden die Defekte beseitigt, indem Halbleitermaterial entlang einer durch das mechanische Abtragen gebildeten Oberfläche des vorbestimmten Musters abgetragen wird.

Abstract translation: 具有用于处理晶片（100）的方法，所述半导体材料最初包括在预定图案的机械去除晶片（100）的半导体材料，从而形成沿着所述预定图案的晶片（100）上的缺陷（116）。 最后，将缺陷是由半导体材料消除沿着由预定图案的机械研磨表面形成的平面去除。