公开(公告)号：WO2007048393A3

公开(公告)日：2007-09-07

申请号：PCT/DE2006001879

申请日：2006-10-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA ,  SEDLMAIER STEFAN ,  MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STRACK HELMUT ,  WILLMEROTH ARMIN

Inventor： SEDLMAIER STEFAN ,  MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STRACK HELMUT ,  WILLMEROTH ARMIN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/267 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/2255 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1604 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: Semiconductor component (1) with charge compensation structure (3) and method for producing the same. For that purpose, the semiconductor component (1) has a semiconductor body (4) with a drift section (5) between two electrodes (6, 7). The drift section (5) comprises drift zones of a first conductivity type forming a current path between the electrodes (6, 7) in the drift section, while charge compensation zones (11) of a complementary conductivity type narrow the current path in the drift section (5). The drift section (5) comprises for that purpose two alternating, epitaxially grown diffusion zone types (9, 10), the first drift zone type (9) having a monocrystalline semiconductor material on a monocrystalline substrate (12), and a second drift zone type (10) having a monocrystalline semiconductor material in a trench structure (13), with walls (14, 15) which have a complementary doping and form the charge compensation zones (11).

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体装置（1）与电荷补偿结构（3）和其制造方法。 为了这个目的，在半导体主体（4）的半导体器件（1）（6,7）具有两个电极之间的漂移区（5）。 漂移区（5）包括漂移的第一导电类型的区域中，电极之间的电流路径（6,7）提供在漂移路径，而互补的导电类型的电荷补偿区（11）压缩所述漂移区（5）的电流路径。 为此，漂移区（5）具有两个交替布置的，外延生长的扩散区类型（9，10），其中，单晶衬底（12）的单晶半导体材料和在严重结构的第二漂移区的类型（10）的单晶半导体材料的第一漂移区类型（9） （13），具有互补掺杂壁（14，15），其中，所述互补掺杂壁（14，15）形成电荷补偿区（11）。

公开(公告)号：WO0004596A3

公开(公告)日：2000-04-20

申请号：PCT/DE9901956

申请日：1999-07-01

Applicant: SIEMENS AG ,  PORST ALFRED ,  STRACK HELMUT ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS JOACHIM ,  BRUNNER HEINRICH ,  BAUER JOSEF ,  BARTHELMESS REINER

Inventor： PORST ALFRED ,  STRACK HELMUT ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BRUNNER HEINRICH ,  BAUER JOSEF ,  BARTHELMESS REINER

IPC: H01L29/744 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/745 ,  H01L29/749 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/1016 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/749

Abstract: The invention relates to power semiconductor components with stop zones (7). To optimize the static and dynamic losses of the power semiconductor components the stop zone comprises donors which present at least one donor level which is situated within the forbidden band of silicon and is at a distance of at least 200 meV from the edge of the silicon conduction band.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有止挡区域（7）的功率半导体器件。 的停止区设置有具有其位于硅的带隙200兆电子伏范围内并且至少从硅的导带边缘远离至少一个施主能级供体，以优化功率半导体组件的动态和静态损耗。

公开(公告)号：WO0052750A3

公开(公告)日：2001-08-09

申请号：PCT/DE0000677

申请日：2000-03-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  HIRLER FRANZ ,  KANERT WERNER ,  GASSEL HELMUT ,  STRACK HELMUT ,  PAIRITSCH HERBERT

Inventor： HIRLER FRANZ ,  KANERT WERNER ,  GASSEL HELMUT ,  STRACK HELMUT ,  PAIRITSCH HERBERT

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/225 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802

Abstract: The invention relates to a method for producing a body area for a vertical MOS transistor array in a semiconductor body, wherein the body area has at least one channel region disposed between the source area and the drain area and borders on a gate electrode. A first implantation of doping material is effected in the semiconductor body, wherein the maximum of doping material of the first implantation is placed in the back part of the channel region (11) within the semiconductor body. At least a second implantation of doping material is then effected with a smaller dose than in the first implantation, wherein the maximum of doping material of the second implantation lies within the semiconductor body below the maximum of doping material of the first implantation. Subsequently, the doping material is diffused off.

