公开(公告)号：WO2012069262A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：PCT/EP2011/068476

申请日：2011-10-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STAUSS, Peter ,  BEHRES, Alexander

Inventor： STAUSS, Peter ,  BEHRES, Alexander

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/02 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/26 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02543 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/173 ,  H01L2924/00

Abstract: Es ist ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (10) mit einem Halbleiterschichtenstapel (1) basierend auf dem Materialsystem AlInGaP angegeben, bei dem ein Aufwachssubstrat (2) bereitgestellt wird, das eine Siliziumoberfläche aufweist. Auf dem Aufwachssubstrat (2) wird ein kompressiv relaxierter Bufferschichtenstapel (3) aufgebracht. Auf dem Bufferschichtenstapel (3) wird der Halbleiterschichtenstapel (1) metamorph epitaktisch aufgewachsen. Der Halbleiterschichtenstapel (1) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht auf. Weiter ist ein Halbleiterchip (10) angegeben, der mittels eines derartigen Verfahrens hergestellt ist.

Abstract translation: 它被指定基于材料系统的AlInGaP制造具有半导体层堆叠（1），其中生长衬底提供了一种具有硅表面（2）的光电子半导体芯片（10）的方法。 上施加松弛缓冲层堆叠（3）的压缩生长衬底（2）。 在缓冲层堆叠（3）生长在半导体层堆叠（1）变质外延。 半导体层堆叠（1）具有用于产生辐射活性层中的开口。 接着，将半导体芯片（10）设置，它是由这样的方法制造。

公开(公告)号：WO2011039181A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：PCT/EP2010/064353

申请日：2010-09-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STAUSS, Peter ,  DRECHSEL, Philipp

Inventor： STAUSS, Peter ,  DRECHSEL, Philipp

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Trägersubstrats (1), das eine Silizium-Oberfläche (1a) aufweist, - Abscheiden einer Schichtenfolge (100) auf der Silizium-Oberfläche (1a) in einer Wachstumsrichtung (R), und - Abscheiden einer Leuchtdiodenstruktur (16) auf die Schichtenfolge (100), wobei - die Schichtenfolge (100) eine GaN-Schicht (5) enthält, die mit Galliumnitrid gebildet ist, - die Schichtenfolge eine Maskierungsschicht (12) enthält, die mit Siliziumnitrid gebildet ist, und - die Maskierungsschicht (12) zumindest einem Teil der GaN-Schicht (5) in Wachstumsrichtung (R) nachfolgt.

Abstract translation: 提供了一种方法，用于制造发光二极管，包括以下步骤： - 在生长方向上的硅表面上沉积的层序列（100）（1A） - 提供（1）具有硅表面（1a）的一个支撑衬底， 于该层序列（100），沉积的发光结构（16） - - 层（100）的序列包括：（5）形成有氮化镓GaN层， - 层的顺序包括掩蔽层（12）（R），并 （R）如下所述掩蔽层（12）至少在生长方向上的GaN层（5）的一部分 - 其与氮化硅形成，并且。

公开(公告)号：WO2012025397A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：PCT/EP2011/063883

申请日：2011-08-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STAUSS, Peter ,  DRECHSEL, Philipp ,  HERTKORN, Joachim

Inventor： STAUSS, Peter ,  DRECHSEL, Philipp ,  HERTKORN, Joachim

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) aus einem nitridischen Verbindungshalbleitermaterial auf einem Substrat (1) angegeben, wobei das Substrat (1) eine der Halbleiterschichtenfolge (2) zugewandte Silizium-Oberfläche aufweist und die Halbleiterschichtenfolge (2) einen aktiven Bereich (21) und zwischen dem Substrat (1) und dem aktiven Bereich (21) zumindest eine Zwischenschicht (3) aus einem sauerstoffdotierten AlN-Verbindungshalbleitermaterial aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements angegeben.

