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    METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRATED CIRCUIT
    1.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
    集成电路的制造工艺

    公开(公告)号：WO0239488A3

    公开(公告)日：2002-07-18

    申请号：PCT/EP0110783

    申请日：2001-09-18

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  HILLIGER ANDREAS ,  STAUB RALF ,  LUEKEN EIKE

    Inventor： HILLIGER ANDREAS ,  STAUB RALF ,  LUEKEN EIKE

    IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

    CPC classification number: H01L27/10885 ,  H01L21/76897

    Abstract: The invention relates to a method for producing an integrated circuit comprising the following steps: preparing a semi-conductor substrate (1) with a contacting circuit area (SS); providing an insulating layer (IS) on the surface of the semi-conductor substrate (1); providing a contact hole (KL) in the insulating layer (IS) for making contacting the circuit area (SS); providing an insulating spacer area (10`) in at least the area above the contact hole (KL); providing at least three trenches (BG1; BG2; BG3), the first (BG1) of which is arranged next to the contact hole (KL), a second (BG2) is disposed across the contact hole (KL) and a third (BG3) is next to the contact hole (KL). The spacer area (10`) is placed between the first and the second trench (BG1; BG2) and the second and the third trench (BG2; BG3); filling the trenches (BG1; BG2; BG3) with a conductive material; and chemical-mechanical polishing of conductive material for producing three separated trenches (BL1; BL2; BL3).

    Abstract translation: 本发明提供了一种集成电路制造方法，包括以下步骤：提供具有要接触的电路区域（SS）的半导体衬底（1） 在半导体衬底（1）的表面上提供绝缘层（IS）; 在绝缘层（IS）中提供用于接触电路区域（SS）的接触孔（KL）; 至少在接触孔（KL）的上部区域中设置绝缘间隔物区域（10'）; 提供至少三个沟槽（BG1; BG2，BG3），其中，第一线沟槽（BG1）邻近于通过接触孔（KL）和第三线沟槽（BG3）相邻的接触孔的接触孔（KL），第二线沟槽（BG2）的 之间（KL），其中，所述间隔区（10“）的第一和第二线沟槽（BG1; BG2）之间是左和所述第二和第三线沟槽（BG3 BG2）; 用线材填充沟槽（BG1，BG2，BG3）; 并对导体材料进行化学机械抛光以产生三个单独的引线（BL1; BL2; BL3）。

    FAHRZEUGSITZ MIT EINER FÜR DEN BENUTZUNGSFALL AUFBAUBAREN TISCHSTRUKTUR
    2.
    发明申请
    FAHRZEUGSITZ MIT EINER FÜR DEN BENUTZUNGSFALL AUFBAUBAREN TISCHSTRUKTUR 审中-公开
    与Case的使用可建表结构交通工具座椅

    公开(公告)号：WO2009040247A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：PCT/EP2008/061953

    申请日：2008-09-10

    Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  STAUB, Ralf

    Inventor： STAUB, Ralf

    IPC: B60N2/46 ,  B60N3/00

    CPC classification number: B60N3/001 ,  B60N2/79

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen Fahrzeugsitz (1) mit einer für den Benutzungsfall aufbaubaren Tischstruktur (6), wobei er wenigstens einen ausziehbaren Tischträger (3) aufweist und die Tischstruktur mit einer Tischplatte (7) vorgesehen ist, die wenigstens an einer Seite eine schwenkbar gelagerte Tischstütze (8) aufweist, deren freies Ende zur formschlüssigen Abstützung in einer zugeordneten Aufnahme des Tischträgers (3) ausgebildet ist, wobei die wenigstens eine Tischstütze (8) an der Tischplatte (7) derart schwenkbar gelagert ist, dass im aufgebauten Zustand der Tischstruktur die Tischplatte (7) in einer horizontalen Lage gehalten ist.

    Abstract translation: 本发明涉及一种车辆用座椅（1）的使用情况的表结构的自由组件（6），其特征在于，它包括至少一个扩展表支撑体（3），并用一个台面（7）的表结构被提供，至少在转动台支承的一侧 （8）的自由端形成有用于形状配合支撑在表支持的相关联的接收器（3），其中，所述至少一个表支撑（8）上的桌面（7）安装可枢转的，使得在组装状态下，该表结构，该表板 （7）在水平位置被保持。

    METHOD FOR THE PRODUCTION OF CONTACTS FOR INTEGRATED CIRCUITS AND SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH SAID CONTACTS
    3.
    发明申请
    METHOD FOR THE PRODUCTION OF CONTACTS FOR INTEGRATED CIRCUITS AND SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH SAID CONTACTS 审中-公开
    工艺用于生产集成电路和半导体元件这样的联系联系

    公开(公告)号：WO03007355A3

    公开(公告)日：2003-09-18

    申请号：PCT/EP0207507

    申请日：2002-07-05

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  KROENKE MATTHIAS ,  STAUB RALF ,  WANG KAE-HORNG

    Inventor： KROENKE MATTHIAS ,  STAUB RALF ,  WANG KAE-HORNG

    IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/28

    CPC classification number: H01L27/10888 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10829

    Abstract: The invention relates to the production of one (or several) contacts on one or several active areas of a semiconductor disk, whereby one or several insulated control lines can be arranged on the active areas to be contacted. The control lines can, for example, be gate lines. The semiconductor element is produced in the following manner: a polysilicon layer is deposited on the semiconductor disk, the polysilicon layer is structured in order to produce a polysilicon contact over the active area, whereby the polysilicon contact covers the two control lines in an at least partial manner, a first insulator layer is applied to the semiconductor disk incorporating said polysilicon contact, the first insulator layer is partially removed to reveal the covering surface of the polysilicon contact and a metal layer is applied to the semiconductor disk for the electrical contacting of the polysilicon contact.