Abstract translation: 描述一种用于在半导体本体中的垂直MOS晶体管布置，其中所述体区包括至少一个沟道区，设置于栅极电极的源极区域和漏极区域和相邻之间产生的体区的过程。 有掺杂剂至该半导体本体的第一植入物，植入最大与沟道区（11）在半导体本体中的第一植入的复位。 接着进行掺杂材料中的至少一个第二注入具有比第一注入较低的剂量，植入低于最大值的最大注入所述第一注入的半导体主体内的第二植入的位置。 随后，执行掺杂材料的向外扩散。

公开(公告)号：WO2007048393A2

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：PCT/DE2006/001879

申请日：2006-10-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG ,  SEDLMAIER, Stefan ,  MAUDER, Anton ,  PFIRSCH, Frank ,  SCHULZE, Hans-Joachim ,  STRACK, Helmut ,  WILLMEROTH, Armin

Inventor： SEDLMAIER, Stefan ,  MAUDER, Anton ,  PFIRSCH, Frank ,  SCHULZE, Hans-Joachim ,  STRACK, Helmut ,  WILLMEROTH, Armin

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/267

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/2255 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1604 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (1) mit Ladungskompensationsstruktur (3) und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Dazu weist das Halbleiterbauelement (1) einen Halbleiterkörper (4) auf, der eine Driftstrecke (5) zwischen zwei Elektroden (6, 7) besitzt. Die Driftstrecke (5) weist Driftzonen eines ersten Leitungstyps auf, die einen Strompfad zwischen den Elektroden (6, 7) in der Driftstrecke bereitstellen, während Ladungskompensationszonen (11) eines komplementären Leitungstyps den Strompfad der Driftstrecke (5) einengen. Dazu weist die Driftstrecke (5) zwei alternierend angeordnete, epitaxial aufgewachsene Diffusionszonentypen (9, 10) auf, wobei der erste Driftzonentyp (9) auf einem monokristallinen Substrat (12) monokristallines Halbleitermaterial aufweist und ein zweiter Driftzonentyp (10) monokristallines Halbleitermaterial in einer Grabenstruktur (13) besitzt, mit komplementär dotierten Wänden (14, 15), wobei die komplementär dotierten Wände (14, 15) die Ladungskompensationszonen (11) bilden.

Abstract translation:

本发明涉及一种半导体装置（1）与电荷补偿结构（3）和其制造方法。 为了这个目的，该半导体器件（1）一个Halbleiterk＆OUML;主体（4），其中（6,7）具有两个电极之间的漂移区（5）。 漂移区（5）包括在电荷补偿区（11）A＆AUML的补体漂移的第一导电类型的区域在其上的电极之间的电流路径（6,7）中的漂移路径提供，瓦特BEAR;任导电类型的漂移区（5）紧勒的电流路径。 为此，漂移区（5）具有两个交替布置的，外延生长的扩散区类型（9，10），其中，单晶衬底（12）的单晶半导体材料和在严重结构的第二漂移区的类型（10）的单晶半导体材料的第一漂移区类型（9） （13）与互补BEAR W-掺杂的手（14，15），其中所述互补BEAR W-掺杂BEAR。壁（14，15）形成电荷补偿区（11）

公开(公告)号：WO0118870A3

公开(公告)日：2001-08-02

申请号：PCT/EP0008707

申请日：2000-09-06

Applicant: MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  DEBOY GERALD ,  STRACK HELMUT ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  DEBOY GERALD ,  STRACK HELMUT

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L29/06 ,  H01L29/167 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/167

Abstract: A compensating component and a method for the production thereof are described. Compensating regions are produced by implanting sulfur or selenium in a p-conductive semiconductor layer or, are provided as p-conductive regions, which are doped with indium, thallium and/or palladium, in a cluster-like manner inside an n-conductive region.

公开(公告)号：WO2007085387A1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：PCT/EP2007/000475

申请日：2007-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG ,  SCHULZE, Hans-Joachim ,  STRACK, Helmut ,  MAUDER, Anton

Inventor： SCHULZE, Hans-Joachim ,  STRACK, Helmut ,  MAUDER, Anton

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/265 ,  H01L21/263

CPC classification number: H01L21/3225 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/861

Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren zur Behandlung eines Sauerstoff enthaltenden Halbleiterwafers, der eine erste Seite, eine der ersten Seite gegenüberliegende zweite Seite, einen sich an die erste Seite anschließenden ersten Halbleiterbe-reich, und einen sich an die zweite Seite anschließenden zweiten Halbleiterbereich aufweist, mit folgenden Verfahrens-schritten:-Bestrahlen der zweiten Seite des Wafers mit hochenergeti schen Teilchen, wodurch Kristalldefekte in dem zweiten Halbleiterbereich entstehen,- Durchführen eines ersten Temperaturprozesses, bei dem der Wafer auf Temperaturen zwischen 700° C und 1100° C aufgeheizt wird. Die Erfindung betrifft außerdem ein auf Basis eines derart behandelten Wafers hergestelltes Bauelement.

