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    Methods for statistical disclosure limitation
    6.
    发明专利
    Methods for statistical disclosure limitation 审中-公开

    公开(公告)号：JP2005537582A

    公开(公告)日：2005-12-08

    申请号：JP2004534295

    申请日：2003-09-03

    Applicant: リサーチ トライアングル インスティチュートResearch Triangle Institute

    Inventor： アヴィナッシュ・シー・シング

    IPC: G06F21/24 ,  G06F7/00 ,  G06F12/14 ,  G06F17/30

    CPC classification number: G06F21/6254 ,  G06F17/30303 ,  Y10S707/99945

    Abstract: マイクロ・データの分析的な品質を維持しつつ、カテゴリ的なまたは連続的なマイクロ・データの統計的開示制限（ＳＤＬ）を確実にするための方法及びシステム。 新しいＳＤＬ方法は、（１）情報を欠落するために、帰属を含む、幾つかの調整と一緒に、（国勢調査の代わりに）サンプルを取ることと、（２）未だ開示危険にある記録のための幾つかの調整と一緒に、オリジナル・データ・セットの代わりに、サブセットを公表することとの間の類似性を利用する。 調査サンプリングは、国勢調査に比較して金銭的コストを減少するが、情報の幾つかの損失を伴う。 同様に、サブセットを公表すれば、全データベースに比較して開示コストを減少するが、情報の幾つかの損失を伴う。 従って、最適な調査サンプリング方法が統計的開示正弦のために用いられ得る。 該方法は、データベースを、危険階層、最適な確率置換、最適な確率サブサンプリング、及び最適なサンプリング重み較正に区分けすることを含む。

    CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF DIAMOND FILMS USING WATER-BASED PLASMA DISCHARGES
    9.
    发明专利
    CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF DIAMOND FILMS USING WATER-BASED PLASMA DISCHARGES 未知

    公开(公告)号：AU2912292A

    公开(公告)日：1993-06-07

    申请号：AU2912292

    申请日：1992-11-05

    Applicant: RESEARCH TRIANGLE INSTITUTE

    Inventor： RONALD A RUDDER ,  GEORGE C HUDSON ,  ROBERT C HENDRY ,  ROBERT J MARKUNAS

    IPC: C23C16/26 ,  C23C16/27 ,  C23C16/50 ,  C23C16/507 ,  C23C16/511 ,  C30B29/04

    Abstract: A chemical vapor deposition (CVD) technique (process and apparatus) for the growth of diamond films using vapor mixtures of selected compounds having desired moieties, specifically precursors that provide carbon and etchant species that remove graphite disclosed. The selected compounds are reacted in a plasma created by a confined rf discharge to produce diamond films on a diamond or a non-diamond substrate. In a preferred embodiment a gas phase mixture including at least 20% water which provides the etchant species is reacted with an alcohol which provides the requisite carbon precursor at low temperature (300 DEG -650 DEG C.) and low pressure (0.1 to 10 Torr), preferably in the presence of an organic acid (acetic acid) which contributes etchant species reactant. In the preferred embodiment the volumetric mixtures have typically been 40-80% water and 60-20% alcohol. The gaseous mixture of H2O and alcohol is dissociated to produce H, OH, and carbon radicals. Both OH and atomic H are capable of etching graphite from the depositing carbon layer. The selected compounds are reacted in a CVD apparatus in which a confined rf discharge is used to create an electric discharge or plasma. The plasma is confined between an inductive rf coil via transformer isolation from the chamber ground.

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