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    An Improved Insulating and Weather Acid and Fire Resistant Material, applicable as a Paint, or for other purposes.
    3.
    发明专利
    An Improved Insulating and Weather Acid and Fire Resistant Material, applicable as a Paint, or for other purposes. 未知

    公开(公告)号：GB189716490A

    公开(公告)日：1897-10-02

    申请号：GB189716490D

    申请日：1897-07-12

    Applicant: STOCKER JOHANNES ,  ZANDER HERMANN

    Inventor： STOCKER JOHANNES ,  ZANDER HERMANN

    Abstract: 16,490. Stocker, J., and Zander, H. July 12. Paints, materials for; antifouling paints.- Relates to a composition which is weather, fire, and acid proof, and which may be employed as a paint, as a filling or pointing material for walls,&c., for ships, &c., and which can be worked in a lathe or used for other purposes. The composition is prepared from the following ingredients:-Caustic alkali, soluble glass, powdered fireclay, burnt magnesite, clay powder, asbestos, and a pigment. For certain purposes earth-nut oil, hydrochloric acid, and isinglass may be added.

    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
    5.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2012159615A3

    公开(公告)日：2013-05-23

    申请号：PCT/DE2012100118

    申请日：2012-04-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MAUTE MARKUS ,  ENGL KARL ,  TAEGER SEBASTIAN ,  WALTER ROBERT ,  STOCKER JOHANNES

    Inventor： MAUTE MARKUS ,  ENGL KARL ,  TAEGER SEBASTIAN ,  WALTER ROBERT ,  STOCKER JOHANNES

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42

    CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (10), which comprises a semiconductor body (1) made of semiconductor material, a p-contact layer (21a) and an n-contact layer (2). The semiconductor body (1) comprises an active layer (1a) provided for generating radiation. The semiconductor body has a p-side (1c) and an n-side (1b), between which the active layer (1a) is arranged. The p-contact layer (21a) is provided for electrical contacting of the p-side (1c). The n-contact layer (2) is provided for electrical contacting of the n-side (1b). The n-contact layer (2) contains a TCO layer (2a) and a mirror layer (2b), wherein the TCO layer (2a) is arranged between the n-side (1b) of the semiconductor body (1) and the mirror layer (2b).

    Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片（10），包括半导体材料的半导体主体（1），p型接触层（21a）和一个n型接触层（2）。 半导体本体（1）具有用于产生辐射活性层（LA）中的开口。 该半导体主体包括一p侧（1c）和n侧（1b）中，活性层（LA）被布置在它们之间。 p接触层（21a）的电接触的p侧（1c）中被提供。 提供了一种用于在n侧（1b）的电接触n型接触层（2）。 的n型接触层（2）含有（1b）的（2b）中设置在所述半导体主体（1）和镜层的n侧之间的TCO层（2a）和镜面层（2b）中，其中，所述TCO层（2a）的 是。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    6.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2012159615A2

    公开(公告)日：2012-11-29

    申请号：PCT/DE2012/100118

    申请日：2012-04-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MAUTE, Markus ,  ENGL, Karl ,  TAEGER, Sebastian ,  WALTER, Robert ,  STOCKER, Johannes

    Inventor： MAUTE, Markus ,  ENGL, Karl ,  TAEGER, Sebastian ,  WALTER, Robert ,  STOCKER, Johannes

    IPC: H01L33/40

    CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterkörper (1) aus Halbleitermaterial, eine p-Kontaktschicht (21a) und eine n-Kontaktschicht (2) umfasst. Der Halbleiterkörper (1) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (la) auf. Der Halbleiterkörper weist eine p-Seite (1c) und eine n-Seite (1b) auf, zwischen denen die aktive Schicht (la) angeordnet ist. Die p-Kontaktschicht (21a) ist zur elektrischen Kontaktierung der p-Seite (1c) vorgesehen. Die n-Kontaktschicht (2) ist zur elektrischen Kontaktierung der n-Seite (1b) vorgesehen. Die n-Kontaktschicht (2) enthält eine TCO-Schicht (2a) und eine Spiegelschicht (2b), wobei die TCO-Schicht (2a) zwischen der n-Seite (1b) des Halbleiterkörpers (1) und der Spiegelschicht (2b) angeordnet ist.

    Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片（10），包括半导体材料的半导体主体（1），p型接触层（21a）和一个n型接触层（2）。 半导体本体（1）具有用于产生辐射活性层（LA）中的开口。 该半导体主体包括一p侧（1c）和n侧（1b）中，活性层（LA）被布置在它们之间。 p接触层（21a）的电接触的p侧（1c）中被提供。 提供了一种用于在n侧（1b）的电接触n型接触层（2）。 的n型接触层（2）含有（1b）的（2b）中设置在所述半导体主体（1）和镜层的n侧之间的TCO层（2a）和镜面层（2b）中，其中，所述TCO层（2a）的 是。

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