Abstract translation: 公开了用于治疗具有第一侧的含氧半导体晶片，第一侧相对的第二侧上，邻接所述第一半导体区域的第一侧，和邻接的第二侧的第二半导体区域的方法，该方法包括 方法步骤：-Bestrahlen与hochenergeti规则颗粒，由此晶体缺陷在第二半导体区域出现时，在晶片的所述第二侧 - 执行，其中晶片被加热到700℃和1100℃的第一温度的过程之间的温度。 本发明还涉及这样的处理过的晶片部件的基础上制造的产品。

公开(公告)号：WO0017937A2

公开(公告)日：2000-03-30

申请号：PCT/DE9903081

申请日：1999-09-24

Applicant: SIEMENS AG ,  DEBOY GERALD ,  STRACK HELMUT ,  HAEBERLEN OLIVER ,  RUEB MICHAEL ,  FRIZA WOLFGANG

Inventor： DEBOY GERALD ,  STRACK HELMUT ,  HAEBERLEN OLIVER ,  RUEB MICHAEL ,  FRIZA WOLFGANG

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7802

Abstract: The invention relates to a method for producing a semiconductor component comprising semiconductor areas (4, 5) of different conductivity types which are alternately positioned in a semiconductor body and in said semiconductor body (1) extend at least from one first zone (6) to near a second zone (1) and by way of variable dopage from trenches (11, 14) and their fillings generate an electric field which increases from both said zones (6, 1).

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体装置的制造与交替地布置在半导体本体中的半导体区域的方法（4,5）是在半导体本体延伸的交替不同的导电类型（1）的至少一个第一区域（6）的附近到第二区（1 ）通过挖沟（11的可变掺杂延伸，14）和它们的填充产生电场，这两个区域中的一个（6,1）具有从上升轮廓。

公开(公告)号：WO9923703A9

公开(公告)日：1999-09-02

申请号：PCT/DE9803197

申请日：1998-11-02

Applicant: SIEMENS AG ,  DEBOY GERALD ,  TIHANYI JENOE ,  STRACK HELMUT ,  GASSEL HELMUT ,  STENGL JENS PEER ,  WEBER HANS

Inventor： DEBOY GERALD ,  TIHANYI JENOE ,  STRACK HELMUT ,  GASSEL HELMUT ,  STENGL JENS-PEER ,  WEBER HANS

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7802

Abstract: The invention relates to a high voltage resistant edge structure in the edge area of a semiconductor element, comprising floating guard rings of a first conductivity type and intermediate ring areas of a second conductivity type arranged between said floating guard rings. The conductivity and/or geometry of the floating guard rings and/or intermediate ring areas is adjusted in such a way that the charge carriers are fully cleared when a blocking voltage is applied. The inventive edge structure enables the electrical field to be modulated on both the surface and in the volume of the semiconductor body. By dimensioning the inventive edge structure in an appropriate manner, maximum field intensity can be applied depthwise in a simple manner i.e. in the vertical pn transition area. An appropriate edge structure enabling a "soft" volume electrical-field run out to be continuously obtained by means of an extensive p and n doped concentration area.

Abstract translation: 本发明涉及一种在具有浮置所述第一导电类型的保护环的半导体器件的边缘区域中的耐高压的边缘结构和设置在所述第二导电类型的浮置保护环中间环区，导电性和/或浮置保护环和/或所述中间环区的几何结构之间以这样的方式被设置其 施加反向电压时完全清除电荷载体。 根据本发明的边缘结构实现了在半导体本体的表面和体积中的电场的调制。 通过根据本发明的边缘结构的合适的尺寸，可以容易地降低场强的最大值，即， 在垂直pn结的区域。 在这种情况下总是可以指定在宽范围的p型和n型掺杂，其允许在该卷的“软”的电场的泄漏浓度的匹配边缘结构。

公开(公告)号：WO1997029518A1

公开(公告)日：1997-08-14

申请号：PCT/DE1997000182

申请日：1997-01-30

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  TIHANYI, Jenö ,  STRACK, Helmut ,  GEIGER, Heinrich

Inventor： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/2257 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7835

Abstract: The invention concerns a semiconductor component controllable through field effect with a vertical or lateral construction, i.e. MOSFETs and IGBTs. In the source-drain loading stage, recessed zones and complementary zones of opposing conducting types are made in the semiconductor body, i.e. in the inner zone for vertical components and in the drift zone for lateral components, the concentration in the regions doped by the first conducting type corresponding approximately to the concentration in the regions doped by the second conducting type.

Abstract translation: 本发明涉及一种可控制的由场效应半导体器件在垂直方向或横向结构，即 MOSFET和IGBT。 有，在半导体主体在作为源极 - 漏极负载路径 在内部区域和所述漂移区的横向元件，以及相反的导电类型的互补的耗尽区，其中所述第一导电类型的掺杂区域的浓度近似地对应于掺杂的第二导电类型区的浓度垂直组件引入。