Abstract translation: 它是（2）由具有半导体层序列的半导体器件的氮化物半导体材料的一衬底（1）上，其中在衬底（1）具有（2）的面向硅表面和半导体层序列（2）的有源区的半导体层序列（21 ），并具有至少一个中间层（3）从所述衬底之间的氧掺杂的AlN化合物半导体材料（1）和所述有源区（21）。 此外，提供了一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：WO2011018380A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：PCT/EP2010/061222

申请日：2010-08-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STAUSS, Peter ,  RODE, Patrick

Inventor： STAUSS, Peter ,  RODE, Patrick

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/007

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines Trägersubstrats (10), das eine Silizium-Oberfläche (10a) aufweist, epitaktisches Abscheiden einer aluminiumhaltigen Nitrid-Schichtenfolge (20) auf der Silizium-Oberfläche (10a) des Trägersubstrats (10) zur Bildung eines Leuchtdiodenträgers (100), Bereitstellen einer Leuchtdioden-Struktur (300) auf einem Aufwachsträger (200), Verbinden der dem Aufwachsträger (200) abgewandten Oberfläche der Leuchtdioden-Struktur (300) mit der dem Trägersubstrat (10) abgewandten Oberfläche des Leuchtdiodenträgers (100), Ablösen des Aufwachsträgers (200), Herstellen zumindest eines p-Kontaktes (62) und eines n-Kontaktes (61) zum Kontaktieren der Leuchtdioden-Struktur (300) von der dem Trägersubstrat (10) abgewandten Oberfläche der Leuchtdioden-Struktur (300) her.

Abstract translation: 提供了一种方法，用于制造发光二极管，包括以下步骤：提供具有硅表面（10A）的支撑基板（10）的硅表面（10A）上外延沉积含铝氮化物层序列（20） 载体衬底（10），以形成发光结构（100），提供对一个Aufwachsträger从发光结构（300）与所述载体基片的表面背对发光结构（300）（200）连接所述的Aufwachsträger（200）（10） 表面面对所述LED载体（100）的表面，剥离Aufwachsträgers（200），产生至少一个p接触（62）和n接触（61），用于在载体衬底（10）的发光结构（300）接触，从背对 发光结构（300）前。

公开(公告)号：WO2009039830A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/DE2008/001534

申请日：2008-09-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STAUSS, Peter ,  PETER, Matthias ,  WALTER, Alexander

Inventor： STAUSS, Peter ,  PETER, Matthias ,  WALTER, Alexander

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/34 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einer aktiven Zone (20) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen Mehrfachquantentopfstruktur enthält, welche eine Mehrzahl von aufeinander folgenden Quantentopfschichten (210, 220, 230) aufweist. Die Mehrfachquantentopfstruktur weist mindestens eine erste Quantentopfschicht (210) auf, die n-leitend dotiert ist und die zwischen zwei an die erste Quantentopfschicht angrenzenden, n-leitend dotierten Barriereschichten (250) angeordnet ist. Sie weist eine zweite Quantentopfschicht (220) auf, die undotiert ist und zwischen zwei an die zweite Quantentopfschicht angrenzenden Barriereschichten (250, 260) angeordnet ist, von denen eine n-leitend dotiert und die andere undotiert ist. Zudem weist die Mehrfachquantentopfstruktur mindestens eine dritte Quantentopfschicht (230) auf, die undotiert ist und die zwischen zwei an die dritte Quantentopfschicht angrenzenden, undotierten Barriereschichten (260) angeordnet ist.

Abstract translation: 提供了一种具有有源区（20）的光电子半导体芯片包含用于产生电磁辐射的多量子阱结构，其包括多个连续的量子阱层（210，220，230）的一个提供的。 的多量子阱结构包括至少一个第一量子阱层（210），其是n型掺杂和之间邻近于所述第一量子阱层，n型掺杂两个阻挡层（250）被布置。 它有一个第二量子阱层（220）是未掺杂的且邻近于所述第二量子阱层阻挡层（250，260）两者之间布置，其中一个是n型掺杂，而另一个是未掺杂的。 此外，多量子阱结构具有至少一第三量子阱层（230）是未掺杂的和邻近第三量子阱层两者之间，所述未掺杂的阻挡层（260）被布置。

公开(公告)号：WO2013045190A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/EP2012/066699

申请日：2012-08-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HERTKORN, Joachim ,  ENGL, Karl ,  HAHN, Berthold ,  WEIMAR, Andreas ,  STAUSS, Peter

Inventor： HERTKORN, Joachim ,  ENGL, Karl ,  HAHN, Berthold ,  WEIMAR, Andreas ,  STAUSS, Peter

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L21/20 ,  C23C14/06 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  C30B23/06 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L33/007 ,  C23C14/0617 ,  C30B23/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungs form des Verfahrens ist dieses zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (10), insbesondere einer Leuchtdiode, eingerichtet. Das Verfahren umfasst mindestens die folgenden Schritte: - Bereitstellen eines Silizium-Aufwachssubstrats (1), - Erzeugen einer III-Nitrid-Pufferschicht (3) auf dem Aufwachssubstrat (1) mittels Sputtern, und - Aufwachsen einer III-Nitrid-Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (2a) über der Pufferschicht (3).

