公开(公告)号：WO03088310A2

公开(公告)日：2003-10-23

申请号：PCT/DE0301281

申请日：2003-04-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  HOFMANN FRANZ ,  LUYKEN RICHARD JOHANNES ,  ROESNER WOLFGANG ,  SPECHT MICHAEL ,  STAEDELE MARTIN

Inventor： HOFMANN FRANZ ,  LUYKEN RICHARD JOHANNES ,  ROESNER WOLFGANG ,  SPECHT MICHAEL ,  STAEDELE MARTIN

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L

CPC classification number: H01L21/76262 ,  H01L21/76251

Abstract: The invention relates to a substrate (600) which is provided with a support layer (501). An insulator layer (502) is applied to the support layer (501), comprising at least two areas having respectively different thicknesses. A semi-conductor layer (303) having an FD-area (304) and a PD-area (305) is applied to the surface of the insulating layer (502), comprising a planar surface. The planar surface is the surface which is opposite the insulating layer (502).

Abstract translation: 本发明提供一种基板（600），其包括载体层（501）。 其中的绝缘层（502）被施加，包括各自具有不同厚度的至少两个区域的载体层（501）上。 在绝缘体层的表面（502）是与FD区域（304）和PD区域（305）的半导体层（303）被施加，其具有平坦表面，所述平坦表面与所述表面的绝缘体层（502） 对面。

公开(公告)号：WO2003096424A1

公开(公告)日：2003-11-20

申请号：PCT/DE2003/001489

申请日：2003-05-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  HOFMANN, Franz ,  LANDGRAF, Erhard ,  RÖSNER, Wolfgang ,  SPECHT, Michael ,  STAEDELE, Martin

Inventor： HOFMANN, Franz ,  LANDGRAF, Erhard ,  RÖSNER, Wolfgang ,  SPECHT, Michael ,  STAEDELE, Martin

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/845 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: Bei dem Halbleiterspeicher sind eine Vielzahl von FinFET-Anordnungen mit Trapping-Layer (5) oder Floating-Gate-Elektroden als Speichermedium auf einer Oberseite einer Rippe (3) aus Halbleitermaterial vorhanden. Das Material der Gate-Elektroden (4) ist auch auf den beiden Seitenwänden der Rippen zur Ausbildung von Seitenwandtransistoren vorhanden und bildet zwischen den Gate-Elektroden Anteile einer zu der betreffenden Rippe gehörenden Wortleitung.

Abstract translation: 在该半导体存储器具有多个与俘获层（5）或浮置栅电极作为存储介质上的半导体材料的一个肋（3）的上表面上存在的FinFET器件。 栅电极（4）的材料也存在于肋的两个侧壁以形成侧壁晶体管以及相关的肋字线的一部分形成的部分的栅极电极之间形成上。