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    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LEUCHTDIODE UND LEUCHTDIODE
    1.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LEUCHTDIODE UND LEUCHTDIODE 审中-公开
    一种用于生产发光二极管和发光二极管

    公开(公告)号：WO2011018380A1

    公开(公告)日：2011-02-17

    申请号：PCT/EP2010/061222

    申请日：2010-08-02

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STAUSS, Peter ,  RODE, Patrick

    Inventor： STAUSS, Peter ,  RODE, Patrick

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/007

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines Trägersubstrats (10), das eine Silizium-Oberfläche (10a) aufweist, epitaktisches Abscheiden einer aluminiumhaltigen Nitrid-Schichtenfolge (20) auf der Silizium-Oberfläche (10a) des Trägersubstrats (10) zur Bildung eines Leuchtdiodenträgers (100), Bereitstellen einer Leuchtdioden-Struktur (300) auf einem Aufwachsträger (200), Verbinden der dem Aufwachsträger (200) abgewandten Oberfläche der Leuchtdioden-Struktur (300) mit der dem Trägersubstrat (10) abgewandten Oberfläche des Leuchtdiodenträgers (100), Ablösen des Aufwachsträgers (200), Herstellen zumindest eines p-Kontaktes (62) und eines n-Kontaktes (61) zum Kontaktieren der Leuchtdioden-Struktur (300) von der dem Trägersubstrat (10) abgewandten Oberfläche der Leuchtdioden-Struktur (300) her.

    Abstract translation: 提供了一种方法，用于制造发光二极管，包括以下步骤：提供具有硅表面（10A）的支撑基板（10）的硅表面（10A）上外延沉积含铝氮化物层序列（20） 载体衬底（10），以形成发光结构（100），提供对一个Aufwachsträger从发光结构（300）与所述载体基片的表面背对发光结构（300）（200）连接所述的Aufwachsträger（200）（10） 表面面对所述LED载体（100）的表面，剥离Aufwachsträgers（200），产生至少一个p接触（62）和n接触（61），用于在载体衬底（10）的发光结构（300）接触，从背对 发光结构（300）前。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN
    2.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
    光电子半导体芯片和方法生产同样

    公开(公告)号：WO2009121319A1

    公开(公告)日：2009-10-08

    申请号：PCT/DE2009/000354

    申请日：2009-03-13

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ENGL, Karl ,  HÖPPEL, Lutz ,  RODE, Patrick ,  SABATHIL, Matthias

    Inventor： ENGL, Karl ,  HÖPPEL, Lutz ,  RODE, Patrick ,  SABATHIL, Matthias

    IPC: H01L33/00 ,  H01L29/45 ,  H01L21/225

    CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/10 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben. Der Halbleiterchip weist eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer zur Strahlungserzeugung vorgesehenen aktiven Schicht (23) zwischen einer Schicht eines ersten Leitfähigkeitstyps (21) und einer Schicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps (22) auf. Die Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) ist einer Vorderseite (110) der Halbleiterschichtenfolge (2) benachbart. Die Halbleiterschichtenfolge (2) enthält mindestens eine Ausnehmung (3), die sich von einer der Vorderseite (110) gegenüberliegenden Rückseite (120) der Halbleiterschichtenfolge (2) durch die aktive Schicht (23) hindurch zur Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) erstreckt. Die Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) ist mittels einer ersten elektrischen Anschlussschicht (5), welche die Rückseite (120) der Halbleiterschichtenfolge (2) zumindest stellenweise bedeckt, durch die Ausnehmung (3) hindurch elektrisch angeschlossen. Der Halbleiterchip enthält im Bereich der Ausnehmung (3) eine Übergangsschicht (20), die eine Materialzusammensetzung aus Material der Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) und aus Material der ersten elektrischen Anschlussschicht (5) aufweist. Weiter wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips angegeben.

    Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片。 半导体芯片具有预期用于第一导电类型（21）和第二导电类型（22）的层构成的层之间产生辐射活性层（23）的半导体层序列（2）。 第一导电类型（21）的层是相邻的半导体层序列（2）的前侧（110）。 半导体层序列（2）包含通过对第一导电类型（21）的层（3）从通过有源层（23）的半导体层序列（2）的前侧（110）相对的后侧（120）中的一个延伸的至少一个凹部。 由（5）覆盖所述半导体层序列（2）中的至少在通过电连接由凹部（3）所覆盖的地方的背面（120）的第一电连接层的装置中的第一导电类型（21）的层。 该半导体芯片包括具有在所述凹部的区域中的第一导电类型（21）的材料层的材料组成的过渡层（20），（3）和从所述第一电连接层的材料（5）。 此外，被指定用于制造这样的半导体芯片的方法。

    MONOLITHISCHER, OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN
    3.
    发明申请
    MONOLITHISCHER, OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
    铁板一块，光电子半导体本体和方法生产同样

