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    Verfahren zur Behandlung einer Flüssigkeit, insbesondere zur Trennung unterschiedlicher in der Flüssigkeit enthaltener Bestandteile und Vorrichtung hierfür
    4.
    发明公开
    Verfahren zur Behandlung einer Flüssigkeit, insbesondere zur Trennung unterschiedlicher in der Flüssigkeit enthaltener Bestandteile und Vorrichtung hierfür 失效
    一种用于处理液体，特别是用于分离包含在液体中及装置不同组分的过程

    公开(公告)号：EP0820795A1

    公开(公告)日：1998-01-28

    申请号：EP97890133.8

    申请日：1997-07-10

    Applicant: Schrems, Martin, Dr.

    Inventor： Schrems, Martin, Dr.

    IPC: B01D3/24 ,  B01D3/10 ,  B01D1/22

    CPC classification number: B01D1/0088 ,  B01D1/22 ,  B01D3/10 ,  Y10S159/16

    Abstract: Verfahren zur Behandlung einer Flüssigkeit, insbesondere zur Trennung unterschiedlicher in der Flüssigkeit enthaltener Bestandteile, zur Entfernung von Schadstoffen aus der Flüssigkeit oder zur Entkeimung der Flüssigkeit, durch Einbringen dieser Flüssigkeit in mindestens einen Unterdruckbehälter (1), in welchem ein Teil derselben verdampft wird und der restliche Teil derselben aus dem Unterdruckbehälter (1) abgefuhrt wird, wobei die Flüssigkeit im Unterdruckbehälter (1) unter Wirkung der Schwerkraft mindestens einer fest angeordneten Fläche (12) zuströmt, auf welcher sich ein Flüssigkeitsfilm ausbildet, aus welchem die dampfförmige Phase austritt. Dabei ist die mindestens eine Fläche (12) von der Zuleitung der Flüssigkeit weg schräg abfallend, geringfügig ansteigend oder horizontal ausgebildet (Fig. 1).

    Abstract translation: 通过在表面上的混合物供给作为膜，使得在真空条件下，与低沸点成分蒸发从液体污染物，或的，液体混合物灭菌的去除。 膜形成表面，在其上的混合物在重力作用下流动时，可以向下倾斜，是水平的或声称小incline.Also是该过程所需的设备。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS MIT ZWEI GRÄBEN
    7.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS MIT ZWEI GRÄBEN 审中-公开
    方法的半导体元件与二沟槽

    公开(公告)号：WO2008058829A1

    公开(公告)日：2008-05-22

    申请号：PCT/EP2007/061275

    申请日：2007-10-22

    Applicant: AUSTRIAMICROSYSTEMS AG ,  ENICHLMAIR, Hubert ,  SCHREMS, Martin ,  SCHRANK, Franz

    Inventor： ENICHLMAIR, Hubert ,  SCHREMS, Martin ,  SCHRANK, Franz

    IPC: H01L21/74 ,  H01L21/762

    CPC classification number: H01L21/743 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/76224

    Abstract: Es wird ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem parallel zueinander ein erster mit einem dielektrischen Material gefüllter isolierender Graben und ein zweiter, mit einem elektrisch leitfähigem Material gefüllter leitender Graben erzeugt werden kann. Dazu werden erster und zweiter Graben mit unterschiedlicher Grabenbreite geätzt, so dass der erste Graben nach ganzflächig kantenbedeckendem Abscheiden einer dielektrischen Schicht vollständig mit dem dielektrischen Material gefüllt wird, während der breitere zweite Graben nur an den Innenwänden von der dielektrischen Schicht bedeckt ist. Durch anisotropes Rückätzen der dielektrischen Schicht wird am Boden des zweiten Grabens das Halbleitersubstrat freigelegt. Anschließend wird der zweite Graben mit einem elektrisch leitfähigem Material befüllt und stellt dann eine niederohmige Verbindung von der Substratoberfläche hin zu der unterhalb des zweiten Grabens angeordneten vergrabenen Struktur da.

