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公开(公告)号：TWI293510B
公开(公告)日：2008-02-11
申请号：TW092109281
申请日：2003-04-22
Applicant: M/A商業公司 M/A-COM, INC.
Inventor： 丹 葛地斯 米勒 DAIN CURTIS MILLER , 盈德 吉特 伯爾 INDER JIT BAHL , 愛德華 勞倫斯 葛芬 EDWARD LAWRENCE GRIFFEN
IPC: H01L
CPC classification number: H01L29/402 , H01L27/0605 , H01L29/812
Abstract: 一種場板MESFET，包括複數個FET元件。每一個FET元件包括摻雜平面通道及耦合於前述通道各端之源極與汲極。閘極導體延伸至位於前述源極與汲極間位置處之前述通道的一部分上方，與前述汲極保持第一預定距離。場板與前述閘極導體相連且朝前述汲極延伸第二預定距離，除與閘極導體連結外，前述場板藉由介電材料與前述通道絕緣。
Abstract in simplified Chinese: 一种场板MESFET，包括复数个FET组件。每一个FET组件包括掺杂平面信道及耦合于前述信道各端之源极与汲极。闸极导体延伸至位于前述源极与汲极间位置处之前述信道的一部分上方，与前述汲极保持第一预定距离。场板与前述闸极导体相连且朝前述汲极延伸第二预定距离，除与闸极导体链接外，前述场板借由介电材料与前述信道绝缘。
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2.发明专利
公开(公告)号：TW200733257A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW096100279
申请日：2007-01-04
Applicant: M/A商業公司 M/A-COM, INC.
Inventor： 威斯洛 湯瑪士 艾倫 WINSLOW, THOMAS AARON
IPC: H01L
CPC classification number: H01L29/812 , H01L29/0646 , H01L29/1029 , H01L29/1075 , H01L29/66848 , H01L29/66878
Abstract: 本發明提供一種金屬半導體場效電晶體(MESFET)及其製造方法。該方法包括形成一n型通道部於一基底中及形成一p型通道部於該基底中。該n型通道部的一邊界與該p型通道部的一邊界係界定出一本質區域(intrinsic region)於該基底中。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种金属半导体场效应管(MESFET)及其制造方法。该方法包括形成一n型信道部于一基底中及形成一p型信道部于该基底中。该n型信道部的一边界与该p型信道部的一边界系界定出一本质区域(intrinsic region)于该基底中。
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3.发明专利具有基極及集極捷接之功率放大器 POWER AMPLIFER WITH BASE AND COLLECTOR STRAPS 有权具有基极及集极捷接之功率放大器 POWER AMPLIFER WITH BASE AND COLLECTOR STRAPS
公开(公告)号：TW200301966A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：TW091132444
申请日：2002-11-01
Applicant: M/A商業公司 M/A-COM, INC.
Inventor： 安東尼 弗朗西斯 魁格賴塔 ANTHONY FRANCIS QUAGLIETTA , 艾倫 威廉 韓森 ALLEN WILLIAM HANSON , 托馬士 亞倫 溫斯洛 THOMAS AARON WINSLOW
IPC: H01L
CPC classification number: H03F3/607 , H01L23/4821 , H01L27/0605 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/73 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一種半導體放大器，包含集極捷接，在一組電晶體之上形成空橋，並構成電晶體集極與集極接觸墊之間的電性並聯。基極捷接建立基極偏壓，並經電阻元件與電晶體之基極電性連接直流電流源。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体放大器，包含集极捷接，在一组晶体管之上形成空桥，并构成晶体管集极与集极接触垫之间的电性并联。基极捷接创建基极偏压，并经电阻组件与晶体管之基极电性连接直流电流源。
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公开(公告)号：TW200620703A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：TW094126926
申请日：2005-08-09
Applicant: M/A商業公司 M/A-COM, INC.
Inventor： 古德利奇 約爾 李 GOODRICH, JOEL LEE
IPC: H01L
CPC classification number: H01L33/486 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2224/0401
Abstract: 本發明提供一種發光二極體封裝。該發光二極體封裝包含副安裝部(42)及從該副安裝部(42)延伸之框架部(44)。該框架部(44)具有有角度壁(50)且配置以接收發光二極體(48)於其中。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种发光二极管封装。该发光二极管封装包含副安装部(42)及从该副安装部(42)延伸之框架部(44)。该框架部(44)具有有角度壁(50)且配置以接收发光二极管(48)于其中。
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公开(公告)号：TW569446B
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW091132444
申请日：2002-11-01
Applicant: M/A商業公司 M/A-COM, INC.
Inventor： 安東尼 弗朗西斯 魁格賴塔 ANTHONY FRANCIS QUAGLIETTA , 艾倫 威廉 韓森 ALLEN WILLIAM HANSON , 托馬士 亞倫 溫斯洛 THOMAS AARON WINSLOW
IPC: H01L
CPC classification number: H03F3/607 , H01L23/4821 , H01L27/0605 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/73 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一種半導體放大器。包含集極捷接，在一組電晶體之上形成空橋，並構成電晶體集極與集極接觸墊之間的電性並聯。基極捷接建立基極偏壓，並經電阻元件與電晶體之基極電性連接直流電流源。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体放大器。包含集极捷接，在一组晶体管之上形成空桥，并构成晶体管集极与集极接触垫之间的电性并联。基极捷接创建基极偏压，并经电阻组件与晶体管之基极电性连接直流电流源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW200405651A
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：TW092127074
申请日：2003-09-30
Applicant: M/A商業公司 M/A-COM, INC.
