公开(公告)号：SE1250593A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：SE1250593

申请日：2011-03-30

Applicant: TOMITA TAKASHI

Inventor： TOMITA TAKASHI

IPC: C01B31/36 ,  C01B33/023

Abstract: Föreliggande uppfinning åstadkommer ett förfarande för framställning av en halvledare av kiselkarbid baserat på ett förfarande för framställning och extraktion av kisel samt ett framställningssystem för framställning och extraktion av kisel genom att mala kiselkarbid och kvarts, blanda dem i ett förbestämt förhållande efter rening av dem, hålla dem i en smältdegel, upphettning av denna med en upphettningsenhet för att få dem att reagera, oxidera kiselkarbiden med kvartsen och vidare reducera kvartsen med kiselkarbiden. Föreliggande uppfinning åstadkommer vidare ett förfarande för samtidig framställning av kisel och kiselkarbid och ett framställningssystem för att bilda kiselkarbid genom att bilda en kiselkarbidfilm genom ångfas-epitaxi under användning av aktiv gas genererad vid upphettning för reaktion som material och återvinning av kiselkarbidfilmen.

公开(公告)号：GB201115089D0

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：GB201115089

申请日：2011-08-31

Applicant: TOMITA TAKASHI

Abstract: In a heterojunction solar cell, a semiconductor A is bonded to a different conductivity type semiconductor B having an electron affinity a2 which is larger than an electron affinity a1 of the semiconductor A. The semiconductor A and the semiconductor B are lattice-matched to each other with a mismatch ratio of less than 1%, respectively. In a method for fabricating the heterojunction solar cell, the semiconductor A and the semiconductor B are lattice-matched to each other with a mismatch ratio of less than 1% respectively, and the semiconductor A is made of p-type silicon with a p-type germanium layer formed on the surface thereof, and n-type GaP is formed after removing an oxide film by removing the germanium layer.

公开(公告)号：NO20110671A1

公开(公告)日：2011-10-07

申请号：NO20110671

申请日：2011-04-05

Applicant: TOMITA TAKASHI

Inventor： TOMITA TAKASHI

IPC: C01B33/025

公开(公告)号：DE102011006888A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：DE102011006888

申请日：2011-04-06

Applicant: TOMITA TAKASHI

Inventor： TOMITA TAKASHI

IPC: C01B33/025 ,  C01B31/36

Abstract: Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen von Silizium sowie ein Herstellungssystem zum Herstellen und Extrahieren von Silizium durch Zerkleinern von Siliziumkarbid und Siliziumdioxid, durch Mischen von diesen in einem vorbestimmten Verhältnis nach dem Reinigen von diesen, Anordnen von diesen in einem Tiegel, Erhitzen von diesen mittels einer Heizeinheit, um sie zum Reagieren zu bringen, Oxidieren des Siliziumkarbids mit dem Siliziumdioxid und weiterhin durch Reduzieren des Siliziumdioxids mit dem Siliziumkarbid. Ferner schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen von Silizium und Siliziumkarbid sowie ein Herstellungssystem zum Herstellen von Siliziumkarbid durch Bilden einer Siliziumkarbidschicht durch Dampfphasenepitaxie unter Verwendung eines aktiven Gases, das bei der Erhitzung für die Reaktion des Materials erzeugt wird, sowie unter Rückgewinnung der Siliziumkarbidschicht.

公开(公告)号：DE102011081983A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：DE102011081983

申请日：2011-09-01

Applicant: TOMITA TAKASHI

Inventor： TOMITA TAKASHI

IPC: H01L31/0328 ,  H01L31/06 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

Abstract: Es wird eine Solarzelle mit einem hohen Konvertierungswirkungsgrad durch Erhöhen der Leerlaufspannung bereitgestellt. Bei einer Hetero-Grenzschicht-Solarzelle ist ein Halbleiter A mit einem Halbleiter B, der einen Leitungstyp unterschiedlich zu einem Leitungstyp des Halbleiters A hat, und mit einer Elektronenaffinität a2, die größer als eine Elektronenaffinität a1 des Halbleiters A ist, verbunden und die Kristallgitter des Halbleiters A und des Halbleiters B sind jeweils aneinander mit einem Fehlanpassungsverhältnis von weniger als 1% angepasst. Weiter werden bei einem Verfahren zum Herstellen einer Hetero-Grenzschicht-Solarzelle, bei dem ein Halbleiter A auf einen Halbleiter B von einem Leitungstyp, der verschieden zu einem Leitungstyp des Halbleiters A ist, und mit einer Elektronenaffinität a2, die größer als eine Elektronenaffinität a1 des Halbleiters A ist, verbunden wird, die Kristallgitter des Halbleiters A und des Halbleiters B jeweils aneinander mit einem Fehlanpassungsverhältnis von weniger als 1% angepasst und der Halbleiter A aus einem p-Typ-Silizium mit einer auf dessen Oberfläche ausgebildeten p-Typ-Germaniumschicht hergestellt und eine n-Typ-GaP nach Entfernen eines Oxid-Dünnschicht durch Entfernen der Germaniumschicht gebildet.

公开(公告)号：SE1150277A1

公开(公告)日：2011-10-07

申请号：SE1150277

申请日：2011-03-30

Applicant: TOMITA TAKASHI

Inventor： TOMITA TAKASHI

IPC: C01B33/023 ,  C01B31/36

Abstract: Föreliggande uppfinning åstadkommer ett förfarande för framställning av kisel samt ett framställningssystem för framställning och extraktion av kisel genom att mala kiselkarbid och kvarts, blanda dem i ett förbestämt förhållande efter rening av dem, hålla dem i en smältdegel, upphettning av denna med en upphettningsenhet för att få dem att reagera, oxidera kiselkarbiden med kvartsen och vidare reducera kvartsen med kiselkarbiden. Föreliggande uppfinning åstadkommer vidare ett förfarande för samtidig framställning av kisel och kiselkarbid och ett framställningssystem för att bilda kiselkarbid genom att bilda en kiselkarbidfilm genom ångfasepitaxi under användning av aktiv gas genererad vid upphettning för reaktion som material och återvinning av kiselkar-bidf ilmen .

