公开(公告)号：WO2011051084A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：PCT/EP2010/064800

申请日：2010-10-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BARCHMANN, Bernd ,  KALTENBACHER, Axel ,  STATH, Norbert ,  WEGLEITER, Walter ,  WEIDNER, Karl ,  WIRTH, Ralph

Inventor： BARCHMANN, Bernd ,  KALTENBACHER, Axel ,  STATH, Norbert ,  WEGLEITER, Walter ,  WEIDNER, Karl ,  WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/62 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0753 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement weist einen Trägerkörper (3) mit einem Anschlussbereich (5) auf. Auf dem Trägerkörper (3) ist ein Halbleiterchip (7) angeordnet. Auf der vom Trägerkörper (3) abgewandten Oberfläche (8) des Halbleiterchips (7) ist ein Kontaktbereich (10) aufgebracht. Der Anschlussbereich (5; ist mit dem Kontaktbereich (10) über eine freitragende Leitungsstruktur (13) elektrisch leitend verbunden. Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements beschrieben.

Abstract translation: 光电子器件包括支撑体（3）与连接区域（5）。 在承载体（3），半导体芯片（7）布置。 表面背离所述载体本体（3）的距离（8）的半导体芯片（7）是一个接触区域（10）施加。 连接区域（5;是（悬臂管结构13）电连接（与接触部分10）一种用于生产描述的光电器件的方法..

公开(公告)号：WO2008000208A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：PCT/DE2007/000972

申请日：2007-05-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HÄRLE, Volker ,  LELL, Alfred ,  OTT, Hubert ,  STATH, Norbert ,  STRAUSS, Uwe

Inventor： HÄRLE, Volker ,  LELL, Alfred ,  OTT, Hubert ,  STATH, Norbert ,  STRAUSS, Uwe

IPC: G02B6/42 ,  G02B6/00 ,  F21V9/16 ,  G01M11/08 ,  G01M11/04

CPC classification number: G02B6/0003 ,  F21S41/13 ,  F21S41/135 ,  F21S41/14 ,  F21S41/141 ,  F21S41/16 ,  F21S41/24 ,  F21S45/46 ,  G01M11/062 ,  G01M11/088 ,  G01M11/31 ,  G01M11/33 ,  G02B6/4469 ,  G02B6/447

Abstract: Eine Ausführungsform der Erfindung schlägt eine lichtemittierende Vorrichtung, die eine - Strahlung erster Wellenlänge emittierende Strahlungsquelle (5), - einen Lichtleiter (10), in den die von der Strahlungsquelle emittierte Strahlung eingekoppelt wird, und - ein Konvertermaterial (15), das die durch den Lichtleiter (10) transportierte Strahlung in Licht (20) zweiter, längerer Wellenlänge konvertiert, umfasst, vor. Eine derartige lichtemittierende Vorrichtung kann eine verbesserte Effizienz der Lichtkonversion aufweisen.

Abstract translation: 本发明的一个实施例提出了一种发光器件，包括一 - 主波长发射辐射的辐射源（5）， - 在其中由所述辐射源发出的辐射被耦合在光导（10），以及 - 转换器材料（15），其通过 所述光导（10）输送到光辐射（20）第二，较长波长转换，包括前，。 这样的发光装置可以具有的光转换效率提高。

公开(公告)号：WO2006034671A2

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：PCT/DE2005/001603

申请日：2005-09-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GUENTHER, Ewald Karl Michael ,  SORG, Jörg Erich ,  STATH, Norbert

Inventor： GUENTHER, Ewald Karl Michael ,  SORG, Jörg Erich ,  STATH, Norbert

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L33/508 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/82007 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement gemäß der Erfindung enthält einen Halbleiterchip (1) und einen Trägerkörper (10), die mit einer transparenten, elektrisch isolierenden Verkapselungsschicht (3) versehen sind, wobei die Verkapselungsschicht (3) zwei Ausnehmungen (11, 12) zur Freilegung einer Kontaktfläche (6) und eines Anschlussbereichs (8) des Trägerkörpers aufweist, und eine elektrisch leitfähige Schicht (14) von der Kontaktfläche (6) über eine Teilbereich der Verkapselungsschicht (3) zu dem elektrischen Anschlussbereich (8) des Trägerkörpers (10) geführt ist, um die Kontaktfläche (6) und den elektrischen Anschlussbereich (8) elektrisch miteinander zu verbinden. Die von dem Halbleiterchip (1) in eine Hauptstrahlungsrichtung (13) emittierte Strahlung wird durch die Verkapselungsschicht (3) ausgekoppelt, die vorteilhaft Lumineszenz-Konversionsstoffe zur Wellenlängenkonversion der emittierten Strahlung enthält.