Abstract translation: 在所述方法的至少一个执行的是，用于光电子半导体芯片（10），特别是发光二极管组的制造。 该方法包括至少以下步骤： - 提供硅生长衬底（1）， - 通过溅射，和产生生长衬底（1）上的III族氮化物缓冲层（3） - 生长III族氮化物半导体层序列（2） 具有在所述缓冲层（3）的有源层（2a）中。

公开(公告)号：WO2007096349A2

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：PCT/EP2007/051593

申请日：2007-02-20

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  FÜRST, Jens ,  HENSELER, Debora ,  JAEGER, Arndt ,  STAUSS, Peter

Inventor： FÜRST, Jens ,  HENSELER, Debora ,  JAEGER, Arndt ,  STAUSS, Peter

CPC classification number: H01L51/4253 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/305 ,  H01L51/0014 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/05 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: Die Erfindung betrifft eine organische Diode (F) und ein Verfahren zum Herstellen von organischen Dioden (F). Zunächst wird ein großflächiges und unstrukturiertes Schichtsystem (S) aufgrund folgender Verfahrensschritte hergestellt: Bereitstellen eines unstrukturierten elektrisch leitfähigen Substrats (2), Auftragen wenigstens einer unstrukturierten aktiven organischen Schicht (5) auf das elektrisch leitfähige Substrat (2) und Auftragen einer unstrukturierten elektrisch leitfähigen Schicht (7) auf die unstrukturierte aktive organische Schicht (5). Anschließend wird das Schichtsystem (S) in mehrere organische Roh-Dioden (9) zerschnitten. Das elektrisch leitfähige Substrat (2) und die elektrisch leitfähige Schicht (7) jeder organischen Roh-Diode (9) wird mit jeweils einem Drahtanschluss (10, 11) und dann mit einer Schutzschicht (12) versehen.

Abstract translation: 本发明涉及一种有机二极管（F），以及用于制造的有机二极管（F）的方法。 首先，将大面积化和非结构化层系统（S）是基于以下的方法步骤制备：提供非结构化导电衬底（2），（5）导电基板（2）上施加至少一个非结构化活性有机层并施加非结构化导电层 （7）到所述非结构化活性有机层（5）。 随后该层系统（S）被切割为多个有机原料二极管（9）。 导电基板（2）和导电层（7）的各有机原料二极管（9）的每一个都具有连接线（10，11），然后用设置有保护层（12）。

公开(公告)号：WO2005096394A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：PCT/DE2005/000428

申请日：2005-03-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  JAEGER, Arndt ,  STAUSS, Peter ,  WINDISCH, Reiner

Inventor： JAEGER, Arndt ,  STAUSS, Peter ,  WINDISCH, Reiner

IPC: H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02162 ,  H01L31/0687 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: Es wird ein Strahlungsdetektor zur Detektion von Strahlung (8) gemäß einer vorgegebenen spektralen Empfindlichkeitsverteilung (9), die ein Maximum bei einer vorgegebenen Wellenlänge λ o aufweist, umfassend einen Halbleiterkörper (1) mit einem der Detektorsignalerzeugung dienenden und zum Strahlungsempfang vorgesehenen aktiven Bereich (5) angegeben, wobei der aktive Bereich (5) gemäß einer Ausführungsform eine Mehrzahl von Funktionsschichten (4a, 4b, 4c, 4d) umfasst, die unterschiedliche Bandlücken und/oder Dicken aufweisen und derart ausgebildet sind, dass sie (4a, 4b, 4c, 4d) zumindest teilweise Strahlung in einem Wellenlängenbereich größer als λ0 absorbieren. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist dem aktiven Bereich eine Filterschichtstruktur (70) nachgeordnet, die zumindest eine Filterschicht (7, 7a, 7b, 7c) umfasst, wobei die Filterschichtstruktur die kurzwellige Seite (101) der Detektorempfindlichkeit (10) gemäß der vorgegebenen spektralen Empfindlichkeitsverteilung (9) durch Absorption von Wellenlängen kleiner als λ o bestimmt. Weiterhin wird ein Strahlungsdetektor zur Detektion von Strahlung (8) gemäß der spektralen Empfindlichkeitsverteilung (9) des menschlichen Auges angegeben. Der Halbleiterkörper kann monolithisch integriert sein.