公开(公告)号：GB2483759A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：GB201115089

申请日：2011-08-31

Applicant: TOMITA TAKASHI

Inventor： TOMITA TAKASHI

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/042 ,  H01L31/074

Abstract: A heterojunction solar cell comprises a semiconductor A 01 for example, a group IV semiconductor is bonded to a semiconductor B 02 for example, a group III-V semiconductor of a conductivity type different from a conductivity type of the semiconductor A and which has an electron affinity a2 which is larger than an electron affinity a1 of the semiconductor A. The semiconductor A and the semiconductor B are lattice-matched to each other with a mismatch ratio of less than 1% respectively. Also in a method is also disclosed where the semiconductor A is made of p-type silicon with a p-type germanium layer formed on the surface thereof, and n-type GaP is formed after removing an oxide film by removing the germanium layer. The solar cell may have an open circuit arrangement. Alternatively, the semiconductor A may be made of p-type silicon and the semiconductor B may be a mixed crystal made of n-type GaP. The semiconductor A may be p-type silicon carbide with n-type AIN formed on the surface thereof. The device also comprises negative 03 and positive electrodes 04.

公开(公告)号：WO2013054472A2

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：PCT/JP2012/005937

申请日：2012-09-18

Applicant: SONY CORPORATION ,  WADA, Seiji ,  NAKAMURA, Mitsuhiro ,  KIMURA, Natsuki ,  SOMA, Haruhiko ,  NAKASHIMA, Yusaku ,  YAMAMOTO, Takuro ,  TOMITA, Takashi

Inventor： WADA, Seiji ,  NAKAMURA, Mitsuhiro ,  KIMURA, Natsuki ,  SOMA, Haruhiko ,  NAKASHIMA, Yusaku ,  YAMAMOTO, Takuro ,  TOMITA, Takashi

IPC: A61B5/0478

CPC classification number: A61B5/6803 ,  A61B5/0478 ,  A61B5/08 ,  A61B5/14542 ,  A61B2560/045 ,  A61B2562/12

Abstract: To provide a headband capable of correctly placing an electrode on a head of a user, a headband apparatus includes a plurality of headband portions integrally connected and configured to be positioned about a head of a user, wherein at least two headband portions are each configured to be positioned behind an ear.

Abstract translation: 为了提供能够将电极正确地放置在用户头部上的头带，头带装置包括多个头带部分，其整体地连接并被配置为围绕用户的头部定位，其中至少两个头带部分被配置为 定位在耳后。

公开(公告)号：WO2003066542A1

公开(公告)日：2003-08-14

申请号：PCT/JP2003/001093

申请日：2003-02-04

Applicant: NIPPON SHOKUBAI CO., LTD. ,  TOMITA, Takashi ,  KAWAKAMI, Hirokatsu

Inventor： TOMITA, Takashi ,  KAWAKAMI, Hirokatsu

IPC: C04B24/32

CPC classification number: C04B28/02 ,  C04B24/2647 ,  C04B24/32 ,  C04B2111/29 ,  C04B24/26 ,  C04B2103/50 ,  C04B2103/304

Abstract: The objective of the present invention is to provide a concrete composition in which the amount of air entrained can be maintained stably and which is excellent in strength and durability, a concrete composition which is excellent in freeze-thaw durability owing to the good quality of foams and is excellent in air content stability with time and which can form curing products excellent in strength and durability, a method of producing such concrete composition, and a cement admixture.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种混凝土组合物，其中夹带的空气量可以稳定地保持并且强度和耐久性优异，由于泡沫的良好质量而具有优异的冻融耐久性的混凝土组合物 并且空气含量稳定性随时间优异，并且可以形成强度和耐久性优异的固化产物，制备这种混凝土组合物的方法和水泥掺合物。

公开(公告)号：WO1996006431A1

公开(公告)日：1996-02-29

申请号：PCT/JP1995001696

申请日：1995-08-25

Applicant: SONY CORPORATION ,  TOMITA, Takashi

Inventor： SONY CORPORATION

IPC: G11B07/24

CPC classification number: G11B7/24 ,  G11B7/0938 ,  G11B7/263 ,  Y10S425/81 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265

Abstract: A substrate for an optical disk, on which information signals are recorded. The substrate has pre-pits formed of protrusions and recesses to generate tracking error signals. This electroacoustic convertor substrate includes at least a recording layer and/or a reflection layer on its flat surface, and a plurality of pre-pits formed in such a manner as to form pairs at positions offsetted from an imaginary track center while interposing this imaginary track center between them. The substrate is produced by injection molding of a transparent synthetic resin material. At least the region on which the recording layer and/or the reflection layer is disposed is not greater than 1 mm, and thus a pit pattern formed on a stamper can be transferred without generating a transfer error when the synthetic resin material is injection molded.

Abstract translation: 用于记录信息信号的光盘用基板。 基板具有由突起和凹陷形成的预凹坑以产生跟踪误差信号。 该电声转换器基板在其平坦表面上至少包括记录层和/或反射层，以及多个预凹坑，其形成为在从虚拟轨道中心偏移的位置处形成对，同时插入该假想轨迹 他们之间的中心。 基材通过注塑成型透明合成树脂材料制成。 至少在其上配置有记录层和/或反射层的区域不大于1mm，因此，当合成树脂材料被注模成型时，可以传送形成在压模上的凹坑图案而不产生转印误差。