Abstract translation:

如＆AUML一种光电子器件;大街 的发明包含HOLDS的半导体芯片（1），并且在TR AUML; gerk＆OUML;其设有一个透明的，电绝缘的封装层（3），其中所述封装层（3）包括两个凹部本体（10）（11，12），以暴露 一个Kontaktfl BEAR表面（6）和连接部分（8）的Tr的AUML; gerk＆oUML; rpers，并且在通过该封装层（3）的部分区域的接触BEAR表面（6）的导电BEAR层的通断（14） 该电连接区域（8）Tr的＆AUML的; gerk＆oUML; rpers（10）导航用途实测值;是HRT到，接触＆AUML;连接表面（6）和所述电连接区域（8）彼此电。 LT ;所发射的辐射的ngenkonversion包含＆AUML在辐射的主方向上的半导体芯片（1）的（13）发射的辐射通过封装层（3），这有利地发光转换材料的波长＆AUML耦合输出。

公开(公告)号：WO1997050132A1

公开(公告)日：1997-12-31

申请号：PCT/DE1997001337

申请日：1997-06-26

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  REEH, Ulrike ,  HÖHN, Klaus ,  STATH, Norbert ,  WAITL, Günther ,  SCHLOTTER, Peter ,  SCHMIDT, Rolf ,  SCHNEIDER, Jürgen

Inventor： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/50 ,  C09K11/7718 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7746 ,  C09K11/7749 ,  C09K11/7767 ,  C09K11/7769 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/486 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0091 ,  Y02B20/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: Light-emitting semiconductor component with a radiation-emitting semiconductor body (1) and a luminescence conversion element (4, 5). The semiconductor body (1) emits radiation in the ultraviolet, blue and/or green region of the spectrum, and the luminescence conversion element (4, 5) converts a part of this radiation into radiation of a greater wavelength. This enables light-emitting diodes which emit mixed-colour, in particular white, light by means of a single light-emitting semiconductor body to be produced. The specially preferred luminescence conversion dye is YAG:Ce.

Abstract translation: 发光半导体元件具有发射辐射的半导体本体（1）和发光转换元件（4，5）。 半导体本体（1）发射的紫外线辐射，蓝色和/或绿色光谱区，和发光转换元件（4，5）该辐射的一部分转换为具有更长的波长的辐射中的顺序。 其特征在于发光二极管可以制造其发射单个发光半导体主体的光，尤其是白色的光的多色装置。 使用CE：特别优选作为Lumineszenzkonversionsfarbstoff YAG。

公开(公告)号：WO1997004509A2

公开(公告)日：1997-02-06

申请号：PCT/DE1996001295

申请日：1996-07-16

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  BOGNER, Georg ,  BRUNNER, Herbert ,  HAAS, Heinz ,  LUFT, Johann ,  NIRSCHL, Ernst ,  SPAETH, Werner ,  STATH, Norbert ,  TEICH, Wolfgang

Inventor： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

IPC: H01S03/025

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2933/0091 ,  H01S5/02228 ,  H01S5/02244 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/3428 ,  H01L2924/00014

Abstract: The invention relates to an infrared emitter component with a commercial light-emitting diode (LED) package (11) which has two electrode terminals (13, 14), one of which has a well-shaped reflector (12), and which has an optically transparent, electrically nonconductive encapsulating material (16). The invention provides that a semiconductor laser chip (1) is mounted in the well-shaped reflector (12) of the LED package. The semiconductor laser chip (1) has a quantum-well structure, especially with a strained-layer structure, for example MOVPE epitaxial layers with the layer sequence GaAlAs-InGaAs-GaAlAs. The optically transparent, electrically nonconductive material (16) of the LED package (11) may incorporate a diffuser material (17) which in terms of type and concentration is structured and introduced so as to produce, in conjunction with the semiconductor laser chip (1) encapsulated in the LED package (11), a radiation characteristic or an enlargement of the effective emission surface that is comparable to that of a commercial infrared LED.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有商业Lumineszenzdioden-（LED）封装的红外发射装置，包括两个电极端子（13，14），其中具有一个槽形反射器（12），并且所述壳体（11） 包括一个光学透明的，不导电的密封剂（16）。 根据本发明，它提供了在Lumineszenzdioden-（LED）壳体的槽形反射器（12）以及（11），半导体激光芯片（1）被附接。 半导体激光芯片（1）具有量子阱结构，特别是具有gestrainten层结构，例如，与所述层序列GaAlAs系的InGaAs-GaAlAs的MOVPE的外延层。 在Lumineszenzdioden-（LED）壳体的光学透明的，非导电材料（16）以及（11），一个结合在其中扩散体材料（17）可以被提供，其目的是在类型和浓度等方面的或引入的被接触 在Lumineszenzdioden-（LED）壳体（11）封装的半导体激光器芯片（1）给出了一个发射或增加有效发射表面，其与该可商购的红外发光二极管的相媲美。