    Abstract translation: 有在半导体晶片的一个或多个有源区，其中一个或多个分离的控制线可以被布置在有源区域的一个（或更多个）触点被接触生成。 控制线可以是，例如，到栅极线。 的半导体器件如下制造：在多晶硅接触的嵌入在半导体晶片上沉积多晶硅层，图案化多晶硅层以形成在所述有源区中的多晶硅接触，其中，所述多晶硅接触至少覆盖两条控制线部分，在半导体晶片上施加第一绝缘层 ，部分去除所述第一绝缘层以暴露该多晶硅接触的顶部表面和该半导体晶片上施加金属层用于使多晶硅接触的电接触。

    SCHIENENFAHRZEUG MIT VERKLEIDETEM DREHGESTELL
    4.
    发明申请
    SCHIENENFAHRZEUG MIT VERKLEIDETEM DREHGESTELL 审中-公开
    以伪装转向架轨道车辆

    公开(公告)号：WO2012069269A1

    公开(公告)日：2012-05-31

    申请号：PCT/EP2011/068699

    申请日：2011-10-26

    Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  STAUB, Ralf

    Inventor： STAUB, Ralf

    IPC: B61D17/02 ,  B61F3/14

    CPC classification number: B61F3/14 ,  B61D17/02 ,  B61F5/50 ,  Y02T30/32

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Schienenfahrzeug, dessen Mantelfläche im Bodenbereich zur Unterbringung eines Drehgestells ausgeschnitten ist, wobei das Drehgestell wenigstens seitliche Verkleidungselemente (VL, VR) aufweist, wobei die seitlichen Verkleidungselemente (VL, VR) einer Bewegung des Drehgestells folgen, und zwischen einem Wagenkasten (W) des Schienenfahrzeugs und den seitlichen Verkleidungselementen (VL, VR) des Drehgestells wenigstens teilweise eine Stoffbespannung aus einem elastischen Material vorgesehen ist.

    Abstract translation: 本发明涉及一种轨道车辆，其侧面在底部区域切出，以容纳一转向架，具有该转向架至少侧板构件（VL，VR），其中，所述侧向包覆元件（VL，VR）追随转向架的移动，和（车体之间 W上的轨道车辆，并且部分横向包覆元件（VL，VR）被提供的转向架）至少，一个弹性材料制成的织物覆盖物的。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON KONTAKTEN FÜR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN UND HALBLEITERBAUELEMENT MIT SOLCHEN KONTAKTEN
    6.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON KONTAKTEN FÜR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN UND HALBLEITERBAUELEMENT MIT SOLCHEN KONTAKTEN 审中-公开
    生产集成电路和半导体元件的联系方式

    公开(公告)号：WO2003007355A2

    公开(公告)日：2003-01-23

    申请号：PCT/EP2002/007507

    申请日：2002-07-05

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  KRÖNKE, Matthias ,  STAUB, Ralf ,  WANG, Kae-Horng

    Inventor： KRÖNKE, Matthias ,  STAUB, Ralf ,  WANG, Kae-Horng

    IPC: H01L21/28

    CPC classification number: H01L27/10888 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10829

    Abstract: Es werden einen (oder mehrere) Kontakte auf einem oder mehreren aktiven Bereichen einer Halbleiterscheibe, wobei auf den zu kontaktierenden aktiven Bereichen eine oder mehrere isolierte Steuerleitungen angeordnet sein können, erzeugt. Bei den Steuerleitungen kann es sich beispielsweise um Gateleitungen handeln. Das Halbleiterbauelement wird wie folgt hergestellt: Aufbringen einer Polysiliziumschicht auf die Halbleiterscheibe, Strukturieren der Polysiliziumschicht, um einen Polysiliziumkontakt über dem aktiven Bereich zu erzeugen, wobei der Polysiliziumkontakt die beiden Steuerleitungen zumindest zum Teil überdeckt, Aufbringen einer ersten Isolatorschicht auf die Halbleiterscheibe unter Einbettung des Polysiliziumkontakts, teilweises Abtragen der ersten Isolatorschicht unter Freilegung der Deckfläche des Polysiliziumkontakts und Aufbringen einer Metallschicht auf der Halbleiterscheibe zur elektrischen Kontaktierung des Polysiliziumkontakts.

    Abstract translation:

    是在半导体晶片的一个或多个有源区之一（或更多）接触，其中可以放置在要被接触的有源区的一个或K＆ouml多种分离的控制线;可以生成。 控制线可以是例如栅极线。 的半导体器件如下制造：在半导体晶片上沉积多晶硅层，多晶硅层图案化以形成多晶硅接触导航用途，以产生活性区域，其中，上述多晶硅接触的两个控制线至少部分地导航用途berdeckt，在半导体晶片上沉积第一绝缘层 下的多晶硅接触的嵌入，部分地去除所述第一绝缘层以暴露该多晶硅接触的Deckfl BEAR表面和半导体晶片上施加金属层用于使多晶硅接触的电接触。

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