Inventor： 溫斯洛 托馬斯 亞倫 WINSLOW, THOMAS AARON
IPC: H03F
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L27/0207 , H01L29/41708 , H01L29/42304
Abstract: 在HBT陣列中之HBT架構成非線性排列，亦即交錯式(staggered)排列，因而降低該陣列中之相鄰HBT間之熱耦合影響以及可以不受線性HBT陣列所需之最小集極－集極間距設計規則之影響。使用此種非線性架構，相鄰HBT彼此間不對齊。在一較佳實施例中，該陣列中之相鄰HBT架構成邊角對邊角排列，以及在一更佳實施例中，相鄰HBT之集極係對準或共模(common)，亦即一HBT之集極共享一相鄰HBT之集極。在一最佳實施例中，該些HBT鎮流成射極－鎮流／基極－鎮流樣態(稱為”混合式鎮流(mixedballasting)”或”雙鎮流(dual-ballasting)”)。
Abstract in simplified Chinese: 在HBT数组中之HBT架构成非线性排列，亦即交错式(staggered)排列，因而降低该数组中之相邻HBT间之热耦合影响以及可以不受线性HBT数组所需之最小集极－集极间距设计守则之影响。使用此种非线性架构，相邻HBT彼此间不对齐。在一较佳实施例中，该数组中之相邻HBT架构成边角对边角排列，以及在一更佳实施例中，相邻HBT之集极系对准或共模(common)，亦即一HBT之集极共享一相邻HBT之集极。在一最佳实施例中，该些HBT镇流成射极－镇流／基极－镇流样态(称为”混合式镇流(mixedballasting)”或”双镇流(dual-ballasting)”)。
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公开(公告)号：TW200402882A
公开(公告)日：2004-02-16
申请号：TW092109281
申请日：2003-04-22
Applicant: M/A商業公司 M/A-COM, INC.
Inventor： 丹 葛地斯 米勒 DAIN CURTIS MILLER , 盈德 吉特 伯爾 INDER JIT BAHL , 愛德華 勞倫斯 葛芬 EDWARD LAWRENCE GRIFFIN
IPC: H01L
CPC classification number: H01L29/402 , H01L27/0605 , H01L29/812
Abstract: 一種場板MESFET，包括複數個FET元件。每一個FET元件包括摻雜平面通道及耦合於前述通道各端之源極與吸極。閘極導體延伸至位於前述源極與吸極間位置處之前述通道的一部分上方，與前述吸極保持第一預定距離。場板與前述閘極導體相連且朝前述吸極延伸第二預定距離，除與閘極導體連結外，前述場板藉由介電材料與前述通道絕緣。
Abstract in simplified Chinese: 一种场板MESFET，包括复数个FET组件。每一个FET组件包括掺杂平面信道及耦合于前述信道各端之源极与吸极。闸极导体延伸至位于前述源极与吸极间位置处之前述信道的一部分上方，与前述吸极保持第一预定距离。场板与前述闸极导体相连且朝前述吸极延伸第二预定距离，除与闸极导体链接外，前述场板借由介电材料与前述信道绝缘。
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8.发明公开Method and apparatus for signal power ramp-up in a data burst transmission 审中-公开用于在数据脉冲串传输的信号功率增加的方法和装置
公开(公告)号：EP1838010A3
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：EP07104548.8
申请日：2007-03-21
Applicant: M/A-COM, INC.
Inventor： Ahmed, Walid Khairy Mohamed
CPC classification number: H04W52/52 , H03F1/3247 , H03F1/3282 , H03F3/24 , H03F2200/451 , H03F2201/3233 , H04L25/03343
Abstract: A method and apparatus for signal power ramp-up in a communication transmission. Payload data is identified (210, 410) for transmission. A power reference signal is determined (220, 420) for transmission prior to the payload data. The power reference signal and the payload data are combined (230, 430) to form a data burst for transmission. The combined data burst is transmitted (240, 450) as, wherein the power reference signal is transmitted prior to the payload data within the data burst. A feedback signal is provided (250, 460) based on the power reference signal portion of the transmitted data burst, and a pre-distortion signal is calibrated (260, 470) based on the feedback signal.
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公开(公告)号：EP2057853A1
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：EP07811101.0
申请日：2007-08-06
Applicant: M/A-COM Inc.
IPC: H04Q7/30
CPC classification number: H04W88/181
Abstract: A transcoder architecture and method for transcoding in land mobile radio (LMR) systems are provided. The LMR system (20) includes a first communication site configured to communicate using a first LMR communication protocol and a second communication site configured to communicate using a second LMR communication protocol. The LMR system further includes a transcoder (28) configured to receive LMR content from the first communication site communicated using the first LMR communication protocol and digitally convert the LMR content to the second LMR communication protocol to be communicated to the second communication site.
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公开(公告)号：EP2050254A2
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：EP07873300.3
申请日：2007-08-06
Applicant: M/A-COM Inc.
Inventor： MARTINEZ, Dennis, Michael , VAUGHAN, John
IPC: H04L29/08
Abstract: A multiple protocol land mobile radio (LMR) and a method for communicating LMR content are provided. The method includes communicating the LMR content using a plurality of LMR transport protocols within a single LMR network. The method further includes encapsulating the LMR content based on an LMR application layer protocol for a portion of the single LMR network through which the LMR content is to be communicated.
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