公开(公告)号：WO2009079985A3

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：PCT/DE2008002067

申请日：2008-12-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WEGLEITER WALTER ,  STATH NORBERT ,  BRAUNE BERT ,  WEIDNER KARL ,  REBHAN MATTHIAS ,  WULKESCH HANS

Inventor： WEGLEITER WALTER ,  STATH NORBERT ,  BRAUNE BERT ,  WEIDNER KARL ,  REBHAN MATTHIAS ,  WULKESCH HANS

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/52 ,  H01L24/24 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5284 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to an optoelectronic component (1, 12, 14, 17) comprising a carrier element (2), at least two elements (3) that are arranged adjacent to each other on a first side of the carrier element (2) and that respectively have at least one optically active area (4) for producing electromagnetic radiation. Said optoelectronic component (1, 12, 14, 17) comprises an electrically insulating protective layer (5) that is arranged at least partially on one surface of the at least two adjacent elements (3) that is opposite the first side. The protective layer (5) at least predominantly prevents, at least in a first area (5a) arranged between the at least two adjacent elements (3), electromagnetic radiation (10) that can be produced by the optically active areas (4) to be transmitted. The invention also relates to a production method (30) for an optoelectronic component (1, 12, 14, 17).

Abstract translation: 本发明涉及一种光电子器件（1，12，14，17），包括一个载体元件（2），至少两个在承载元件（2）的第一侧上布置相邻的元件（3）与至少一种光学活性区域（4） 用于产生电磁辐射。 光电子器件（1，12，14，17）具有至少部分地相对于（3）布置在所述至少两个相邻元件，电绝缘的保护层的第一侧表面中的一个（5），其中所述保护层（5）之间的至少一个 布置在所述至少两个相邻元件（3）的光学有源区（4）的传输的所述第一区域（5a）的可生成至少电磁辐射（10）主要是抑制。 本发明还涉及一种用于光电子器件（1，12，14，17）的制造方法（30）。

公开(公告)号：WO2006034671A3

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：PCT/DE2005001603

申请日：2005-09-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GUENTHER EWALD KARL MICHAEL ,  SORG JOERG ERICH ,  STATH NORBERT

Inventor： GUENTHER EWALD KARL MICHAEL ,  SORG JOERG ERICH ,  STATH NORBERT

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L33/508 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/82007 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: An optoelectronic component according to the invention contains a semiconductor chip (1) and a supporting body (10), which are provided with a transparent, electrically insulating encapsulation layer (3), this encapsulation layer (3) having two cutouts (11, 12) for exposing a contact surface (6) and a connecting area (8) of the supporting body, and contains an electrically conductive layer (14) leading from the contact surface (6) while passing over a partial area of the encapsulation layer (3) and extending to the electrical connecting area (8) of the supporting body (10) in order to electrically connect the contact surface (6) and the electrical connecting area (8). The radiation emitted from the semiconductor chip (1) in a main emitting direction (13) is decoupled via the encapsulation layer (3) that advantageously contains luminescence conversion substances for converting wavelengths of the emitted radiation.

Abstract translation: 根据本发明的光电子器件包括：半导体芯片（1）和被提供有一个透明的，电绝缘的封装层（3）的载体主体（10），其中所述封装层（3）包括两个凹部（11，12），以暴露的接触表面 （6），并通过所述封装层（3）的部分区域（8），所述支撑体（10）被引导的电连接区域的连接部（8）的承载体，并且在所述接触表面（6）的导电层（14）， 彼此电连接的接触表面（6）与所述电连接区域（8）。 在半导体芯片（1）的主辐射方向（13）发射的辐射通过封装层（3），其有利地含有发光转换材料所发射的辐射的波长转换耦合输出。

公开(公告)号：WO1998006133A2

公开(公告)日：1998-02-12

申请号：PCT/DE1997001641

申请日：1997-08-04

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  SEDLMEIER, Reinhard ,  NIRSCHL, Ernst ,  STATH, Norbert

Inventor： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/02

Abstract: A process is disclosed for manufacturing an infrared-emitting luminescent diode. A series of layers is applied on a semiconductor substrate (1) preferably made of GaAs. Counting from the semiconductor substrate (1), the series of layers comprises a first AlGaAs covering layer (2), an active layer (3) containing GaAs and/or AlGaAs and a second AlGaAs covering layer (4). The first AlGaAs covering layer (2) and the active layer (3) are produced by an MOVPE (metallo-organic vapour phase epitaxy) process and the second AlGaAs covering layer (4) is produced by an LPE (liquid phase epitaxy) process. In addition, an electroconductive decoupling layer (5) which is optically transparent in the infrared spectral range and has at least about 10 mu m thickness is deposited on the second AlGaAs covering layer (4) by an LPE (liquid phase epitaxy) process.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造红外发射发光二极管，其中半导体衬底（1）上，优选包括GaAs，层序列施加，从半导体基板（1），第一的AlGaAs覆盖层（2），在GaAs开始 和/或的AlGaAs（3）和一个第二的AlGaAs覆盖层（4）含有活性层，所述第一的AlGaAs覆盖层（2）和通过MOVPE的装置有源层（3）（Metallorganogasphasenepitaxie）方法和第二的AlGaAs 敷层（4）由一个LPE（液相外延）的装置是准备方法。 此外，第二的AlGaAs覆盖层（4）上包括一个导电的，在红外光谱输出耦合层的光学透明（5），其具有的厚度为至少约10微米由保藏的LPE（液相外延）方法的手段。