Abstract translation: 它正在服务的放射线检测器，用于检测辐射（8）根据其具有在预定波长lambdao最大包括半导体主体（1）与所述检测器信号生成中的一个和用于接收辐射有源区域中的预定光谱灵敏度分布（9）（5） 指定的，其中，根据一个实施例的有源区（5）包括多个功能层（4A，4B，4C，4D），其具有不同带隙和/或厚度和被形成为使得它们（图4a，4b，4c，4d的 的波长范围内大于lambda0更大吸收）至少部分辐射。 根据进一步的实施例中，过滤层结构（70）被设置在有源区的下游，所述至少一个滤光层（7，图7A，7B，7C），其中，所述过滤器层结构中的给定的光谱灵敏度分布的检测器灵敏度（10）的短波长侧（101）（ 9）通过波长的吸收来测定比lambdao小。 此外，提供用于检测根据人眼的光谱灵敏度分布（9）辐射（8）的放射线检测器。 半导体本体可以单片集成。

公开(公告)号：WO2004021457A3

公开(公告)日：2004-12-23

申请号：PCT/DE0302786

申请日：2003-08-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KARNUTSCH CHRISTIAN ,  STAUSS PETER ,  STREUBEL KLAUS

Inventor： KARNUTSCH CHRISTIAN ,  STAUSS PETER ,  STREUBEL KLAUS

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01L33/30

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0066

Abstract: The invention relates to a method for producing a radiation-emitting semiconductor chip based on AlGaInP, comprising the following steps: preparing a substrate; applying a series of semiconductor layers to the substrate, said series of layers containing a photon-emitting active layer, and; applying a transparent decoupling layer comprising Gax(InyAl1-y)1-xP, whereby 0.8

Abstract translation: 在包括以下步骤的AlGaInP基的制造发射辐射的半导体芯片的方法，包括：提供衬底; 施加半导体层序列到基材上，其中包括一个光子的发光有源层; 和施加透明去耦层，该GAX（InyAl1-Y）1-XP与0.8 <= x和0 <= Y包括<= 1，根据本发明提供的底物由锗形成和，在所述耦合输出层透明 低温应用。

公开(公告)号：WO2013045355A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/EP2012/068617

申请日：2012-09-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STAUSS, Peter ,  DRECHSEL, Philipp

Inventor： STAUSS, Peter ,  DRECHSEL, Philipp

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements angegeben, bei dem eine Pufferschicht (2) aus einem Aluminium enthaltenden Nitrid-Verbindungshalbleiter auf die Siliziumoberfläche eines Aufwachssubstrats (1) aufgewachsen wird. Nachfolgend werden eine Verspannungsschichtstruktur (11) zur Erzeugung einer kompressiven Spannung und eine funktionelle Halbleiterschichtenfolge (12), welche eine aktive Schicht (9) aufweist, aufgewachsen. Die Verspannungsschichtstruktur (11) umfasst eine erste GaN- Halbleiterschicht (4) und eine zweite GaN-Halbleiterschicht (7), wobei in die erste GaN-Halbleiterschicht (4) eine Maskierungsschicht (5) eingebettet ist, zwischen der ersten GaN-Halbleiterschicht (4) und der zweiten GaN- Halbleiterschicht (7) eine AI (Ga) N-Zwischenschicht (6) zur Erzeugung einer kompressiven Spannung angeordnet ist, und die Verspannungsschichtstruktur (11) keine weiteren Al(Ga)N- Zwischenschichten (6) enthält.

Abstract translation: 公开的是用于制造光电子氮化物半导体器件，其特征在于，缓冲层（2）包括在生长衬底（1）的硅表面上形成含铝氮化物半导体生长的方法。 接着，应力衬垫结构（11）用于产生一个压缩应力，并且具有有源层的功能性半导体层序列（12）（9）中生长。 应变层结构（11）包括第一GaN半导体层（4）和第二GaN半导体层（7），其中在所述第一GaN半导体层（4）掩蔽层（5）被嵌入，（第一GaN半导体层4之间 ）和所述第二GaN半导体层（7）的Al（Ga）N系的中间层是用于产生压缩应力和应力衬垫结构（11布置（6））没有进一步的Al（Ga）N系中间层（6）。