中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

12 records (took 0.058 seconds)

    Förfarande och system för framställning av en halvledare samt förfarande för framställning av kisel
    1.
    发明专利
    Förfarande och system för framställning av en halvledare samt förfarande för framställning av kisel 未知

    公开(公告)号：SE1250593A1

    公开(公告)日：2012-06-07

    申请号：SE1250593

    申请日：2011-03-30

    Applicant: TOMITA TAKASHI

    Inventor： TOMITA TAKASHI

    IPC: C01B31/36 ,  C01B33/023

    Abstract: Föreliggande uppfinning åstadkommer ett förfarande för framställning av en halvledare av kiselkarbid baserat på ett förfarande för framställning och extraktion av kisel samt ett framställningssystem för framställning och extraktion av kisel genom att mala kiselkarbid och kvarts, blanda dem i ett förbestämt förhållande efter rening av dem, hålla dem i en smältdegel, upphettning av denna med en upphettningsenhet för att få dem att reagera, oxidera kiselkarbiden med kvartsen och vidare reducera kvartsen med kiselkarbiden. Föreliggande uppfinning åstadkommer vidare ett förfarande för samtidig framställning av kisel och kiselkarbid och ett framställningssystem för att bilda kiselkarbid genom att bilda en kiselkarbidfilm genom ångfas-epitaxi under användning av aktiv gas genererad vid upphettning för reaktion som material och återvinning av kiselkarbidfilmen.

    Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
    3.
    发明专利
    Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102011081983A1

    公开(公告)日：2012-03-08

    申请号：DE102011081983

    申请日：2011-09-01

    Applicant: TOMITA TAKASHI

    Inventor： TOMITA TAKASHI

    IPC: H01L31/0328 ,  H01L31/06 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

    Abstract: Es wird eine Solarzelle mit einem hohen Konvertierungswirkungsgrad durch Erhöhen der Leerlaufspannung bereitgestellt. Bei einer Hetero-Grenzschicht-Solarzelle ist ein Halbleiter A mit einem Halbleiter B, der einen Leitungstyp unterschiedlich zu einem Leitungstyp des Halbleiters A hat, und mit einer Elektronenaffinität a2, die größer als eine Elektronenaffinität a1 des Halbleiters A ist, verbunden und die Kristallgitter des Halbleiters A und des Halbleiters B sind jeweils aneinander mit einem Fehlanpassungsverhältnis von weniger als 1% angepasst. Weiter werden bei einem Verfahren zum Herstellen einer Hetero-Grenzschicht-Solarzelle, bei dem ein Halbleiter A auf einen Halbleiter B von einem Leitungstyp, der verschieden zu einem Leitungstyp des Halbleiters A ist, und mit einer Elektronenaffinität a2, die größer als eine Elektronenaffinität a1 des Halbleiters A ist, verbunden wird, die Kristallgitter des Halbleiters A und des Halbleiters B jeweils aneinander mit einem Fehlanpassungsverhältnis von weniger als 1% angepasst und der Halbleiter A aus einem p-Typ-Silizium mit einer auf dessen Oberfläche ausgebildeten p-Typ-Germaniumschicht hergestellt und eine n-Typ-GaP nach Entfernen eines Oxid-Dünnschicht durch Entfernen der Germaniumschicht gebildet.

    Förfarande och system för framställning av kisel och kiselkarbid
    4.
    发明专利
    Förfarande och system för framställning av kisel och kiselkarbid 未知

    公开(公告)号：SE1150277A1

    公开(公告)日：2011-10-07

    申请号：SE1150277

    申请日：2011-03-30

    Applicant: TOMITA TAKASHI

    Inventor： TOMITA TAKASHI

    IPC: C01B33/023 ,  C01B31/36

    Abstract: Föreliggande uppfinning åstadkommer ett förfarande för framställning av kisel samt ett framställningssystem för framställning och extraktion av kisel genom att mala kiselkarbid och kvarts, blanda dem i ett förbestämt förhållande efter rening av dem, hålla dem i en smältdegel, upphettning av denna med en upphettningsenhet för att få dem att reagera, oxidera kiselkarbiden med kvartsen och vidare reducera kvartsen med kiselkarbiden. Föreliggande uppfinning åstadkommer vidare ett förfarande för samtidig framställning av kisel och kiselkarbid och ett framställningssystem för att bilda kiselkarbid genom att bilda en kiselkarbidfilm genom ångfasepitaxi under användning av aktiv gas genererad vid upphettning för reaktion som material och återvinning av kiselkar-bidf ilmen .