公开(公告)号：WO2009079985A2

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：PCT/DE2008/002067

申请日：2008-12-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WEGLEITER, Walter ,  STATH, Norbert ,  BRAUNE, Bert ,  WEIDNER, Karl ,  REBHAN, Matthias ,  WULKESCH, Hans

Inventor： WEGLEITER, Walter ,  STATH, Norbert ,  BRAUNE, Bert ,  WEIDNER, Karl ,  REBHAN, Matthias ,  WULKESCH, Hans

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/52 ,  H01L24/24 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5284 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (1, 12, 14, 17), aufweisend ein Trägerelement (2), wenigstens zwei auf einer ersten Seite des Trägerelements (2) benachbart angeordnete Elemente (3) mit jeweils mindestens einem optisch aktiven Bereich (4) zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung. Das optoelektronische Bauelement (1, 12, 14, 17) weist eine zumindest teilweise auf einer der ersten Seite gegenüberliegende Oberfläche der wenigstens zwei benachbarten Elemente (3) angeordnete, elektrisch isolierende Schutzschicht (5), wobei die Schutzschicht (5) wenigstens in einem zwischen den wenigstens zwei benachbarten Elementen (3) angeordneten ersten Bereich (5a) eine Transmission der von den optisch aktiven Bereichen (4) erzeugbaren elektromagnetische Strahlung (10) zumindest überwiegend unterbindet. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Herstellungsverfahren (30) für ein optoelektronisches Bauelement (1, 12, 14, 17).

Abstract translation:

本发明涉及一种包括在第一侧上的载波BEAR gerelement（2），至少两个的光电子器件（1，12，14，17）的Tr的AUML; gerelements（2）布置在相邻的元件（ 3），每个具有至少一个用于产生电磁辐射的光学有源区（4）。 光电子器件（1，12，14，17）具有关于对（3）布置，电绝缘的保护层中的至少两个相邻元件的导航用途berliegende表面BEAR表面第一侧的一个至少部分（5），其中所述保护层（5） 至少在相邻的至少两个元件（3）之间布置的光学有源区（4）的传输的第一区域（5a）中，可以产生的电磁辐射（10）至少导航用途主要抑制。 本发明还涉及一种用于光电子器件（1,12,14,17）的制造方法（30）

公开(公告)号：WO2008000222A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：PCT/DE2007/001060

申请日：2007-06-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HÄRLE, Volker ,  LELL, Alfred ,  OTT, Hubert ,  STATH, Norbert ,  STRAUSS, Uwe

Inventor： HÄRLE, Volker ,  LELL, Alfred ,  OTT, Hubert ,  STATH, Norbert ,  STRAUSS, Uwe

IPC: G01M11/00 ,  G01M11/08

CPC classification number: G01M11/088 ,  B60Q1/0011 ,  B60Q11/005 ,  F21S8/06 ,  F21S41/13 ,  F21S41/141 ,  F21S41/16 ,  F21S41/24 ,  F21S45/46 ,  F21S45/47 ,  F21V3/061 ,  F21V3/062 ,  F21V3/10 ,  F21V7/005 ,  F21V7/045 ,  F21V7/22 ,  F21V9/30 ,  F21Y2103/00 ,  G01M11/30

Abstract: Eine Ausführungsform der Erfindung schlägt eine Anordnung mit einem Lichtleiter (10) und einer Detektionsvorrichtung (25) vor, wobei der Lichtleiter (10) einen Kernbereich (10E), und einen, den Kernbereich (10E) umgebenden Mantelbereich (10C) umfasst, wobei der Kernbereich einen höheren Brechungsindex aufweist als der Mantelbereich, und bei der die Detektionsvorrichtung (25) eine Beschädigung des Lichtleiters (10) detektieren kann.

Abstract translation: 本发明的一个实施例提出了与之前的光导（10）和检测装置（25）的布置，包括：光导（10）具有一个芯部区域（10E），以及包围包层区域（10C）的核心区（10E），其中，所述 芯区域具有比所述包层区域具有更高的折射率，并且，在所述检测装置（25）检测到所述光导（10）的损坏。