    Abstract translation: 那里提出了在彼此，第一填充有介电材料绝缘沟槽和第二的方法，填充有导电材料的导电沟槽可以并行地生成。 为了这个目的，第一和第二沟槽，使得第一沟槽的整个表面kantenbedeckendem沉积介电层完全填充有介电材料，同时较宽的第二沟槽被覆盖仅在电介质层的内壁进行蚀刻不同严重宽度。 由介电层的背面的各向异性蚀刻，将半导体基板在所述第二沟槽的底部露出。 随后，第二沟槽填充有导电材料，然后提供从基材表面作为对下面所述第二沟槽的布置埋入结构的低阻抗连接。

    HALBLEITERSUBSTRAT MIT MEHRSCHICHTAUFBAU UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
    8.
    发明申请
    HALBLEITERSUBSTRAT MIT MEHRSCHICHTAUFBAU UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
    半导体衬底复合结构及其制造方法

    公开(公告)号：WO2006066659A1

    公开(公告)日：2006-06-29

    申请号：PCT/EP2005/011993

    申请日：2005-11-09

    Applicant: AUSTRIAMICROSYSTEMS AG ,  SCHRANK, Franz ,  SCHREMS, Martin

    Inventor： SCHRANK, Franz ,  SCHREMS, Martin

    IPC: H01L21/762

    CPC classification number: H01L21/76251

    Abstract: Es wird ein Halbleitersubstrat vorgeschlagen, welches in einem Mehrschichtaufbau zwei als SOI-Schichten dienende Halbleiterschichten aufweisen können und die jeweils über eine dielektrische Schicht angeordnet sind. Die beiden Halbleiterschichten können in einem gemeinsamen Schichtaufbau über einem Trägersubstrat angeordnet sein oder auf verschiedenen Seiten des Trägersubstrats vorgesehen werden. Weiterhin wird vorgeschlagen in den unterschiedlichen Halbleiterschichten unterschiedliche Schichtdicken und unterschiedliche Bauelemente zu realisieren.

    Abstract translation: 提出了一种半导体基板，其可以包括两个层作为在多层结构的SOI型半导体层和它们通过介电层中的每个布置。 两个半导体层可以被布置在公共层结构中的支撑衬底上或设置在所述载体基片的不同侧面上。 它也提出了实现在不同的半导体层不同的层厚度和不同的部件。

    MEHRFACHMASKE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UNTERSCHIEDLICH DOTIERTER GEBIETE
    9.
    发明申请
    MEHRFACHMASKE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UNTERSCHIEDLICH DOTIERTER GEBIETE 审中-公开
    多个遮及其制造方法不同掺杂区

    公开(公告)号：WO2006058594A2

    公开(公告)日：2006-06-08

    申请号：PCT/EP2005/011774

    申请日：2005-11-03

    Applicant: AUSTRIAMICROSYSTEMS AG ,  KNAIPP, Martin ,  MINIXHOFER, Rainer ,  SCHREMS, Martin

    Inventor： KNAIPP, Martin ,  MINIXHOFER, Rainer ,  SCHREMS, Martin

    IPC: H01L21/266

    CPC classification number: H01L21/266

    Abstract: Zur Herstellung von Dotierungsgebieten (DG) in einem Substrat (S) mit unterschiedlichen Dotierungen mit Hilfe einer einzigen Maske (DM) wird vorgeschlagen, unterschiedliche Maskenbereiche vorzusehen, die jeweils langgestreckte Maskenöffnungen (MO) mit unterschiedlicher Ausrichtung relativ zur Raumrichtung einer Schrägimplantation aufweisen. Zwischen erster und zweiter Schrägimplantation wird das Substrat gedreht, wobei sich bei der ersten Schrägimplantation maximale und minimale Abschattung in den unterschiedlichen Maskenbereichen gegenüberstehen und sich die Verhältnisse bei der zweiten Schrägimplantation nach dem Drehen des Substrats genau umkehren.

    Abstract translation: 用于在具有通过单个掩模（DM）的方法不同掺杂的基板（S）的制备掺杂区（DG）的建议提供不同的掩模区域中，具有相对于倾斜注入的空间方向不同的取向每个细长掩模开口（MO）。 第一和第二倾斜注入之间使基板旋转，由此在所述第一倾斜注入的最大和最小的阴影在不同掩膜区域面对和准确基板的旋转之后扭转所述第二倾斜注入的条件。

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