    公开(公告)号：WO2009106063A1

    公开(公告)日：2009-09-03

    申请号：PCT/DE2009/000267

    申请日：2009-02-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ENGL, Karl ,  SINGER, Frank ,  RODE, Patrick ,  HÖPPEL, Lutz ,  STRASSBURG, Martin

    Inventor： ENGL, Karl ,  SINGER, Frank ,  RODE, Patrick ,  HÖPPEL, Lutz ,  STRASSBURG, Martin

    IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L33/08 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterkörper umfasst eine Halbleiterschichtenfolge, die in wenigstens zwei elektrisch isolierte Teilsegmente unterteilt ist. In jedem Teilbereich weist die Halbleiterschichtenfolge aktive Schicht auf. Des Weiteren sind wenigstens drei elektrische Kontaktpads vorgesehen. Eine erste Leitungsebene kontaktiert ein erstes der wenigstens zwei Teilsegmente sowie das erste Kontaktpad. Eine zweite Leitungsebene kontaktiert das zweite der wenigstens zwei Teilsegmente und ein zweites Kontaktpad. Eine dritte Leitungsebene verbindet beide Teilsegmente miteinander und kontaktiert das dritte Kontaktpad. Des Weiteren sind die Leitungsebenen jeweils einer ersten Hauptseite gegenüber angeordnet, wobei die erste Hauptseite zur Emission erzeugter elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist.

    Abstract translation: 的光电子半导体本体包括被分成至少两个电隔离的子部分的半导体层序列。 在每一个局部区域，所述有源层上的半导体层序列。 此外，提供至少三个电接触垫。 第一导管平面通过第一所述至少两个子节段的接触，并且所述第一接触垫。 第二条线平面由所述至少两个部分中的第二接触，第二接触垫。 第三导管平面连接两个子段对于彼此和所述第三接触垫接触。 此外，导体平面分别设置在第一主侧相对的，提供一种用于电磁辐射的发射产生的第一页。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER
    4.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
    光电子半导体本体

    公开(公告)号：WO2009039812A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：PCT/DE2008/001424

    申请日：2008-08-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  RODE, Patrick ,  ENGL, Karl ,  STRASSBURG, Martin ,  HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias

    Inventor： RODE, Patrick ,  ENGL, Karl ,  STRASSBURG, Martin ,  HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/007 ,  H01L33/40 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0091

    Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterkörper (10) umfasst ein Substrat (11) mit einer Vorderseite (12) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung (S). Der optoelektronischer Halbleiterkörper (10) weist eine Halbleiterschichtenfolge (14) auf, die an einer Rückseite (13) des Substrats (11) angeordnet ist und eine zur Erzeugung der elektromagnetischen Strahlung (S) geeignete aktive Schicht (19) aufweist. Weiter umfasst der optoelektronischer Halbleiterkörper (10) eine erste und eine zweite elektrische Anschlussschicht (15, 16), die an einer vom Substrat (11) abgewandten ersten Fläche (17) der Halbleiterschichtenfolge (14) angeordnet sind.

    Abstract translation: 的光电子半导体本体（10）包括具有用于发射电磁辐射（S）的前表面（12）的基板（11）。 所述光电子半导体本体（10）具有的半导体层序列（14），其在所述基板的后侧（13）（11）被布置和用于产生电磁辐射（S），其具有适当的活性层（19）。 此外，光电子半导体本体（10）包括第一和背离半导体层序列（14）的所述衬底（11）第一表面（17）离开的第二电连接层（15，16）被布置。

    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
    5.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
    光电子半导体芯片及其制造方法

    公开(公告)号：WO2012052257A3

    公开(公告)日：2012-11-15

    申请号：PCT/EP2011066687

    申请日：2011-09-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BERGBAUER WERNER ,  RODE PATRICK ,  STRASSBURG MARTIN

    Inventor： BERGBAUER WERNER ,  RODE PATRICK ,  STRASSBURG MARTIN

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/12 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/508 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48463

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (10) comprising a stack of semiconductor layers (1) consisting of a nitride compound semiconductor material on a carrier substrate (2), said carrier substrate having a surface (2a) containing silicon. The stack (1) of semiconductor layers comprises a recess (3) that extends from a rear side (1e) of the stack (1) of semiconductor layers, through an active layer (1a), to a layer (1b) of a first type of conductivity. The layer (1b) of the first type of conductivity is electrically connected via the recess (3) by means of a first electrical connection layer (4) that covers the rear side (1e) at least in parts. A layer (1c) of a second type of conductivity is electrically connected by means of a second electrical connection layer (5) arranged on the rear side (1e). The invention also relates to a method for producing such a semiconductor chip (10).