    Verfahren und System zum Herstellen von Silizium und Siliziumkarbid
    5.
    发明专利
    Verfahren und System zum Herstellen von Silizium und Siliziumkarbid 未知

    公开(公告)号：DE102011006888A1

    公开(公告)日：2011-12-15

    申请号：DE102011006888

    申请日：2011-04-06

    Applicant: TOMITA TAKASHI

    Inventor： TOMITA TAKASHI

    IPC: C01B33/025 ,  C01B31/36

    Abstract: Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen von Silizium sowie ein Herstellungssystem zum Herstellen und Extrahieren von Silizium durch Zerkleinern von Siliziumkarbid und Siliziumdioxid, durch Mischen von diesen in einem vorbestimmten Verhältnis nach dem Reinigen von diesen, Anordnen von diesen in einem Tiegel, Erhitzen von diesen mittels einer Heizeinheit, um sie zum Reagieren zu bringen, Oxidieren des Siliziumkarbids mit dem Siliziumdioxid und weiterhin durch Reduzieren des Siliziumdioxids mit dem Siliziumkarbid. Ferner schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen von Silizium und Siliziumkarbid sowie ein Herstellungssystem zum Herstellen von Siliziumkarbid durch Bilden einer Siliziumkarbidschicht durch Dampfphasenepitaxie unter Verwendung eines aktiven Gases, das bei der Erhitzung für die Reaktion des Materials erzeugt wird, sowie unter Rückgewinnung der Siliziumkarbidschicht.

    solar cell and method for fabricating the same
    6.
    发明专利
    solar cell and method for fabricating the same 未知

    公开(公告)号：GB2483759A

    公开(公告)日：2012-03-21

    申请号：GB201115089

    申请日：2011-08-31

    Applicant: TOMITA TAKASHI

    Inventor： TOMITA TAKASHI

    IPC: H01L31/072 ,  H01L31/042 ,  H01L31/074

    Abstract: A heterojunction solar cell comprises a semiconductor A 01 for example, a group IV semiconductor is bonded to a semiconductor B 02 for example, a group III-V semiconductor of a conductivity type different from a conductivity type of the semiconductor A and which has an electron affinity a2 which is larger than an electron affinity a1 of the semiconductor A. The semiconductor A and the semiconductor B are lattice-matched to each other with a mismatch ratio of less than 1% respectively. Also in a method is also disclosed where the semiconductor A is made of p-type silicon with a p-type germanium layer formed on the surface thereof, and n-type GaP is formed after removing an oxide film by removing the germanium layer. The solar cell may have an open circuit arrangement. Alternatively, the semiconductor A may be made of p-type silicon and the semiconductor B may be a mixed crystal made of n-type GaP. The semiconductor A may be p-type silicon carbide with n-type AIN formed on the surface thereof. The device also comprises negative 03 and positive electrodes 04.

    HYDRATING AND HEATING DEVICE
    9.
    发明专利
    HYDRATING AND HEATING DEVICE 失效

    公开(公告)号：JPH07236569A

    公开(公告)日：1995-09-12

    申请号：JP35592291

    申请日：1991-12-22

    Applicant: TOMITA TAKASHI

    Inventor： TOMITA TAKASHI

    IPC: F24V30/00 ,  A47J36/28 ,  F24J1/00

    Abstract: PURPOSE:To reduce the cost of a heating device which generates heat by bringing water and calcium oxide into hydration reaction, by forming calcium oxide as a porous granular material formed by calcining limestone (quick lime) and incorporating an alkaline earth metal chloride into water. CONSTITUTION:This heating engine device houses a water bag 11 formed by housing an aq. sol. 11b contg. 30 to 40wt.% magnesium chloride, etc., into a resin film bag 11a having high sealability and excellent tearing property. An exothermic agent bag 12 formed by housing the calcined quick lime 12a which generates heat by the hydration heat generated by the contact reaction with the aq. soln. into a resin film bag 12b having the excellent outdoor barrier property, tearing property and thermal shrinkage characteristic is arranged above this water bag 11. Both bags 11, 12 are respectively provided with yarn 14 for unsealing and are housed into a paper tray 10. The opening of the tray 10 is covered with a vapor permeable sheet (non-woven fabric, etc.) 13 and is stuck therewith, by which the desired hydrating and heating device is constituted.

Patent Agency Ranking