    Abstract translation: 提供一种光电子半导体芯片（10），其具有在载体衬底（2）上由氮化物化合物半导体材料制成的半导体层叠层（1），其中载体衬底（2）具有包含硅的表面（2a）。 半导体层堆叠（1）具有从半导体层堆叠（1）的后侧（1e）穿过有源层（1a）延伸到第一导电类型的层（1b）的凹槽（3）。 第一导电类型的层（1b）借助于第一电连接层（4）通过凹部（3）电连接，该第一电连接层（4）至少局部覆盖后侧（1e）。 第二导电类型的层（1c）通过布置在后侧（1e）上的第二电连接层（5）电连接。 此外，给出了用于制造这种半导体芯片（10）的方法。

    BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG
    8.
    发明申请
    BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG 审中-公开
    照明装置

    公开(公告)号：WO2011092072A1

    公开(公告)日：2011-08-04

    申请号：PCT/EP2011/050541

    申请日：2011-01-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias ,  VON MALM, Norwin ,  HOEPPEL, Lutz ,  ILLEK, Stefan ,  BARCHMANN, Bernd ,  RODE, Patrick

    Inventor： SABATHIL, Matthias ,  VON MALM, Norwin ,  HOEPPEL, Lutz ,  ILLEK, Stefan ,  BARCHMANN, Bernd ,  RODE, Patrick

    IPC: H01L25/075 ,  F21K99/00

    CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/22 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird eine Beleuchtungsvorrichtung angegeben. Gemäß zumindest einem Aspekt weist die Beleuchtungsvorrichtung einen vorderseitigen Träger (1), einen rückseitigen Träger (2) und eine Mehrzahl von Leuchtdiodenchips (3) auf, die im Betrieb der Beleuchtungsvorrichtung Licht emittieren und Verlustwärme abgeben. Der rückseitige Träger (2) ist zumindest stellenweise von dem vorderseitigen Träger (1) bedeckt. Die Leuchtdiodenchips (3) sind zwischen dem rückseitigen Träger (2) und dem vorderseitigen Träger (1) angeordnet und von diesen mechanisch arretiert. Sie sind mittels des rückseitigen und/oder des vorderseitigen Trägers (1, 2) elektrisch kontaktiert. Der vorderseitige Träger (1) ist wärmeleitend mit den Leuchtdiodenchips (3) gekoppelt und weist eine von den Leuchtdiodenchips (3) abgewandte Lichtauskoppelfläche (101) auf, die zur Abgabe eines Teils der von den Leuchtdiodenchips (3) erzeugten Verlustwärme an die Umgebung ausgebildet ist.

    Abstract translation: 提供了一种照明装置。 根据至少一个方面，所述照明装置具有前侧支架（1），后支撑（2）和多个发光二极管芯片（3），其发射光的照明装置的操作并且发射的热损失。 背部支撑件（2）是至少局部地从覆盖前支撑（1）。 LED芯片（3）被布置在后架（2）和前支撑（1）和通过将它们机械地锁定之间。 它们是由后和/或支撑的前侧的装置（1,2）被电接触。 前支撑（1）导热地连接到所述发光二极管芯片（3）和具有发光二极管芯片中的一个背离在其上的发光二极管芯片的一部分的输送产生的热损失的光输出表面（101）的距离（3）（3）形成在所述环境 ，

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    9.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电组件

    公开(公告)号：WO2008131743A1

    公开(公告)日：2008-11-06

    申请号：PCT/DE2008/000715

    申请日：2008-04-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ILLEK, Stefan ,  PLOESSL, Andreas ,  HEINDL, Alexander ,  RODE, Patrick ,  EISSLER, Dieter

    Inventor： ILLEK, Stefan ,  PLOESSL, Andreas ,  HEINDL, Alexander ,  RODE, Patrick ,  EISSLER, Dieter

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/385 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (4) aufweist, einer auf dem Halbleiterkörper angeordneten Reflektorschicht (72) und zwei elektrischen Kontakten (7,8) angegeben, wobei ein erster Kontakt (7) der beiden Kontakte auf der der Reflektorschicht zugewandten Seite des aktiven Bereichs elektrisch leitend mit dem Halbleiterkörper verbunden ist, der zweite Kontakt (8) der beiden Kontakte auf der von der Reflektorschicht abgewandten Seite des aktiven Bereichs elektrisch leitend mit dem Halbleiterkörper verbunden ist und die Reflektorschicht zwischen einem Teilbereich des zweiten Kontakts und dem Halbleiterkörper angeordnet ist.

    Abstract translation: 它是与具有合适的半导体层序列的半导体主体（2），用于生成辐射有源区（4），一个设置在半导体本体反射器层（72）和两个电触头（7,8）上，其中，第一光电装置 （7）接触的面对所述有源区域的反射层侧的一侧上的两个触点导电连接到所述半导体主体，所述第二触头（8）上从所述活性区域的所述反射层侧的远程侧的两个触点的导电地连接到所述半导体基体是 和半导体主体的第二接触的部分之间的反射层被布置。

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